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| 型號(hào) | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 參考價(jià)格 |
|---|---|---|---|
| 947D311K112BEMSN | 薄膜電容 DIP 310μF ±10% Ф90.00mm |
獲取價(jià)格
|
|
| 947D501K901BEMSN | 薄膜電容 DIP 500μF ±10% Ф90.00mm |
獲取價(jià)格
|
|
| 947D361K112AGGSN | 薄膜電容 DIP 360μF ±10% Ф85.00mm |
獲取價(jià)格
|
|
| 947D341K132BJMSN | 薄膜電容 DIP 340μF ±10% Ф90.00mm |
獲取價(jià)格
|
|
| 947D361K122AJGSN | 薄膜電容 DIP 360μF ±10% Ф85.00mm |
獲取價(jià)格
|
|
| 947D391K112CERSN | 薄膜電容 DIP 390μF ±10% Ф100.00mm |
獲取價(jià)格
|
|
| 947D331K112CDRSN | 薄膜電容 DIP 330μF ±10% Ф100.00mm |
獲取價(jià)格
|
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| 947D451K102AGGSN | 薄膜電容 DIP 450μF ±10% Ф85.00mm |
獲取價(jià)格
|
|
| 947D321K122CERSN | 薄膜電容 DIP 320μF ±10% Ф100.00mm |
獲取價(jià)格
|
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| 947D351K132CGRSN | 薄膜電容 DIP 350μF ±10% Ф100.00mm |
獲取價(jià)格
|
|
| 947D331K122AHGSN | 薄膜電容 DIP 330μF ±10% Ф85.00mm |
獲取價(jià)格
|
|
| 947D311K132BHMSN | 薄膜電容 DIP 310μF ±10% Ф90.00mm |
獲取價(jià)格
|
|
| 23FD3730 | 薄膜電容 DIP 30μF ±10% Ф53.98mm |
獲取價(jià)格
|
|
| 947D321K112AFGSN | 薄膜電容 DIP 320μF ±10% Ф85.00mm |
獲取價(jià)格
|
|
| 947D441K901AEGSN | 薄膜電容 DIP 440μF ±10% Ф85.00mm |
獲取價(jià)格
|
|
| SCRN216R-F | 薄膜電容 DIP 20μF ±10% 73.91 x 48.51mm |
獲取價(jià)格
|
|
| 947D251K132DCRSN | 薄膜電容 DIP 250μF ±10% Ф116.00mm |
獲取價(jià)格
|
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| 947D251K122BEMSN | 薄膜電容 DIP 250μF ±10% Ф90.00mm |
獲取價(jià)格
|
|
| 947D401K102AFGSN | 薄膜電容 DIP 400μF ±10% Ф85.00mm |
獲取價(jià)格
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| 947D291K122AGGSN | 薄膜電容 DIP 290μF ±10% Ф85.00mm |
獲取價(jià)格
|
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| 947D281K132BGMSN | 薄膜電容 DIP 280μF ±10% Ф90.00mm |
獲取價(jià)格
|
|
| 947D271K132AHGSN | 薄膜電容 DIP 270μF ±10% Ф85.00mm |
獲取價(jià)格
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| 947D341K102AEGSN | 薄膜電容 DIP 340μF ±10% Ф85.00mm |
獲取價(jià)格
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| 947D241K132BFMSN | 薄膜電容 DIP 240μF ±10% Ф90.00mm |
獲取價(jià)格
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| 947D291K102ADGSN | 薄膜電容 DIP 290μF ±10% Ф85.00mm |
獲取價(jià)格
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| 947D261K122AFGSN | 薄膜電容 DIP 260μF ±10% Ф85.00mm |
獲取價(jià)格
|
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| 947D211K132BEMSN | 薄膜電容 DIP 210μF ±10% Ф90.00mm |
獲取價(jià)格
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| 947D221K122BDMSN | 薄膜電容 DIP 220μF ±10% Ф90.00mm |
獲取價(jià)格
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| 947D221K122AEGSN | 薄膜電容 DIP 220μF ±10% Ф85.00mm |
獲取價(jià)格
|
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| 947D271K102BCMSN | 薄膜電容 DIP 270μF ±10% Ф90.00mm |
獲取價(jià)格
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