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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))

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dram資訊

三星電子DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒實(shí)現(xiàn)HKMG工藝大規(guī)模應(yīng)用

該機(jī)構(gòu)表示,目前已經(jīng)在芝奇(G.Skill)Trident Z5系列DDR5內(nèi)存中發(fā)現(xiàn)了三星HKMG DDR5內(nèi)存顆粒。該機(jī)構(gòu)還預(yù)計(jì)HKMG將成為下一代...

2022-09-19 標(biāo)簽:DRAM三星電子DDR5 2.2k 0

8月DRAM芯片出口同比下降24.7%

韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部周五公布的數(shù)據(jù)顯示,8月份DRAM芯片出口同比下降24.7%。DRAM占韓國存儲芯片出口的近一半。

2022-09-16 標(biāo)簽:DRAMDRAM芯片 700 0

BLE5.0藍(lán)牙無線傳輸芯片NRF52832-QFAA

NRF52832-QFAA SoC有512KB的Flash和64KB的RAM,這也超出其他廠家的芯片一大截。Nordic稱將會有400KB的Flash可...

2022-09-09 標(biāo)簽:芯片DRAM藍(lán)牙5.0 2.1k 0

?CXL與JEDEC攜手將給內(nèi)存行業(yè)帶來新的轉(zhuǎn)機(jī)

CXL是英特爾推出的標(biāo)準(zhǔn)。在2019年,英特爾推出了CXL。CXL是高度中央處理器到設(shè)備和CPU到內(nèi)存鏈接的開放標(biāo)準(zhǔn)。其推出的目的在于簡化加速器和內(nèi)存擴(kuò)...

2022-09-05 標(biāo)簽:DRAM內(nèi)存控制器DDR5 804 0

DRAM進(jìn)入到下一個(gè)發(fā)展階段,其未來技術(shù)路線如何呢?

在半導(dǎo)體存儲器中,按照電源關(guān)斷后數(shù)據(jù)能否被保存可分為ROM(Read Only Memory只讀存儲器,關(guān)閉電源仍可保留數(shù)據(jù))和RAM(Random A...

2022-08-30 標(biāo)簽:芯片DRAMDDR 3.1k 0

半導(dǎo)體制造將EUV引入DRAM的計(jì)劃介紹

EUV 光刻技術(shù)被視為先進(jìn)半導(dǎo)體制造的最大瓶頸,但這些價(jià)值超過 1.5 億美元的工具是沒有光掩模的paperweights。一個(gè)恰當(dāng)?shù)谋扔魇?,光掩??梢?..

2022-08-26 標(biāo)簽:DRAM晶圓圖像傳感器 1.6k 0

芯片庫存問題浮現(xiàn)?中國半導(dǎo)體2022年展望,新增長動力在哪里?SEMI馮莉最新分析

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2022年,全球半導(dǎo)體市場進(jìn)展如何?芯片的庫存問題不是第一次出現(xiàn),今年的狀況為何突然加???全球12英寸晶圓廠產(chǎn)能最新進(jìn)展如何?哪些終端市場的應(yīng)用能帶動半...

2022-08-24 標(biāo)簽:芯片DRAMSEMI 8.2k 0

突破存儲器帶寬和容量限制三星CXL存儲器擴(kuò)展設(shè)備

CXL是CXL聯(lián)盟開發(fā)的一項(xiàng)開放式互聯(lián)新標(biāo)準(zhǔn),基于PCIe物理層的高速、低延遲CPU到設(shè)備互連技術(shù)。CXL可在主機(jī)CPU和互聯(lián)設(shè)備(例如加速器和存儲器擴(kuò)...

2022-08-23 標(biāo)簽:DRAM存儲器 2k 0

紫光國芯亮相第六屆絲綢之路國際博覽會

以“互聯(lián)互通互融·共進(jìn)共享共贏”為主題的第六屆絲綢之路國際博覽會暨中國東西部合作與投資貿(mào)易洽談會(簡稱“絲博會”)在西安國際會展中心開幕。西安紫光國芯半...

2022-08-18 標(biāo)簽:DRAM存儲紫光國芯 2.2k 0

評估云和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用程序的ReRAM技術(shù)選擇

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  ReRAM 技術(shù)通過能夠滿足不斷增長的數(shù)據(jù)需求的更快、更密集和超低延遲的解決方案實(shí)現(xiàn)下一代企業(yè)存儲。隨著能源使用和壽命成為云和數(shù)據(jù)中心環(huán)境中的關(guān)鍵總...

2022-08-17 標(biāo)簽:控制器DRAM晶體管 2.3k 0

保護(hù)SSD中數(shù)據(jù)的兩種方法

  解決功率損耗問題的另一種方法是消除問題的根源。無 DRAM 固態(tài)硬盤從等式中去除了易失性 DRAM 數(shù)據(jù)緩沖區(qū),使斷電保護(hù)更簡單,因?yàn)殛P(guān)鍵數(shù)據(jù)永遠(yuǎn)不...

2022-08-17 標(biāo)簽:電源DRAMSSD 2.5k 0

熱概念增強(qiáng)DRAM內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計(jì)

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  熱管理問題隨著內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展,并成為嵌入式系統(tǒng)、可靠性和性能的關(guān)鍵。系統(tǒng)設(shè)計(jì)師和內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計(jì)師之間的設(shè)計(jì)動態(tài)也在不斷發(fā)展,并可能影響為耐用性...

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一文解析多芯片堆疊封裝技術(shù)(上)

在芯片成品制造環(huán)節(jié)中,市場對于傳統(tǒng)打線封裝的依賴仍居高不下。市場對于使用多芯片堆疊技術(shù)、來實(shí)現(xiàn)同尺寸器件中的高存儲密度的需求也日益增長。這類需求給半導(dǎo)體...

2022-08-07 標(biāo)簽:DRAM存儲器晶圓 5.2k 0

在提高內(nèi)存速度的情況下如何降低傳輸慢對系統(tǒng)性能帶來負(fù)面影響

緩存又有分為一級緩存、二級緩存等等。他們的速度也有所不同,從一級緩存以后讀取速度依次降低。為什么呢?雖然都是采用的SRAM存儲器,但是數(shù)據(jù)檢索需要時(shí)間,...

2022-08-04 標(biāo)簽:DRAMcpuSRAM存儲器 2.2k 0

長鑫存儲入選“2021—2022年度半導(dǎo)體與集成電路最具投資價(jià)值公司”

長鑫存儲入選“2021—2022年度半導(dǎo)體與集成電路最具投資價(jià)值公司”

日前,甲子光年舉辦的“2022科技產(chǎn)業(yè)投資峰會”長鑫存儲入選“2021—2022年度半導(dǎo)體與集成電路最具投資價(jià)值公司”。長鑫存儲作為國內(nèi)專業(yè)從事DRAM...

2022-08-04 標(biāo)簽:DRAM長鑫存儲 3.8k 0

HBM3如何滿足市場對DRAM的需求

盡管業(yè)界對包括摩爾定律、內(nèi)存墻差異等傳統(tǒng)原則的有效性爭議不斷,但半導(dǎo)體領(lǐng)域仍普遍認(rèn)為,多年來內(nèi)存行業(yè)的價(jià)值主張?jiān)诤艽蟪潭壬鲜冀K以系統(tǒng)級需求為導(dǎo)向,已經(jīng)突...

2022-08-04 標(biāo)簽:DRAMSK海力士HBM3 1.1k 0

CXL 3.0標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布,下一個(gè)完整版本CXL 3.0

這是一個(gè)雄心勃勃但得到廣泛支持的路線圖,在短短三年內(nèi)使,CXL 便成為事實(shí)上的先進(jìn)設(shè)備互連標(biāo)準(zhǔn),這就導(dǎo)致競爭對手標(biāo)準(zhǔn) Gen-Z、CCIX 以及截至昨天...

2022-08-04 標(biāo)簽:DRAMcpuPCI 4k 0

DRAM的類型及其訪問方式成為設(shè)計(jì)中心的考慮因素

瑞薩半導(dǎo)體副總裁兼總經(jīng)理拉米·塞西對此表示同意?!叭藗兤毡槌姓J(rèn)DDR總線在支持多時(shí)隙配置方面的能力將隨著時(shí)間的推移而變得越來越困難。當(dāng)你以每秒6、7、8...

2022-07-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAMDDR 1.7k 0

海力士第二季度銷售額創(chuàng)下20年來新高

  海力士表示,第二季度用于設(shè)備和服務(wù)器的DRAM芯片出貨量較第一季度增長約10%,NAND閃存芯片的出貨量以高個(gè)位數(shù)的百分比增長。第二季度銷售額創(chuàng)下2...

2022-07-28 標(biāo)簽:DRAM海力士服務(wù)器 1.6k 0

存儲設(shè)備制造商瞄準(zhǔn) ASIL 合規(guī)性

多倫多 — DDR5 在 DRAM 市場上占據(jù)主導(dǎo)地位還需要一段時(shí)間,但在汽車應(yīng)用方面,搶占先機(jī)以使存儲設(shè)備符合最新、最出色的汽車系統(tǒng)的可靠性和功能安全...

2022-07-15 標(biāo)簽:DRAM存儲設(shè)備asil 1.3k 0

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    Heilind為電子行業(yè)各細(xì)分市場的原始設(shè)備制造商和合約制造商提供支持,供應(yīng)來自業(yè)界頂尖制造商的產(chǎn)品,涵蓋25個(gè)不同元器件類別,并特別專注于互連與機(jī)電產(chǎn)品。其主要分銷產(chǎn)品包括互連器件、繼電器、風(fēng)扇、開關(guān)和傳感器、電路保護(hù)與熱管理、套管和線束產(chǎn)品、晶體與振蕩器。
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線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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