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　　F-RAM芯片包含一個(gè)鋯鈦酸鉛［Pb（Zr，Ti）O3］的薄鐵電薄膜，通常被稱為PZT。PZT 中的Zr/Ti原子在電場(chǎng)中改變極性，從而產(chǎn)生一個(gè)二進(jìn)制開關(guān)。與RAM器件不同，F(xiàn)-RAM在電源被關(guān)閉或中斷時(shí)，由于PZT晶體保持極性能保留其數(shù)據(jù)記憶。這種獨(dú)特的性質(zhì)讓F-RAM成為一個(gè)低功耗、非易失性存儲(chǔ)器。