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場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱(chēng)為單極型晶體管。
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如何簡(jiǎn)單判斷一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管的好壞?
如何簡(jiǎn)單判斷一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管的好壞? 場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)FET)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的晶體管類(lèi)型之一。要判...
2023-11-17 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管FET 2.8k 0
場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電流是多大 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)是一種基于電場(chǎng)控制的電子器件,常用于放大、開(kāi)關(guān)和調(diào)制等...
2023-12-08 標(biāo)簽:放大器FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.8k 0
可控硅與場(chǎng)效應(yīng)管區(qū)別工作原理
可控硅與場(chǎng)效應(yīng)管區(qū)別工作原理 可控硅(SCR)和場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是電子領(lǐng)域中兩個(gè)常見(jiàn)的器件,它們?cè)诓煌膽?yīng)用領(lǐng)域中都有著廣泛的應(yīng)用。本文將重點(diǎn)介紹SC...
2023-09-08 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管可控硅SCR 2.8k 0
宜普電源推出EPC2001和EPC2015增強(qiáng)型氮化鎵FET
宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無(wú)鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強(qiáng)型氮化鎵 (eGaN) FET
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用特性
今天我們來(lái)介紹結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管,它在電路中的應(yīng)用特性是什么樣的。首先,讓我們簡(jiǎn)單說(shuō)說(shuō)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的屬性,它屬于單極型晶體管,跟晶體三極管、雙極型晶體管一樣屬...
2022-09-13 標(biāo)簽:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管FET 2.7k 0
2020年12月,由日本工業(yè)技術(shù)研究院(AIST)和中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體研究中心(TSRI)代表的聯(lián)合研究小組宣布了用于2nm世代的Si(硅)/ Ge(硅)/...
晶閘管和場(chǎng)效應(yīng)管的主要區(qū)別
晶閘管和場(chǎng)效應(yīng)管的主要區(qū)別 晶閘管(SCR)和場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是電子元件中最為常見(jiàn)的兩種半導(dǎo)體器件。SCR是一種雙極型半導(dǎo)體器件,傳統(tǒng)應(yīng)用在直流電路的...
2023-08-25 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管SCR 2.7k 0
buck電路關(guān)鍵發(fā)熱器件散熱如何計(jì)算?電路效率如何計(jì)算?
buck電路關(guān)鍵發(fā)熱器件散熱如何計(jì)算?電路效率如何計(jì)算? Buck電路關(guān)鍵發(fā)熱器件散熱計(jì)算與電路效率計(jì)算 隨著電子產(chǎn)品的逐步普及,人們對(duì)于其性能的要求越...
2023-10-23 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管FETbuck電路 2.7k 0
UnitedSiC發(fā)布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ
UnitedSiC布將推出四種新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mΩ,并可提供前所未有的性能和高效率,適用于電動(dòng)汽車(chē)(EV)逆變器、高功率D...
UnitedSiC(現(xiàn)為Qorvo)擴(kuò)展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過(guò)采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC F...
寬帶隙半導(dǎo)體終結(jié)了硅的主導(dǎo)地位
寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體,例如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC),已經(jīng)終結(jié)了硅在電力電子領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。自硅問(wèn)世以來(lái),WBG 半導(dǎo)體被證明是電力...
一種用于檢測(cè)SARS-CoV-2的還原氧化石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管生物傳感器
隨著新型冠狀病毒(SARS-CoV-2)的傳播,對(duì)快速、準(zhǔn)確檢測(cè)和篩查新冠病毒肺炎(COVID-19)患者的工具的需求日益增加。
2023-03-27 標(biāo)簽:傳感器FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.3k 0
UnitedSiC在650V產(chǎn)品系列中新增7個(gè)SiC FET
碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布,已經(jīng)為UJ3C(通用型)和UF3C(硬開(kāi)關(guān)型)系列650V SiC...
長(zhǎng)期以來(lái),在功率應(yīng)用方案中,熱管理一直是挑戰(zhàn)。當(dāng)項(xiàng)目有空間放置大型的散熱器時(shí),從電路板和半導(dǎo)體器件上將廢熱導(dǎo)出較為容易。然而,隨著輸出功率提升以及功率密...
UnitedSiC在UF3C FAST產(chǎn)品系列中新增兩種TO220-3L封裝選項(xiàng)
美國(guó)新澤西州普林斯頓 --- 新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布,在公司快速發(fā)展的650V SiC FET硬開(kāi)關(guān)UF...
Nexperia(安世半導(dǎo)體)推出支持低壓和高壓應(yīng)用的E-mode GAN FET
業(yè)內(nèi)唯一可同時(shí)提供級(jí)聯(lián)型(cascade)和增強(qiáng)型(e-mode)氮化鎵器件的供應(yīng)商。
OVP可調(diào)過(guò)壓過(guò)流保護(hù)芯片集成功率FET開(kāi)關(guān)
概述: PC9094過(guò)電壓和過(guò)電流保護(hù)該器件具有低80mΩ(TYP)導(dǎo)通電阻集成MOSFET,主動(dòng)保護(hù)低電壓 系統(tǒng)的電壓供應(yīng)故障高達(dá)+29V直流電。輸入...
2023-12-29 標(biāo)簽:芯片過(guò)流保護(hù)FET 2.1k 0
最大限度地減少SiC FET中的EMI和開(kāi)關(guān)損耗
SiC FET 速度極快,邊緣速率為 50 V/ns 或更高,這對(duì)于最大限度地減少開(kāi)關(guān)損耗非常有用,但由此產(chǎn)生的 di/dt 可能達(dá)到每納秒數(shù)安培。這會(huì)...
電場(chǎng)激活原位摻雜平面光伏型膠體量子點(diǎn)紅外成像芯片
北京理工大學(xué)光電學(xué)院紅外量子點(diǎn)團(tuán)隊(duì)聯(lián)合中芯熱成科技(北京)有限責(zé)任公司(簡(jiǎn)稱(chēng):中芯熱成)開(kāi)發(fā)了一種可控的電場(chǎng)激活原位摻雜方法
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