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氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域被廣泛使用。
GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導(dǎo)體，具有低工作電阻和高抗損性，...
GaN基耐輻射DC/DC變換器在衛(wèi)星應(yīng)用中提高效率
在過去幾年中，航天市場通過采用以前在空間系統(tǒng)中看不到的新技術(shù)，朝著更高效的電源解決方案發(fā)展?？臻g硬件受到惡劣環(huán)境條件的影響，包括電離輻射，因此必須使用抗...
2023-05-25 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器變換器衛(wèi)星 1.9k 0
GaN中 (C_N) 缺陷的非輻射俘獲系數(shù)計算（上）
DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半導(dǎo)體缺陷和雜質(zhì)性質(zhì)的第一性原理計算模擬...
硅（Si）是電子產(chǎn)品中常用的純半導(dǎo)體的一個例子。鍺（Ge）是另一種純半導(dǎo)體，用于一些最早的電子設(shè)備。半導(dǎo)體也由化合物制成，包括砷化鎵 （GaAs）、氮化...
當(dāng)今市場上有許多晶體管選擇，它們將各種技術(shù)與不同的半導(dǎo)體材料相結(jié)合。因此，縮小哪一個最適合特定設(shè)計的范圍可能會令人困惑。在這些選擇中，GaN晶體管是，但...
氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構(gòu)建RF功率放大器（PA）的主要技術(shù)。GaN 具有獨特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻...
SiC上的GaN的主要優(yōu)點是其導(dǎo)熱性優(yōu)勢。SiC上的GaN的導(dǎo)熱性是Si上的GaN的三倍，允許器件在更高的電壓和更高的功率密度下運行。Palmour解釋...
5G還圍繞提供滿足帶寬、延遲和數(shù)據(jù)速度新要求的連接所需的技術(shù)和基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計帶來了新的思維。它不僅需要在宏觀層面實現(xiàn)致密化——這意味著更多的基站——還需要...
RF LDMOS之于早期蜂窩網(wǎng)絡(luò)，氮化鎵（GaN）之于現(xiàn)代和高頻應(yīng)用。與砷化鎵（GaAs）和Si LDMOS相比，GaN長期以來一直具有難以超越的優(yōu)勢：
Wolfspeed 的 GaN on SiC 解決方案正在徹底改變射頻功率放大器的前驅(qū)動器、驅(qū)動器和輸出級。具體而言，新的高電子遷移率晶體管（HEMT）...
碳化硅MMIC上的氮化鎵：高功率AESA雷達(dá)設(shè)計
除了導(dǎo)致更高的輸出頻率范圍外，對于地面雷達(dá)來說，這是一個關(guān)鍵的設(shè)計考慮因素，地面雷達(dá)越來越多地使用有源電子掃描陣列（AESA）技術(shù)，以在更小的封裝中封裝...
GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進(jìn)。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達(dá) 8...
這些優(yōu)勢是目前取代雷達(dá)常用的高功率、大帶寬行波管（TWT）放大器的趨勢背后的原因。GaN HEMT消除了由于陰極耗盡而導(dǎo)致的TWT放大器固有的使用壽命相...
氮化鎵是在高頻應(yīng)用中實現(xiàn)高效運行的無可爭議的技術(shù)，例如 X 波段 （8–12 GHz） 的應(yīng)用。SiC器件上的GaN可以為這些應(yīng)用提供急需的高溫可靠性和...
SiC范圍內(nèi)的GaN和熱感知簡化了X波段雷達(dá)設(shè)計
性能參數(shù)因應(yīng)用而異，雷達(dá)系統(tǒng)可能需要在從L波段以下到Ka波段以上的任何頻率下工作。8.5 至 11 GHz X 頻段正迅速成為主導(dǎo)頻率范圍，可用于海上導(dǎo)...
考慮到功率對雷達(dá)探測距離的重要性，工程師可能會完全專注于在尺寸限制內(nèi)盡可能多地提升功率 — 通過使用 Wolfspeed 最新的 GaN 技術(shù)獲取最高的...
本文我們將重點介紹第三代半導(dǎo)體中的碳化硅（SiC），與下文氮化鎵（GaN）的形式統(tǒng)一如何助力軌道交通完成“碳達(dá)峰”目標(biāo)，并為大家推薦貿(mào)澤電子在售的領(lǐng)先的...
SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產(chǎn)品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，G...
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁...
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