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gan技術

探討GAN背后的數(shù)學原理（下）

GAN的風暴席卷了整個深度學習圈子，任何任務似乎套上GAN的殼子，立馬就變得高大上了起來。那么，GAN究竟是什么呢？ **GAN的主要應用目標：*...

2023-03-17 標簽：GaN 生成器深度學習 1.2k 0

探討GAN背后的數(shù)學原理（上）

GAN的風暴席卷了整個深度學習圈子，任何任務似乎套上GAN的殼子，立馬就變得高大上了起來。那么，GAN究竟是什么呢？ **GAN的主要應用目標：*...

2023-03-17 標簽：GaN 生成器深度學習 935 0

使用HRPWM的注意事項

隨著新能源領域的發(fā)展, 在數(shù)字電源控制系統(tǒng)中要求功率密度高且轉(zhuǎn)換效率高。其中,整機功率密度的提升，就需要提高開關頻率, 大部分現(xiàn)有產(chǎn)品的開關頻率在50k...

2023-03-14 標簽：電源 SiC GaN 2.9k 0

交流輸入功率因數(shù)的CrM PFC控制器芯片——MK2562系列

PFC是功率因數(shù)校正（Power Factor Correction）的縮寫，是一種電源管理技術，可以在交直流轉(zhuǎn)換（ACDC）時提高電源對市電的利用率。

2023-03-10 標簽：PFC PFC控制器 PWM控制器 4.2k 0

探索GaN-on-Si技術難點

GaN-on-Si LED技術是行業(yè)夢寐以求的技術。首先，硅是地殼含量第二的元素，物理和化學性能良好，在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%；

2023-03-10 標簽：led 氮化鎵 GaN 2.5k 0

基于矢量量化字典與雙解碼器的人臉盲修復網(wǎng)絡

盡管生成式面部先驗和結(jié)構(gòu)化面部先驗最近已經(jīng)證明了可以生成高質(zhì)量的人臉盲修復結(jié)果，穩(wěn)定、可靠生成更細粒度的臉部細節(jié)仍然是一個具有挑戰(zhàn)性的問題。

2023-03-08 標簽：解碼器 GaN 生成器 1.7k 0

如何集成GaN功率級以實現(xiàn)高效的電池供電BLDC電機推進系統(tǒng)

電池供電的應用，如協(xié)作機器人 (cobot)、電動自行車、工業(yè)無人機和電動工具等，都需要體積小、重量輕、功能強大的電機。無刷直流 (BLDC) 電機是一...

2023-03-07 標簽：電機控制 BLDC GaN 10k 0

二極管的特性及損耗分析

本文用于記錄二極管特性及損耗分析。

2023-03-08 標簽：二極管 SiC 損耗 1.2萬 0

為什么熱管理是5G設計中的熱門話題

5G 技術有望提供延遲小于 1 毫秒的無線通信、100 倍的網(wǎng)絡能效提升以及高達每秒 20 吉比特 (Gbit/s) 的數(shù)據(jù)速率。

2023-03-08 標簽：功率放大器 MIMO GaN 1.3k 0

ChatGPT核心技術：transformer的核心算法結(jié)構(gòu)

由于transformer是更高級的神經(jīng)網(wǎng)絡深度學習算法，對數(shù)據(jù)量有很高要求，這也催生了從小數(shù)據(jù)如何快速產(chǎn)生大數(shù)據(jù)的算法，比如GAN對抗網(wǎng)絡等。

2023-03-08 標簽：神經(jīng)網(wǎng)絡 GaN 深度學習 1.5k 0

一文讀懂全球碳化硅先驅(qū)GeneSiC

憑借領先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合，納微半導體以雙擎驅(qū)動的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領域高歌前進。

2023-02-27 標簽：MOSFET SiC 氮化鎵 795 0

幾個氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設計必須掌握的要點

本設計文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。 VDD 電容 VDD 引腳應有兩個盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶...

2023-02-27 標簽：PCB 驅(qū)動器氮化鎵 1.3k 0

性質(zhì)不同：靜態(tài)電流是沒有信號輸入時的電流，也就是器件本身在不受外部因素影響下的本身消耗電流。動態(tài)電流是把單位時間里通過導體任一橫截面的電量。

2023-02-25 標簽：GaN 靜態(tài)電流電源芯片 1.7k 0

氮化鎵納米線和氮化鎵材料的關系

氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學和機械性質(zhì)，因此受到了廣泛關注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導體材料，具有優(yōu)異的...

2023-02-25 標簽：氮化鎵 GaN LEDs 1.6k 0

Si/SiC和GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)比較！

碳化硅（SiC）技術改進了各種應用中的多個系統(tǒng)和子系統(tǒng)組件。與硅相比，碳化硅通過更快的開關、在整個溫度范圍內(nèi)的平坦RDS（on）和更好的體二極管性能表現(xiàn)...

2023-02-24 標簽：晶體管 SiC GaN 2.2k 0

一文詳解封裝互連技術

任何一個電子元件，不論是一個三極管還是一個集成電路（Integrated Circuit, IC），想要使用它，都需要把它連入電路里。一個三極管，只需要...

2023-02-23 標簽：集成電路三極管封裝 2.6k 0

基于GAN先驗的退化感知特征插值人臉修復網(wǎng)絡

人臉修復是一種典型的ill-posed問題、可逆圖像修復問題，其解不唯一且必存在。高度退化和多退化的場景下，高質(zhì)量的人臉修復明顯更具有挑戰(zhàn)性。

2023-02-23 標簽：編碼器 GaN 圖像編碼 1.9k 0

ICLR 2023 Spotlight：2D圖像轉(zhuǎn)換3D

本文提出的人體 NeRF 基于參數(shù)化人體模型 SMPL，它提供了方便的人體姿勢以及形狀的控制。進行 NeRF 建模時，如下圖所示，本文將人體分為 16 ...

2023-02-22 標簽：算法圖像 GaN 1.8k 0

平面磁件如何提高電力電子器件性能

本文解釋了平面磁件如何在效率、成本、空間要求以及散熱方面顯著改善電力電子器件的性能。閱讀本白皮書后，您應該對平面磁性技術的優(yōu)勢以及自動化工作流程如何輕松...

2023-02-22 標簽：意法半導體電力電子 SiC 2.1k 0

使用電源管理模塊有效控制GaN功率放大器的電源開關

眾所周知，因為 GaN PA 需要使用特定的偏置時序，所以在某些設計中，GaN 功率放大器的上電和下電可能會具有挑戰(zhàn)性。如果處理不當，可能會導致組件損壞...

2023-02-22 標簽：功率放大器電源管理 GaN 1.3k 0

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