GaN HEMT外延材料表征技術(shù)研究進展

氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有高擊穿電場強度和高熱導(dǎo)率 等優(yōu)異的物理特性，是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。...

2023-02-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 3.2k 0

氮化鎵GaN驅(qū)動器的PCB設(shè)計策略概要

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”） 功率開關(guān)。只...

2023-02-20 標(biāo)簽：pcb驅(qū)動器晶體管 1.3k 0

GaN IC設(shè)計系統(tǒng)級優(yōu)勢分析

數(shù)字 GaN 是使用 GaN IC 實現(xiàn)卓越性能的一個很有前途的選擇。這是一種顛覆性的數(shù)字控制方法。模擬信號塊不再“轉(zhuǎn)換”為數(shù)字信號塊。

2023-02-19 標(biāo)簽：MOSFET晶體管數(shù)字控制 991 0

氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù)

氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù) 作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件，氮化鎵應(yīng)用范圍非常廣泛，氮化鎵在數(shù)據(jù)中心，新能源汽車等領(lǐng)域都有運用。那么這么牛的氮化鎵技...

2023-02-16 標(biāo)簽：晶體氮化鎵GaN 6.2k 0

氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用

氮化鎵（GaN）是一種具有半導(dǎo)體特性的化合物，是由氮和鎵組成的一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，與碳化硅（SiC）并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。GaN具有更寬的“帶...

2023-02-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體化合物GaN 2.2k 0

氮化鎵材料具有哪些優(yōu)勢

　　以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體即寬帶隙半導(dǎo)體，具有高頻、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)異性能，滿足了節(jié)能減排等國家重大戰(zhàn)略需求，智...

2023-02-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 7.5k 0

氮化鎵屬于無機非金屬材料嗎

　　20世紀(jì)40年代后，傳統(tǒng)的鋁硅酸鹽材料被選為無機非金屬材料，與有機聚合物材料和金屬材料并列為三大材料之一。無機非金屬材料是由一些原始氮化合物和鹵素?zé)?..

2023-02-13 標(biāo)簽：氮化鎵GaN 5.8k 0

GaN的襯底類型及在5G通信中的應(yīng)用

　　氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，在上世紀(jì)90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用，多年來氮化鎵已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體研究的熱點，被稱為第三代半導(dǎo)體，它具有更...

2023-02-13 標(biāo)簽：CMOS半導(dǎo)體GaN 1.5k 0

采用GaN技術(shù)的充電器的優(yōu)點和缺點

　　氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，在上世紀(jì)90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用，多年來氮化鎵已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體研究的熱點，被稱為第三代半導(dǎo)體，它具有更...

2023-02-13 標(biāo)簽：放大器充電器晶體管 6.5k 0

第三代半導(dǎo)體GaN材料的應(yīng)用優(yōu)缺點

　　GaN功率電子器件具有較高的工作電壓、較高的開關(guān)頻率、較低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)點，能夠以極低的成本和較高的技術(shù)成熟度兼容硅基半導(dǎo)體集成電路工藝，在新一代高...

2023-02-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電子器件GaN 2.3k 0

氮化鎵半導(dǎo)體設(shè)備

按晶圓尺寸計算，GaN半導(dǎo)體器件市場的6英寸及以上GaN晶圓部分預(yù)計在預(yù)測期內(nèi)將錄得更高的復(fù)合年增長率。此尺寸范圍的晶圓使制造商能夠提高生產(chǎn)力并在單個批...

2023-02-12 標(biāo)簽：晶圓GaN半導(dǎo)體器件 792 0