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      gan資訊

      GaN濺射技術(shù)進展

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      氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢

      2023-12-28 標簽：MOSFET氮化鎵GaN 1.5k 0

      基于外延層殘余應(yīng)變調(diào)控的InGaN基紅光LED器件

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      III族氮化物半導(dǎo)體可用于固態(tài)照明、電源和射頻設(shè)備的節(jié)能。

      2023-12-28 標簽：OLED發(fā)光二極管LED器件 2.4k 0

      Transphorm：氮化鎵應(yīng)用進一步擴展，2024年下半年半導(dǎo)體市場將回暖

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      正值歲末年初之際，回顧過去的2023年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體處于下行周期，各大應(yīng)用領(lǐng)域的市場表現(xiàn)并不理想。那么復(fù)盤2023年的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)狀況，能夠發(fā)現(xiàn)哪些細分...

      2023-12-27 標簽：氮化鎵GaN 1.4k 0

      華大半導(dǎo)體旗下中電化合物榮獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎”

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      近期，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)知名媒體與產(chǎn)業(yè)研究機構(gòu)“行家說三代半”主辦的“2023年行家極光獎”頒獎典禮在深圳正式拉開帷幕，數(shù)家SiC&GaN企業(yè)代...

      2023-12-27 標簽：半導(dǎo)體SiCGaN 1.1k 0

      低成本垂直GaN功率器件研究

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      隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。

      2023-12-27 標簽：功率器件GaN電流電壓 2k 0

      CGD徐維利：生成式AI需求驟升，第三代半導(dǎo)體成關(guān)鍵

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      又到歲末年初時，電子發(fā)燒友網(wǎng)策劃《2024半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題，收到了數(shù)十位國內(nèi)外創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點。此次電子發(fā)燒友網(wǎng)特別采訪了CGD亞太區(qū)FA...

      2023-12-26 標簽：GaNCGD第三代半導(dǎo)體 4.0萬 0

      如何利用單根GaN納米柱實現(xiàn)低功耗的微型人工突觸器件呢？

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      近年來，人工智能、大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)對數(shù)據(jù)處理的速度和效率有更高的要求，而傳統(tǒng)計算系統(tǒng)由于存儲和計算結(jié)構(gòu)的分離，其在處理數(shù)據(jù)密集型任務(wù)和人工智能任務(wù)時面臨著...

      2023-12-26 標簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)物聯(lián)網(wǎng)人工智能 1.6k 0

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      2023-12-24 標簽：電動汽車電源模塊SiC 1.9k 0

      針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

      GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應(yīng)管，采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術(shù)，開創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅夾片封裝相...

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      劉士進 jf_38010428 jf_78150839 過過小日子 kdhaha jf_30061372 jf_75715919 書銘永恒 張偉_81592513 鄒廣田 jf_37200696 gp601

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