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意法半導體推出下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片

2023年12月15日,中國-意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片,利用寬...

2023-12-15 標簽:轉(zhuǎn)換器意法半導體晶體管 1.8k 0

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12月11日,外媒消息,韓國首爾國立大學與成均館大學的研究團隊聯(lián)合開發(fā)了一種在石墨烯層上生長柔性GaN LED陣列的方法,通過該技術(shù)研究團隊生長出了LE...

2023-12-13 標簽:LED技術(shù)LED芯片GaN 1.4k 0

安世半導體宣布推出新款GaN FET器件

基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出新款 GaN FET 器件,該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和...

2023-12-13 標簽:半導體FETGaN 1.8k 0

晶湛半導體完成數(shù)億元C+輪融資

據(jù)晶湛半導體消息,晶湛半導體業(yè)界公認的硅氮化鎵(e -on-si)外延技術(shù)開拓者程凱博士將于2012年3月回國創(chuàng)業(yè)。國際先進的氮化鎵外延材料開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地

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近日,第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS)&第二十屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA)于廈門召開。期間,“氮化鎵功率電子器件技術(shù)分論壇...

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GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件,具有很高的電子遷移率、大的電子飽...

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2023-12-05 標簽:射頻氮化鎵GaN 2.2k 0

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德州儀器 (TI) 今日發(fā)布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品,可助力提高功率密度,大幅提升系統(tǒng)效率,同時縮小交流/直流消費類電力電子產(chǎn)品和工業(yè)系統(tǒng)的尺...

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     hbt為深圳市先亞進出口有限公司旗下所設的企業(yè)展示主站與銷售平臺網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”,中文名為“合寶堂”。什么是 HBT(heterojunction bipolar transistor)一種由砷化鎵(GaAs)層和鋁鎵砷(AlGaAs)層構(gòu)成的雙極晶體管。

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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計 溫度傳感器 壓力傳感器
電機驅(qū)動器 步進驅(qū)動器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動器 濕度傳感器 光學傳感器 圖像傳感器
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5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語音識別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護電路 看門狗
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