CHA7062-QCB高功率放大器

UMS?CHA7062-QCB是款兩級(jí)單片GaN功率放大器，在13-20GHz工作頻段內(nèi)展現(xiàn)5W飽和狀態(tài)輸出功率。 CHA7062-QCB具備17%的功...

2023-02-17 標(biāo)簽：放大器GaN 585 0

淺談SiC 和 GaN 的未來發(fā)展路線

SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達(dá)1 MHz的頻率下進(jìn)行開關(guān)，其電壓和電流水平遠(yuǎn)高于硅MOSFET。

2023-02-06 標(biāo)簽：SiCGaNGaN晶體管 1.4k 0

氮化鎵對(duì)比普通充電器有哪些優(yōu)勢(shì)

氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體發(fā)光二極管激光二極管 3k 0

第三代半導(dǎo)體材料與傳統(tǒng)硅材料相比，有什么優(yōu)勢(shì)

　　隨著碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等新材料在二極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和其他元件中的不斷應(yīng)用，電力電子行業(yè)的技術(shù)革命已經(jīng)開始。這些新組...

2023-02-05 標(biāo)簽：MOSFETSiCGaN 3.6k 0

SiC和GaN功率電子器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

　　隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉(zhuǎn)向非常規(guī)半導(dǎo)體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對(duì)...

2023-02-05 標(biāo)簽：RFSiCGaN 1.9k 0

Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管可靠性指標(biāo)

Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管可靠性指標(biāo) 日前，高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm， Inc...

2023-02-03 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管FET氮化鎵 3.2k 0

納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品NSD2621和NSG65N15K

納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品，包含GaN驅(qū)動(dòng)NSD2621與集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K，均可廣泛適用于快充、儲(chǔ)能、服務(wù)器電源等...

2023-02-01 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器GaN開關(guān)管 2.8k 0

CGHV60040D?L波段功率放大器

Wolfspeed的CGHV60040D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較，GaN具備優(yōu)異的性能參數(shù)。包括相對(duì)較高的...

2023-02-01 標(biāo)簽：放大器晶體管GaN 509 0

CHA8312-99F?X波段高功率放大器UMS

UMS的CHA8312-99F是款8-12GHz頻率段的二級(jí)GaN大功率放大器。CHA8312-99F一般提供與50%的功率額外效率相關(guān)聯(lián)的17W輸出功...

2023-01-30 標(biāo)簽：放大器GaNUMS 716 0

CGH60030D L波段功率放大器介紹

Wolfspeed的CGH60030D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較，GaN具備更優(yōu)越產(chǎn)品性能；包括更高擊穿場(chǎng)強(qiáng)...

2023-01-30 標(biāo)簽：放大器GaN 718 0

GaN紫外傳感器的6中類型介紹

氮化鎵（GaN）是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，禁帶寬度為3.4eV，對(duì)應(yīng)截至波長(zhǎng)365nm，對(duì)可見光無響應(yīng)，克服了硅基紫外傳感器對(duì)可見光有強(qiáng)烈響應(yīng)，且紫外靈...

2023-01-12 標(biāo)簽：傳感器氮化鎵GaN 1.5k 0

GAN：生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò) Generative Adversarial Networks

原文鏈接 1 原理 對(duì)于生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)GAN，一個(gè)簡(jiǎn)單的理解是可以將其看做博弈的過程，我們可以將生成模型和判別模型看作博弈的雙方，比如在犯罪分子造假幣和警...

2023-01-12 標(biāo)簽：神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GaN函數(shù) 1.5k 0

垂直GaN獲得重大突破，旨在取代SiC

CEO進(jìn)一步指出，產(chǎn)品樣品制造的完成鞏固了 Odyssey 作為功率應(yīng)用垂直 GaN 技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。它需要我們的重要知識(shí)產(chǎn)權(quán)來制造適用于客戶用例的產(chǎn)品。

2023-01-11 標(biāo)簽：SiCGaN半導(dǎo)體器件 1.3k 0

實(shí)至名歸，安世半導(dǎo)體斬獲2022行家極光獎(jiǎng)兩項(xiàng)大獎(jiǎng)！

2022年行家說全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇，暨2022行家極光獎(jiǎng)（2022 Hangjia Aurora Award）頒獎(jiǎng)晚宴在深圳順利舉辦。Ne...

2023-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件GaN 2.6k 0