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GaN-on-Si 大功率 LED 芯片技術(shù)如何改變燈具設(shè)計(jì)

微反射器和預(yù)聚焦 LED 制造工藝顯著節(jié)省空間

2022-08-24 標(biāo)簽：led 芯片大功率 1.7k 0

晶能光電硅襯底氮化鎵技術(shù)助力MicroLED產(chǎn)業(yè)化

Micro LED被譽(yù)為新時代顯示技術(shù)，但目前仍面臨關(guān)鍵技術(shù)、良率、和成本的挑戰(zhàn)。微米級的Micro LED已經(jīng)脫離了常規(guī)LED工藝，邁入類IC制程。...

2022-08-17 標(biāo)簽：led GaN 硅襯底 1.8k 0

5G無線電中功率放大器的變化

　　5G 功率放大器的其他候選者包括氮化鎵（GaN）和硅鍺（SiGe）。GaN 技術(shù)通過促進(jìn)具有更高容量和熱效率的多個數(shù)據(jù)流的傳輸來增強(qiáng) PA 性...

2022-08-10 標(biāo)簽：放大器晶體管 GaN 1.4k 0

APEC的增長反映了電力行業(yè)的健康

作者：Alix Paultre，特約編輯今年在德克薩斯州圣安東尼奧（加利福尼亞州阿納海姆，明年）舉行的應(yīng)用電力電子會議 (APEC) 比上屆規(guī)模更大，...

2022-08-12 標(biāo)簽：APEC GaN 電池 838 0

研究人員找到了一種更好的方法來冷卻 GaN 器件

佐治亞理工學(xué)院的研究人員開發(fā)了一種新的鍵合技術(shù)，可以改善 GaN 器件的冷卻效果，從而轉(zhuǎn)化為各種應(yīng)用的更好性能，包括無線發(fā)射器、雷達(dá)和衛(wèi)星設(shè)備

2022-08-17 標(biāo)簽：功率 GaN 器件 886 0

GaN 和 SiC 功率器件為軍用/航空系統(tǒng)帶來巨大優(yōu)勢

WBG 半導(dǎo)體提供比硅基器件高 10 倍的功率密度

2022-08-17 標(biāo)簽：SiC GaN 航空航天 3.5k 0

使用 WBG 半導(dǎo)體進(jìn)行設(shè)計(jì)需要一些額外的專業(yè)知識

電磁干擾、并聯(lián)、布局都是工程師懂的東西，但是從硅基芯片過渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r，就需要多注意這些問題了

2022-08-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC GaN 1.3k 0

EV 動力總成系統(tǒng)利用 WBG 器件提高能效

為動力總成系統(tǒng)尋找高效功率轉(zhuǎn)換解決方案的 EV/HEV 制造商正在通過 WBG 半導(dǎo)體獲得性能提升。

2022-08-18 標(biāo)簽：電動汽車半導(dǎo)體 SiC 1.6k 0

電動汽車能否成為GaN應(yīng)用的未來

在電力電子應(yīng)用中，為了滿足更高能效和更高開關(guān)頻率的要求，功率密度正在成為關(guān)鍵的指標(biāo)之一。

2022-08-10 標(biāo)簽：電動汽車逆變器 SiC 2.5k 0

用于基于GaN的器件的高性能熱解決方案

大多數(shù)高密度功率轉(zhuǎn)換器的限制因素是結(jié)溫，這促使需要更有效的熱設(shè)計(jì)。eGaN FET 和 IC 的芯片級封裝提供六面冷卻，從管芯的底部、頂部和側(cè)面充分散熱...

2022-08-09 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器散熱器 GaN 2.7k 0

高密度GaN基功率級的熱設(shè)計(jì)

由于 eGaN FET 和 IC 具有緊湊的尺寸、超快速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻，因此能夠?qū)崿F(xiàn)非常高密度的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。大多數(shù)高密度轉(zhuǎn)換器中輸出功率的限制因素...

2022-08-09 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器散熱器 GaN 1.7k 0

用于GaN MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器

隔離設(shè)備是一種集成電路，允許在高低壓單元之間傳輸數(shù)據(jù)和能量，防止來自網(wǎng)絡(luò)的危險(xiǎn)或不受控制的瞬態(tài)電流的存在。目標(biāo)是通過提高電源效率和增加功率傳輸速率（也稱...

2022-08-09 標(biāo)簽：MOSFET GaN 柵極驅(qū)動器 3.2k 0

用于電動機(jī)的GaN器件

考慮在 ≥ 40 kHz 的開關(guān)頻率下運(yùn)行的硅基功率器件。在這些條件下，開關(guān)損耗大于傳導(dǎo)損耗，對總功率損耗產(chǎn)生連鎖效應(yīng)。散發(fā)產(chǎn)生的多余熱量需要散熱器，從...

2022-08-08 標(biāo)簽：電動機(jī)晶體管 GaN 1.7k 0

寬帶隙半導(dǎo)體為通向太空鋪平道路

自硅問世以來，寬帶隙半導(dǎo)體，如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，已被證明是電力電子領(lǐng)域最有前途的材料。與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比，這些材料具有多個優(yōu)勢...

2022-08-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 GaN 寬帶隙半導(dǎo)體 2.1k 0

為電源管理鋪平道路

氮化鎵 (GaN)是一種寬帶半導(dǎo)體材料 (WBG)，與硅一樣，它可用于制造二極管和晶體管等半導(dǎo)體器件。電源設(shè)計(jì)人員會選擇 GaN 晶體管而不是硅，因?yàn)樗?..

2022-08-08 標(biāo)簽：電源管理晶體管降壓轉(zhuǎn)換器 902 0

碳化硅和氮化鎵的區(qū)別

經(jīng)典電力電子設(shè)備中使用的所有類型的器件都可以使用 WBG 器件制造。此外，經(jīng)典的硅器件在許多應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到了極限。鑒于這些前提，很明顯 WBG 技術(shù)是...

2022-08-08 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 碳化硅 2.2萬 0

用于下一代功率器件的金剛石基 GaN

由佐治亞理工學(xué)院機(jī)械工程學(xué)院領(lǐng)導(dǎo)的一個團(tuán)隊(duì)實(shí)施了一系列基于室溫表面活化鍵合（SAB）的結(jié)果，以鍵合具有不同夾層厚度的 GaN 和單晶金剛石。新開發(fā)的技術(shù)...

2022-08-08 標(biāo)簽：工業(yè)功率器件 GaN 3.3k 0

GaN 增長因效率提升而呈爆炸式增長

電力電子系統(tǒng)的性能發(fā)生了重大轉(zhuǎn)變，它由比硅 MOSFET 和 IGBT 更快、更小的 GaN 晶體管驅(qū)動。GaN 的性能表明效率和功率密度得到了顯著提高...

2022-08-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 GaN 效率 1.6k 0

碳化硅在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用挑戰(zhàn)

碳化硅是一種非常高效的材料，具有高功率和高溫特性。碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體是提高系統(tǒng)效率、支持更高工作溫度和降低電力電子設(shè)計(jì)成本的創(chuàng)新選擇。碳化硅是...

2022-08-08 標(biāo)簽：電力電子 GaN 碳化硅 2.8k 0

用于新型電力電子設(shè)備的垂直GaN器件

GaN 是一種高帶隙材料，與硅相比，它允許器件在更高的溫度下運(yùn)行并承受更高的電壓。此外，GaN 更高的介電擊穿允許構(gòu)建更薄且因此電阻更低的器件。較低的特...

2022-08-08 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器開關(guān)電源電力電子 2.8k 0

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藍(lán)牙5

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
Qorvo

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5G手機(jī)

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
TWS

TWS

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自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍(lán)牙耳機(jī)開始大行其道。
智慧家庭

智慧家庭

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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
智能工業(yè)

智能工業(yè)

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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計(jì)算模式、移動通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
Keysight

Keysight

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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測量公司，通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測量體驗(yàn)。
AD9361

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nRF52832

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無線收發(fā)模塊

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無線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ?。JF24D的傳輸速率為1M，具有81個通道可任意設(shè)置而互不干擾?？稍趽頂D的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
太赫茲

太赫茲

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太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國家安全提供了一個非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
三星公司

三星公司

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三星集團(tuán)是韓國最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個國家和地區(qū)建立了近300個法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
藍(lán)牙5.0

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藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
Elektron

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樂鑫

樂鑫

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樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級芯片，提供移動通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
WiGig

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WiGig（Wireless Gigabit，無線千兆比特）是一種更快的短距離無線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
lorawan

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LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來說LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
KeyStone

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5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長為1毫米到10毫米，波動頻率為30GHz-300GHz。相對于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢，可滿足未來無線通信對系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
802.11ax

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JN5168

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ZigBee3.0

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貼片天線

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射頻元件

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無線設(shè)備

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無線設(shè)備一般指無線電通信設(shè)備艦艇上利用無線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
LoRa技術(shù)

LoRa技術(shù)

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LoRa是一種線性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠(yuǎn)距離無線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個垂直行業(yè)中。
LTE-Advanced

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超外差接收機(jī)

超外差接收機(jī)

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　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號混頻，將輸入信號頻率變換為某個預(yù)先確定的頻率的方法。
藍(lán)牙m(xù)esh

藍(lán)牙m(xù)esh

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藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無中心、無路由的對等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢。
HBT

HBT

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　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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