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gan資訊

氮化鎵充電器電源方案的特點(diǎn)是怎樣的

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隨著氮化鎵GaN市場的火爆,有很多做充電器的工廠在尋找氮化鎵充電器方案;市面上雖然已有多款氮化鎵充電器在銷售,但是提供GaN方案設(shè)計(jì)的廠商確不多,并且存...

2022-06-02 標(biāo)簽:充電器GaN 4.2k 0

混合酸溶液和熔融KOH中蝕刻的GaN薄膜

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本文介紹了我們?nèi)A林科納采用混合酸溶液(H3PO4 : H2SO4 = 1 : 3)和熔融KOH作為濕法腐蝕介質(zhì),鹽酸作為陽極腐蝕介質(zhì),用掃描電鏡和透射電...

2022-05-27 標(biāo)簽:薄膜蝕刻GaN 1.2k 0

新開發(fā)了一種GaN襯底減薄技術(shù)——激光減薄技術(shù)

而此次他們通過實(shí)驗(yàn)證明,該技術(shù)同樣適用于GaN-on-GaN HEMT器件制造,即在器件制造之后采用激光工藝進(jìn)行減薄,該技術(shù)可顯著降低 GaN 襯底的消耗。

2022-05-12 標(biāo)簽:晶體功率器件GaN 5.9k 0

ST和Exagan加速GaN的大規(guī)模采用

  通過與 Exagan 的集成,ST 將擁有市場上最強(qiáng)大的 GaN IP 產(chǎn)品組合,因?yàn)槲覀儗⒛軌蛲瑫r(shí)提供 E 模式和 D 模式 GaN 產(chǎn)品,從而為...

2022-05-11 標(biāo)簽:電感器晶體管GaN 1.8k 0

納微NV613x和NV615x系列額定電壓已升級(jí)到700V,實(shí)現(xiàn)更高效率和可靠性

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圖片 ? 采用 GaNSense? 技術(shù)的700V額定電壓GaNFast?智能氮化鎵功率芯片可實(shí)現(xiàn)更高的效率和可靠性 ? 圖片 ? 氮化鎵 (GaN) ...

2022-05-05 標(biāo)簽:氮化鎵GaN功率芯片 3.2k 0

基于GaN光學(xué)芯片的高度集成、微型化、低成本光學(xué)顯微傳感系統(tǒng)

目前主流商業(yè)化的無標(biāo)記活細(xì)胞監(jiān)測技術(shù)以電阻抗測量為基礎(chǔ)的微電子傳感技術(shù)為代表,該技術(shù)利用活細(xì)胞與檢測板孔中微電極相互作用,產(chǎn)生電阻抗的改變來定量活細(xì)胞狀...

2022-04-29 標(biāo)簽:GaN傳感系統(tǒng)光學(xué)芯片 2.5k 0

一文詳解GaN氮化鎵電源技術(shù)

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第一代半導(dǎo)體材料:主要指Si、Ge元素為主的半導(dǎo)體,它們是半導(dǎo)體分立器件、集成電路和太陽能電池的基礎(chǔ)材料。

2022-04-28 標(biāo)簽:MOSFET電源技術(shù)氮化鎵 6.2k 0

基于LMG5200 GaN器件的負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換電源參考設(shè)計(jì)

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2022-04-26 標(biāo)簽:電源GaN參考設(shè)計(jì) 3.5k 0

如何使用合成數(shù)據(jù)測試機(jī)器學(xué)習(xí)

當(dāng)數(shù)據(jù)點(diǎn)之間存在依賴關(guān)系時(shí),例如時(shí)間序列數(shù)據(jù)和文本分析,數(shù)據(jù)科學(xué)家會(huì)使用RNN(循環(huán)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)) 。LSTM(長期短期記憶)通過一系列重復(fù)模塊創(chuàng)建一種形式...

2022-04-25 標(biāo)簽:GaN機(jī)器學(xué)習(xí) 3.4k 0

通過GaN電源管理技術(shù)推動(dòng)電動(dòng)汽車的發(fā)展

  由于GaN和其他寬帶隙晶體管在結(jié)構(gòu)和材料上與硅設(shè)備有所差異,它們需要專門定制的測試指南以確保設(shè)備的可靠性。測試指南對(duì)于增強(qiáng)人們對(duì)GaN可靠性的信心以...

2022-04-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電源管理GaN 1.6k 0

第三代半導(dǎo)體概念及發(fā)展歷程

前言:【核芯觀察】是電子發(fā)燒友編輯部出品的深度系列專欄,目的是用最直觀的方式令讀者盡快理解電子產(chǎn)業(yè)鏈,理清上、中、下游的各個(gè)環(huán)節(jié),同時(shí)迅速了解各大細(xì)分環(huán)...

2022-04-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 2.4萬 0

GaN優(yōu)勢與多領(lǐng)域市場應(yīng)用

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GaN是一種III/V直接帶隙半導(dǎo)體,通常用于微波射頻、電力電子和光電子三大領(lǐng)域。受電信基礎(chǔ)設(shè)施和國防兩個(gè)方向應(yīng)用推動(dòng),加上衛(wèi)星通信、有線寬帶和射頻功率...

2022-04-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件GaN 3.3k 0

一文知道GaN和SiC區(qū)別

半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙,能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙(WBG)可以實(shí)現(xiàn)更高功率,更高開關(guān)速度的晶體管,WBG器件包括氮化鎵(GaN)和碳化...

2022-04-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 8.5k 0

快充市場持續(xù)爆發(fā) 廠商競爭激烈

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在GaN功率晶體管價(jià)格不斷下降(目前已逼近約1美元),以及技術(shù)方案愈趨成熟的態(tài)勢下,預(yù)估至2025年GaN在整體快充領(lǐng)域的市場滲透率將達(dá)52%。

2022-04-16 標(biāo)簽:電源適配器功率器件GaN 3.5k 0

UMS毫米波內(nèi)部匹配GAN功率晶體管

GaN材料是第三代半導(dǎo)體的典型代表,具備寬禁帶、高擊穿場強(qiáng)、高熱導(dǎo)率和高峰值電子漂移速度等優(yōu)質(zhì)性能。因此,GaN材料可以很好地滿足耐高溫、高頻率和功率大...

2022-04-14 標(biāo)簽:晶體管GaNUMS 841 0

擴(kuò)散模型在視頻領(lǐng)域表現(xiàn)如何?

在視頻生成領(lǐng)域,研究的一個(gè)重要里程碑是生成時(shí)間相干的高保真視頻。來自谷歌的研究者通過提出一個(gè)視頻生成擴(kuò)散模型來實(shí)現(xiàn)這一里程碑,顯示出非常有希望的初步結(jié)果...

2022-04-13 標(biāo)簽:視頻GaN模型 2.5k 0

什么是GaN,為什么它如此重要?

氮化鎵(GaN)由原子序數(shù)31的鎵和原子序數(shù)7的氮結(jié)合而成,是一種具有堅(jiān)硬的六角形晶體結(jié)構(gòu)的寬帶隙半導(dǎo)體材料。帶隙是將電子從圍繞原子核的軌道上釋放出來所需的能量

2022-04-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體數(shù)據(jù)中心GaN 8k 0

意法半導(dǎo)體發(fā)布50W GaN功率變換器,面向高能效消費(fèi)及工業(yè)級(jí)電源設(shè)計(jì)

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2022 年 4 月 7 日,中國——意法半導(dǎo)體 VIPerGaN50能夠簡化最高50 W的單開關(guān)反激式功率變換器設(shè)計(jì),并集成一個(gè) 650V 氮化鎵 (...

2022-04-07 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)變換器意法半導(dǎo)體 8.3k 0

EditGAN圖像編輯框架將影響未來幾代GAN的發(fā)展

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  此外, EditGAN 框架可能會(huì)影響未來幾代 GAN 的發(fā)展。雖然當(dāng)前版本的 EditGAN 側(cè)重于圖像編輯,但類似的方法也可能用于編輯 3D 形...

2022-04-06 標(biāo)簽:NVIDIA人工智能GaN 2.2k 0

SiC產(chǎn)業(yè)市場格局與發(fā)展現(xiàn)狀分析

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/程文智)這幾年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展得如火如荼,GaN器件在快充等消費(fèi)類電子領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,碳化硅(SiC)器件則被汽車電子廠...

2022-03-15 標(biāo)簽:晶圓SiCGaN 3.6k 0

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    藍(lán)牙5
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  • Qorvo
    Qorvo
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  • 5G手機(jī)
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    5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù),相對(duì)4G而言,網(wǎng)速更快;5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī),5G手機(jī)有更快的傳輸速度,低時(shí)延,通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù),擁有更精準(zhǔn)的定位。
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    自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場得到迅猛發(fā)展,藍(lán)牙耳機(jī)種類也層出不窮,TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接,一經(jīng)面世TWS無線藍(lán)牙耳機(jī)開始大行其道。
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    智慧家庭是智慧城市的最小單元,是以家庭為載體,以家庭成員之間的親情為紐帶,結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù),實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
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    是德科技公司(Keysight,NYSE:KEYS)是全球領(lǐng)先的電子測量公司,通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新,為您提供全新的測量體驗(yàn)。
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  • Elektron
    Elektron
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    樂鑫
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    樂鑫信息科技(上海)有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū),是一家先進(jìn)、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司,致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級(jí)芯片,提供移動(dòng)通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
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    WiGig
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    WiGig(Wireless Gigabit,無線千兆比特)是一種更快的短距離無線技術(shù),可用于在家中快速傳輸大型文件。
  • lorawan
    lorawan
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    LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu),如果按協(xié)議分層來說LoRaWAN就是MAC層,LoRa是物理層。
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    KeyStone
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  • 5G毫米波
    5G毫米波
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  • JN5168
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  • 無線設(shè)備
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    +關(guān)注
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      超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻,將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
  • 藍(lán)牙m(xù)esh
    藍(lán)牙m(xù)esh
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  • HBT
    HBT
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     hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡稱。英文全稱為“herbtown”,中文名為“合寶堂”。什么是 HBT(heterojunction bipolar transistor)一種由砷化鎵(GaAs)層和鋁鎵砷(AlGaAs)層構(gòu)成的雙極晶體管。
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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