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氮化鋁單晶的濕法化學蝕刻

氮化鎵因其獨特的性質和在光電和微電子器件中的潛在應用而引起了廣泛的興趣。然而，GaN異質外延層中高達108 cm-2的位錯密度縮短了GaN基器件的壽命。...

2022-02-21 標簽：蝕刻 GaN 電阻率 3.3k 0

Qorvo 2021年在線設計峰會匯總

早前，Qorvo 舉辦了一系列的設計峰會，通過這一系列峰會，可將您與我們的市場和產(chǎn)品專家聯(lián)系在一起，以幫助您提升應用水平。

2022-02-17 標簽：驅動器 GaN 5G 2.3k 0

通過紫外線輔助光蝕刻技術實現(xiàn)的濕式蝕刻

我們?nèi)A林科納使用K2S2O8作為氧化劑來表征基于KOH的紫外(UV)光輔助濕法蝕刻技術。該解決方案提供了良好控制的蝕刻速率，并產(chǎn)生了光滑的高質量蝕刻表面...

2022-02-14 標簽：晶體管蝕刻 GaN 1.2k 0

GaN HEMT概述/分類/結構/工作原理

氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導體器件的代表...

2022-02-10 標簽：半導體晶體管 GaN 3.1萬 0

冬奧會天氣預報人是真人嗎，GAN、模擬仿真、AI虛擬人？

2022-02-10 標簽：gpu AI GaN 859 0

目前GaN的產(chǎn)能有多大？

今天我們一起聊一聊GaN市場的產(chǎn)能情況。雖然近三年來，GaN的投資項目遍地開花，有很多在建項目，但真正能給市場提供產(chǎn)品的工廠并不多。

2022-02-10 標簽：半導體 GaN 第三代半導體 5.9k 0

GaN功率器件的兩種技術路線對比

這幾年第三代半導體異常火熱，國內(nèi)外很多半導體企業(yè)都涌入其中。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2020年，GaN功率器件市場規(guī)模為4600萬美元，相比2019年增長了...

2022-01-26 標簽：功率器件氮化鎵 GaN 7.4k 0

快充與新能源汽車市場推動GaN功率器件大發(fā)展

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/程文智)這幾年第三代半導體異?；馃?，國內(nèi)外很多半導體企業(yè)都涌入其中。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，2020年，GaN功率器件市場規(guī)模為460...

2022-01-26 標簽：半導體功率器件 GaN 2.3k 0

p-NiO插入終端結合MOS結構實現(xiàn)高性能GaN基SBD

依托先進的半導體TCAD仿真平臺，天津賽米卡爾科技有限公司技術團隊設計了一種具有p-NiO插入終端結合側壁MOS場板的混合式肖特基勢壘二極管結構（Hyb...

2022-01-25 標簽：MOS GaN 1.3k 0

回顧2021年國內(nèi)外氮化鎵產(chǎn)業(yè)的重大事件

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李誠)高頻、高功率密度、低損耗的氮化鎵突破了傳統(tǒng)硅材料的物理極限，成為了市場的寵兒。如今氮化鎵在消費類電子市場快速起量的同時，還在...

2022-01-20 標簽：氮化鎵 GaN 5G 3.5k 0

群雄逐鹿！2021 GaN產(chǎn)業(yè)熱門事件盤點

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李誠）高頻、高功率密度、低損耗的氮化鎵突破了傳統(tǒng)硅材料的物理極限，成為了市場的寵兒。如今氮化鎵在消費類電子市場快速起量的同時，還在...

2022-01-19 標簽：氮化鎵 GaN 硅基氮化鎵 3.4k 0

Transphorm的快速充電器和電源適配器用GaN器件

高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產(chǎn)品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布，該公司2021年12...

2022-01-16 標簽：充電器 FET 電源適配器 5.4k 0

朗迅科技承擔國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項

近日，朗迅科技參與國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項 ——?GaN基新型電力電子器件關鍵技術綜合績效評價會議，至此，該項目順利結題。 “戰(zhàn)略...

2022-01-07 標簽：電子器件 GaN 1.1k 0

GaN功率器件供應商聚能創(chuàng)芯與世強達成戰(zhàn)略合作

與Si元器件相比，GaN具有高擊穿電場強度、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的特點，可大幅提升器件與系統(tǒng)的功率密度、工作頻率與能量轉換效率，隨著5G通信...

2021-12-24 標簽：連接器功率器件 GaN 2.2k 0

第16屆“中國芯”-寬禁帶半導體助力碳中和發(fā)展峰會成功舉辦

大會同期舉辦了面向寬禁帶半導體領域的“寬禁帶半導體助力碳中和發(fā)展峰會”。峰會以“創(chuàng)新技術應用，推動后摩爾時代發(fā)展”為主題，邀請了英諾賽科科技有限公司、蘇...

2021-12-23 標簽：中國芯 SiC 氮化鎵 2.9k 0

華林科納----濕法蝕刻制造的GaN基藍色超輻射LED

隨著低擴展缺陷密度獨立氮化鎵基底的出現(xiàn)，在半極性和非極性晶體平面上生長的量子阱(QW)結構由于可以抑制或消除QCSE而引起了人們的關注。不平衡的雙軸平面...

2021-12-13 標簽：led led照明 GaN 3.1k 0

SiC和GaN功率器件能夠在電子界唱主角有什么原因

如今，越來越多的汽車制造商涉足電動汽車（EV）開發(fā)，但是電動汽車的駕程過短卻始終是個問題。盡管采用空氣動力學設計、更輕質的材料、更高效的功耗等方法確...

2021-12-03 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 3.1k 0

宏光半導體完成配售14,346,000股

配售事項所得款項凈額，經(jīng)扣除專業(yè)費用及其他相關開支后，約為8，620萬港元。集團擬將約6，430萬港元用于加強LED、MiniLED、快速電池充電、氮化...

2021-12-02 標簽：GaN 半導體行業(yè) 850 0

快充市場需求釋放，氮化鎵快充迎來新機遇

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李誠）繼蘋果之后，小米、華為、三星等手機大廠也紛紛響應環(huán)保的號召，宣布取消隨機附送的充電器。蘋果取消附送充電器的行為，不排除會有更...

2021-11-30 標簽：GaN 手機快充 3.9k 0

國內(nèi)家電市場年需電機超10億臺 BLDC電機滲透率有望持續(xù)提升

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/程文智）隨著高能效電機在汽車、農(nóng)業(yè)、空調和洗衣機等領域的廣泛使用，全球的電機市場得到了很大的增長。據(jù)MarketsandMarke...

2021-11-21 標簽：SiC GaN 寬禁帶半導體 3.2k 0

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藍牙5是藍牙技術聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發(fā)射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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自iphone7取消3.5mm插孔后藍牙耳機市場得到迅猛發(fā)展，藍牙耳機種類也層出不窮，TWS藍牙耳機兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍牙耳機開始大行其道。
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