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倍思Baseus 65W氮化鎵GaN充電器 帶給我的幾點(diǎn)啟示

19年12月份,購買了一款 明星產(chǎn)品:倍思的雙C+A口 65W 氮化鎵GaN充電器產(chǎn)品。 京東上售價(jià) 268 元; 購買的目的就是想看看 氮化鎵GaN ...

2020-03-16 標(biāo)簽:充電器氮化鎵GaN 6.4k 0

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在所有電力電子應(yīng)用中,功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一,這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限,設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵...

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化合物半導(dǎo)體GaN在8寸晶圓的發(fā)展備受矚目

在新型冠狀病毒疫情的影響下,已有部份晶圓代工廠調(diào)降對2020年市場成長性的預(yù)估,不過為把握5G、AI、車用與物聯(lián)網(wǎng)帶來的新興需求,晶圓代工廠仍持續(xù)進(jìn)行必...

2020-03-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓GaN 3.4k 0

能訊半導(dǎo)體基站發(fā)射系統(tǒng)發(fā)明專利揭秘

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該項(xiàng)專利中的基站發(fā)射系統(tǒng)可以形成多個(gè)射頻發(fā)射通道,覆蓋更寬的發(fā)射頻帶,更好的適應(yīng)5G基站建設(shè)場景。此外,由于輸入了動(dòng)態(tài)電壓,能夠充分發(fā)揮GaN射頻功率放...

2020-03-11 標(biāo)簽:基站GaN5G 2.9k 0

壓電極化效應(yīng)

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2020-03-10 標(biāo)簽:電極GaN晶格 1.3萬 1

倍思發(fā)布了一款支持65W快充的 GaN迷你快充旅行充電器

接口方面,倍思 GaN迷你快充旅行充電器共有兩個(gè)USB-C接口與一個(gè)USB-A接口。在單USB-C1輸出的情況下,它的最大功率可以達(dá)到65W。同等條件下...

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GaN是臺(tái)積電的下一個(gè)戰(zhàn)場 在車電商機(jī)未來可期

3 月 6 日訊,因應(yīng) 5G、電動(dòng)車時(shí)代來臨,對于高頻、高壓功率元件需求大增,帶動(dòng)氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬能隙半導(dǎo)體材料興起,全球晶圓代工...

2020-03-08 標(biāo)簽:臺(tái)積電GaN 2.6k 0

Qorvo?推出業(yè)內(nèi)最高性能的寬帶GaN 功率放大器

移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?, Inc.(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日推出全球性能最高的寬帶功率放大...

2020-03-03 標(biāo)簽:功率放大器GaNQorvo 1.5k 0

英特爾和Macom是射頻GaN-on-Si專利大戶

根據(jù)分析機(jī)構(gòu) Yole 的數(shù)據(jù)顯示,英特爾和 Macom 在射頻的GaN-on-Si 專利領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。

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小米GaN充電器65W高清圖集

2月13日,在小米10發(fā)布的同時(shí),小米還帶了了一款小米GaN充電器65W,體積小巧,手機(jī)、筆記本都能充,售價(jià)149元。

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氮化鎵市場火爆,誰能搭上這列快車

作為第三代半導(dǎo)體材料新星之一的氮化鎵(GaN),正在迅速燃爆市場。

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iPhone 12或使用Type-C口,蘋欲推出GaN充電器?

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GaN充電器或許將會(huì)成為手機(jī)廠商的新寵

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為何人類對變臉如此癡迷?人工智能易容術(shù)來了

近幾年,基于大量真實(shí)人臉數(shù)據(jù)的學(xué)習(xí),計(jì)算機(jī)習(xí)得高超的變臉能力,制作周期大為縮短,成本大幅降低。使用一臺(tái)個(gè)人電腦或者手機(jī),加上原始的照片、視頻素材和基本的...

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EASTWAY強(qiáng)力推出新型45W GaN墻充電源

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2020-03-28 標(biāo)簽:GaNUSB-PD 1.8k 0

人工智能技術(shù)之GAN算法的應(yīng)用

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Transphorm的GaN被用于AES供應(yīng)大型客機(jī)的最新電源

首家獲得JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證、具有最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm Inc.今天確認(rèn),其客戶AES ...

2019-12-19 標(biāo)簽:氮化鎵GaNAES 2k 0

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