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負(fù)責(zé)任地創(chuàng)新以應(yīng)對當(dāng)今的能源挑戰(zhàn)
我們這一代面臨的最大挑戰(zhàn)是對能源的需求不斷增長。在許多社會變革的推動下,全球人均用電量在過去 30 年中增長了 50%。我們家中的電器越來越多,所以家里...
來源:德州儀器 引言 隨著技術(shù)的迅速發(fā)展,人們對電源的需求亦在不斷攀升。為了可持續(xù)地推動這一發(fā)展,太陽能等可再生能源被越來越多地用于電網(wǎng)供電。同樣,為了...
GaN是轉(zhuǎn)換射頻能量其在烹飪中的應(yīng)用1
在上世紀(jì)70 年代早期,磁控管首先在微波爐中進(jìn)入了廣泛的商業(yè)應(yīng)用,但整個射頻能量市場的發(fā)展相對還比較緩慢。如今,已經(jīng)有了各種各樣的應(yīng)用,包括在工業(yè)和消費(fèi)...
芯導(dǎo)科技亮相2025半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展
9月4日,第十三屆半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展在無錫太湖國際博覽中心隆重開幕。本次展會以“半導(dǎo)體嘉年華”為主題,匯聚了全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游眾多企業(yè),共...
京東方華燦消費(fèi)類GaN功率器件通過1000H可靠性認(rèn)證
在GaN功率器件場景化爆發(fā)的關(guān)鍵窗口期,京東方華燦以消費(fèi)類GaN功率器件通過1000H可靠性為起點(diǎn),正式開啟“消費(fèi)級普及、工業(yè)級深化、車規(guī)級突破”的三級...
自主 GaN 功率 IC 提供高性能、可靠的電機(jī)驅(qū)動器?
歐盟大約有 80 億臺電動機(jī)在使用,消耗了歐盟生產(chǎn)的近 50% 的電力。 1 由于提高效率和減少碳足跡是政府和行業(yè)的主要目標(biāo),因此存在多項(xiàng)舉措來降低這些...
2022-07-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IC電機(jī)驅(qū)動 923 0
聚力創(chuàng)新動能,破局產(chǎn)業(yè)難題,領(lǐng)航技術(shù)前沿!近期深圳半導(dǎo)體與電源技術(shù)領(lǐng)域盛會密集,宏微科技攜旗下子公司上海宏微愛賽半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“宏微愛賽”)強(qiáng)...
2025-12-19 標(biāo)簽:GaN功率半導(dǎo)體宏微科技 923 0
芯干線邀您相約2025中國電源學(xué)會學(xué)術(shù)年會
2025年11月8-9日,第四屆中國電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會暨展覽會、中國電源學(xué)會第二十八屆學(xué)術(shù)年會將在深圳國際會展中心召開,各領(lǐng)域的新技術(shù)、新成果、新產(chǎn)...
安森美與英諾賽科達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議
安森美(onsemi)宣布已與英諾賽科(Innoscience)簽署諒解備忘錄,雙方將探索利用英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵(GaN)硅基工藝,以擴(kuò)大 ...
關(guān)于氮化鎵(GaN)衍生功率器件的可行性,人們一直在進(jìn)行無休止的猜測和相當(dāng)多的懷疑,但Dialog半導(dǎo)體認(rèn)為它已經(jīng)破解了它?;贕aN的功率器件具有...
氮化鎵 (GaN)是一種寬帶半導(dǎo)體材料 (WBG),與硅一樣,它可用于制造二極管和晶體管等半導(dǎo)體器件。電源設(shè)計人員會選擇 GaN 晶體管而不是硅,因?yàn)樗?..
2022-08-08 標(biāo)簽:電源管理晶體管降壓轉(zhuǎn)換器 910 0
EcoGaN?被臺達(dá)電子Innergie品牌的45W輸出AC適配器“C4 Duo”采用!
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)的650V GaN器件(EcoGaN?),被臺 達(dá)電子(Delta Electron...
GaN氮化鎵比硅更適用于高頻功率器件??梢燥@著降低功率損耗和散熱負(fù)載,在體積和功率密度方面具有明顯的優(yōu)勢。用于逆變器、穩(wěn)壓器、變壓器、無線充電等領(lǐng)域,可...
Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車規(guī)氮化鎵功率模塊達(dá)成合作
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布與國際著名的為汽車行業(yè)提供先進(jìn)電子器件的供應(yīng)商 KYOCERA AVX Comp...
浮思特 | 攻克GaN材料挑戰(zhàn):實(shí)現(xiàn)性能突破的關(guān)鍵
GaN技術(shù)正迎來其高光時刻——這絕非偶然。這種材料具備快速開關(guān)、低能耗和優(yōu)異熱性能等優(yōu)勢,完美契合當(dāng)今AI基礎(chǔ)設(shè)施、電動汽車平臺、可再生能源和工業(yè)控制等...
新一代功率器件將在2013年迎來技術(shù)大挑戰(zhàn)
SiC和GaN作為新一代的半導(dǎo)體功率器件,由于其開關(guān)高速、高頻工作和高溫工作燈特點(diǎn),受到了廣大關(guān)注。隨著鐵路和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用增加,在2013年,這兩款器件...
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