TI助力工程師進行工業(yè)系統(tǒng)創(chuàng)新

2017年5月8日，北京訊—近日，德州儀器（TI）發(fā)布了幾項創(chuàng)新的系統(tǒng)參考設(shè)計，包括公司最先進的模擬和嵌入式處理技術(shù)。TI Designs參考設(shè)計支持從...

2017-05-09 標(biāo)簽：tigan參考設(shè)計 1.6k 0

高壓氮化鎵的未來，您能想象得到嗎？

你可以想象有這樣一個世界，在這個世界中，你不需要建造這么多發(fā)電廠，來滿足不斷躥升的數(shù)字需求。在這個世界中，工業(yè)、企業(yè)計算、電信和可再生能源系統(tǒng)的運行速度...

2017-04-18 標(biāo)簽：氮化鎵GaNlmg3410 1.3k 0

ADI收購寬帶GaAs和GaN放大器專業(yè)公司OneTree Microdevices打造完整的電纜基礎(chǔ)設(shè)施解決方案

OneTree Microdevices的GaAs和GaN放大器具有業(yè)內(nèi)最佳的線性度、輸出功率和效率，收購該公司及產(chǎn)品組合后，使ADI公司能夠支持下一代...

2017-03-31 標(biāo)簽：放大器ADIGaN 1.3k 0

一文盤點2016年突破性LED相關(guān)技術(shù)　

2016年即將畫上句號，回顧LED行業(yè)一整年的發(fā)展，在諸多技術(shù)難題上獲得了喜人的突破。據(jù)在線君不完全統(tǒng)計，2016年到目前為止，LED行業(yè)獲得了十余項突...

2016-12-29 標(biāo)簽：LEDLED技術(shù)GaN 1.2k 0

氮化鎵組件2015年～2021年的市場增長率將達83%

由于氮化鎵鎖定中低功率應(yīng)用，其應(yīng)用市場規(guī)模要大于中高功率，因此Yole預(yù)估，氮化鎵組件2015年～2021年的成長率將達83%，其中電源供應(yīng)器將占相當(dāng)大...

2016-11-28 標(biāo)簽：新能源汽車SiC氮化鎵 1.9k 0

關(guān)于SiC和GaN的一些技術(shù)比較

臺達電技術(shù)長暨總經(jīng)理張育銘表示，以前電力電子的廠商其實不多，不過近期隨著碳化硅、氮化鎵的半導(dǎo)體元件越來越多，這部分的市場是值得期待的。另外，若以功率設(shè)備...

2016-10-26 標(biāo)簽：SiCGaN半導(dǎo)體芯片 1.0萬 0

Qorvo發(fā)布用于高級雷達系統(tǒng)的緊湊型GaN功率放大器

RF解決方案提供商Qorvo10月21日宣布，推出兩款全新的功率放大器（PA），包括可以在內(nèi)部匹配50Ω的行業(yè)首款500W L頻段PA和一款450W S...

2016-10-24 標(biāo)簽：功率放大器GaN雷達系統(tǒng) 2.4k 0

5G基站射頻市場：LDMOS開始下滑，GaN快速增長

4G和5G基站大功率RF市場格局目前正在發(fā)生變化：原有占主導(dǎo)地位的LDMOS RF元件市場份額開始下滑，而新興GaN RF元件市場份額開始快速增長。主要...

2016-09-02 標(biāo)簽：GaN5G基站射頻 3k 1

Qorvo：5G時代GaN更有優(yōu)勢 RF芯片良性增長

盡管未來 3～4 年全球智能手機出貨放緩，射頻芯片的出貨量仍會因頻譜和射頻器件數(shù)量的增加以 10～15% 的速度良性增長。7月14日，Qorvo 在山東...

2016-07-15 標(biāo)簽：GaN5GRF芯片 3.3k 0

MACOM引入全新300W塑封氮化鎵功率晶體管，實現(xiàn)射頻能量商業(yè)應(yīng)用質(zhì)的飛躍

“固態(tài)射頻能量技術(shù)具有從生活消費品到工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療系統(tǒng)及基礎(chǔ)設(shè)施的全方位優(yōu)勢，有望在未來撼動整個市場劃分?！盡ACOM市場部資深總監(jiān)Mark Murp...

2016-06-03 標(biāo)簽：氮化鎵GaNMACOM 2.6k 0

崛起的大陸功率半導(dǎo)體，日本如鯁在喉

　　功率半導(dǎo)體器件是日本的優(yōu)勢領(lǐng)域。如今在這個領(lǐng)域，中國的實力正在快速壯大。日本要想在這個領(lǐng)域繼續(xù)保持強大的競爭力，重要的是大力研發(fā)SiC、GaN、組裝...

2016-05-12 標(biāo)簽：功率器件SiCGaN 5k 0

安森美半導(dǎo)體推進更快、更智能和更高能效的GaN晶體管

　　氮化鎵（GaN）是一種新興的半導(dǎo)體工藝技術(shù)，提供超越硅的多種優(yōu)勢，被稱為第三代半導(dǎo)體材料，用于電源系統(tǒng)的設(shè)計如功率因數(shù)校正（PFC）、軟開關(guān)DC-D...

2016-04-28 標(biāo)簽：安森美晶體管GAN 1.2k 0

富士通電子轉(zhuǎn)型第一年 重拳立足汽車電子領(lǐng)域

富士通電子元器件產(chǎn)品管理部高級經(jīng)理蔡振宇強調(diào)，未來富士通會將能源汽車領(lǐng)域作為重點，并不斷擴展其業(yè)務(wù)，目前還涉及工業(yè)類、物聯(lián)網(wǎng)、電源管理方向，并逐漸往電子...

2016-03-25 標(biāo)簽：汽車電子GaNFRAM 2.2k 2

SiC/GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)值,2020年破10億美元

市場研究機構(gòu)IHS最新統(tǒng)計報告指出，隨著愈來愈多供應(yīng)商推出產(chǎn)品，2015年碳化矽（SiC）功率半導(dǎo)體平均銷售價格已明顯下滑，有望刺激市場加速采 用；與此...

2016-03-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiCGaN 1.9k 0

Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導(dǎo)體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)

更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運作頻率，分別適用在不同的應(yīng)用，對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動通訊基地臺，...

2015-11-22 標(biāo)簽：SiCGaNBulk Si 2k 0

Qorvo將GaN應(yīng)用于 Ka 波段以改善衛(wèi)星網(wǎng)絡(luò)

移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo， Inc.（納斯達克代碼：QRVO）日前宣布推出一款極具成本效益的高性能 K...

2015-09-17 標(biāo)簽：GaNQorvo 1.3k 0

高效率低能耗，SiC/GaN元件掀功率半導(dǎo)體革命熱潮

隨著全球節(jié)能環(huán)保意識抬頭，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始投入提高產(chǎn)品效率、降低功耗以及減少材料使用的技術(shù)開發(fā)，加上電動車、再生能源以及各種能源傳輸與轉(zhuǎn)換系統(tǒng)不斷要求高效...

2014-10-03 標(biāo)簽：功率器件SiCGaN 6.2k 1

安森美與Transphorm合作提供基于GaN的電源系統(tǒng)方案

2014年9月26日 – 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）與功率轉(zhuǎn)換專家Transpho...

2014-09-26 標(biāo)簽：GaN安森美公司Transphorm公司 1.4k 0