5個(gè)最近推出的用于圖像合成的GAN架構(gòu)

StyleGAN中的生成器自動(dòng)學(xué)習(xí)分離圖像的不同方面，而無需任何人為監(jiān)督，從而可以多種不同方式組合這些方面。例如，我們可以從一個(gè)人那里獲取性別，年齡，頭...

2019-03-18 標(biāo)簽：圖像GaN生成器 6.3k 0

GaN射頻應(yīng)用優(yōu)勢明顯，功率玩家厚積薄發(fā)

GaN中游我們可以將其分為器件設(shè) 計(jì)、晶圓制造、封裝測試三個(gè)部分。 作為化合物半導(dǎo)體的一類，與SiC類似，全球產(chǎn)能普遍集中在IDM廠商上，不過相比于Si...

2022-07-18 標(biāo)簽：射頻功率器件GaN 6.3k 0

GaN助力運(yùn)營商和基站OEM實(shí)現(xiàn)5G sub-6GHz和mmWave大規(guī)模MIMO

到2021年，估計(jì)全球會(huì)有更多的人擁有移動(dòng)電話(55億)，將超過用上自來水的人數(shù)(53億)。與此同時(shí)，帶寬緊張的視頻應(yīng)用將進(jìn)一步增加對移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)的需求，其...

2018-10-29 標(biāo)簽：GaN5G 6.3k 0

高效率低能耗，SiC/GaN元件掀功率半導(dǎo)體革命熱潮

隨著全球節(jié)能環(huán)保意識(shí)抬頭，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始投入提高產(chǎn)品效率、降低功耗以及減少材料使用的技術(shù)開發(fā)，加上電動(dòng)車、再生能源以及各種能源傳輸與轉(zhuǎn)換系統(tǒng)不斷要求高效...

2014-10-03 標(biāo)簽：功率器件SiCGaN 6.3k 1

復(fù)合年增長70%！GaN被快充帶火，用于數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車，未來市場無限可期

近幾年，第三代半導(dǎo)體GaN快速發(fā)展，根據(jù)襯底材料的不同，GaN主要分為幾類：Si基GaN，目前主要應(yīng)用在功率期間中，也逐漸被部分射頻器件采用；藍(lán)寶石襯底...

2021-06-16 標(biāo)簽：GaN快充 6.2k 0

蘇州鎵敏光電GaN紫外傳感器介紹

氮化鎵（GaN）是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，禁帶寬度為3.4eV，對應(yīng)截至波長365nm，對可見光無響應(yīng)，克服了硅基紫外傳感器對可見光有強(qiáng)烈響應(yīng)，且紫外靈...

2021-03-10 標(biāo)簽：傳感器氮化鎵GaN 6.2k 0

半導(dǎo)體材料的代表_GaN和SiC這幾大變化不得不看

雖然以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN) 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料由于面臨專利、成本等問題放緩了擴(kuò)張的步伐，但世易時(shí)移，新興市場為其應(yīng)用加速增添了新動(dòng)能。

2018-07-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiCGaN 6.2k 0

GaN芯片的制備工藝

GaN作為第三代半導(dǎo)體的典范正在被廣泛使用，就連電梯間也能看到快充品牌直接拿GaN做廣告語了。

2022-08-23 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體GaN 6.1k 0

意法半導(dǎo)體展示其在功率GaN方面的研發(fā)進(jìn)展

今年9月，意法半導(dǎo)體展示了其在功率GaN方面的研發(fā)進(jìn)展，并宣布將建設(shè)一條完全合格的生產(chǎn)線，包括GaN-on-Si異質(zhì)外延。

2018-12-18 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體GaN 6k 0

GaN 成實(shí)現(xiàn) 5G的關(guān)鍵技術(shù),Qorvo引領(lǐng)5G時(shí)代的三大優(yōu)勢

業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為GaN將取代傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料用于5G網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用，這項(xiàng)高效、寬帶隙、高功率密度、可靠的功率PA技術(shù)使網(wǎng)絡(luò)效率逐年大幅提高。如今

2019-04-03 標(biāo)簽：GaN5GQorvo 6k 0

新開發(fā)了一種GaN襯底減薄技術(shù)——激光減薄技術(shù)

而此次他們通過實(shí)驗(yàn)證明，該技術(shù)同樣適用于GaN-on-GaN HEMT器件制造，即在器件制造之后采用激光工藝進(jìn)行減薄，該技術(shù)可顯著降低 GaN 襯底的消耗。

2022-05-12 標(biāo)簽：晶體功率器件GaN 5.9k 0

目前GaN的產(chǎn)能有多大？

今天我們一起聊一聊GaN市場的產(chǎn)能情況。雖然近三年來，GaN的投資項(xiàng)目遍地開花，有很多在建項(xiàng)目，但真正能給市場提供產(chǎn)品的工廠并不多。

2022-02-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體GaN第三代半導(dǎo)體 5.9k 0

納微在中國開設(shè)GaNFast?研發(fā)中心以支持創(chuàng)新

納微（Navitas）今天宣布在杭州開設(shè)新的GaNFast研發(fā)中心，以幫助合作伙伴和客戶設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)先的電源轉(zhuǎn)換器；相比傳統(tǒng)的硅MOS管方案，這些新設(shè)計(jì)能...

2018-06-21 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器gan納微 5.9k 0

GaN使電子設(shè)備電子適配器變得更加強(qiáng)大，輕型和小型化

Dialog半導(dǎo)體公司將啟動(dòng)GaN進(jìn)入消費(fèi)者電源適配器市場。GaN使電子設(shè)備電子適配器變得更加強(qiáng)大，輕型和小型化。

2018-06-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體GaN 5.9k 0

IDM將成為全球首座8英寸GaN代工廠

從硅晶圓到8英寸晶圓代工報(bào)價(jià)調(diào)漲，世界先進(jìn)8英寸產(chǎn)能供需吃緊一路暢旺到年底，并積極擴(kuò)增氮化鎵（GaN）產(chǎn)能，已有國際IDM大廠看好電動(dòng)車產(chǎn)業(yè)后市，預(yù)先包...

2018-06-29 標(biāo)簽：ic晶圓gan 5.8k 0

一套基于GAN的驗(yàn)證碼AI識(shí)別系統(tǒng)，能在0.5秒之內(nèi)識(shí)別出驗(yàn)證碼

近日，英國蘭卡斯特大學(xué)、中國西北大學(xué)、北京大學(xué)的計(jì)算機(jī)科學(xué)家們共同開發(fā)了一種AI系統(tǒng)，能夠在短短0.5秒內(nèi)識(shí)別出多種驗(yàn)證碼。該系統(tǒng)已在不同的33個(gè)驗(yàn)證碼...

2018-12-16 標(biāo)簽：GAN識(shí)別系統(tǒng)圖像分類 5.8k 0

Abacus展示了一種用于深度學(xué)習(xí)的新方法的技術(shù)

與1月份的最后一次重大公告一樣，該公司還展示了一種用于深度學(xué)習(xí)的新方法的技術(shù)，在這種情況下，該公司提供了一種用于消除AI模型偏差的新技術(shù)。該軟件可以執(zhí)行...

2020-07-22 標(biāo)簽：AIGaNML 5.7k 0