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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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全部技術資訊資料帖子視頻產品方案企業(yè) IGBT選型

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IGBT主動散熱和被動散熱 | 氮化硼高導熱絕緣片

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2024-02-18 標簽：IGBT 晶體管功率半導體 3.3k 0

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2024-03-28 標簽：半導體 IGBT 功率模塊 3.3k 0

基于一種IGBT驅動電路的設計方案

　IGBT的概念是20世紀80年代初期提出的。IGBT具有復雜的集成結構，它的工作頻率可以遠高于雙極晶體管。IGBT已經成為功率半導體器件的主流。

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IGBT開關等效電路和開通波形電路

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7月16日，IGBT功率半導體項目簽約落戶嘉善縣開發(fā)區(qū)。嘉善縣領導徐鳴陽、鄭明、何全根、陸春浩參加簽約儀式。

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創(chuàng)新的IGBT內部封裝技術

創(chuàng)新的IGBT內部封裝技術英飛凌推出創(chuàng)新的IGBT內部封裝技術。該技術可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術可優(yōu)化IGBT模

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