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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt資訊

發(fā)展神速!薩科微半導(dǎo)體推出IGBT和電源管理芯片系列高端產(chǎn)品

發(fā)展神速!薩科微半導(dǎo)體推出IGBT和電源管理芯片系列高端產(chǎn)品

近年來薩科微半導(dǎo)體發(fā)展神速,在掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)的基礎(chǔ)上,薩科微slkor投入大量精力和資金,推出了IGBT和電源管理芯片等系列高端產(chǎn)品...

2023-07-31 標(biāo)簽:電源芯片IGBT 1.8k 0

直流穩(wěn)壓電源作用于IGBT老化試驗(yàn)

  什么是DC電源老化測(cè)試?通常是指開關(guān)電源長(zhǎng)期超負(fù)荷運(yùn)行。老化測(cè)試,也稱為烤機(jī)或老化機(jī),通??梢猿掷m(xù)24或48小時(shí),也可以持續(xù)1或0小時(shí),進(jìn)行嚴(yán)格的實(shí)...

2023-07-27 標(biāo)簽:穩(wěn)壓電源IGBT直流電源 1.1k 0

森國科推出大功率IGBT分立器件

森國科推出大功率IGBT分立器件

森國科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運(yùn)輸能力及低損耗的優(yōu)點(diǎn)。

2023-07-26 標(biāo)簽:MOSFETIGBT不間斷電源 1.1k 0

薩科微注重產(chǎn)品的配套和生態(tài)化布局,爭(zhēng)取最大可能滿足客戶的需求

薩科微注重產(chǎn)品的配套和生態(tài)化布局,爭(zhēng)取最大可能滿足客戶的需求

薩科微總經(jīng)理宋仕強(qiáng)(Huaqiangbei?Song?Shiqiang)先生說,薩科微SLKOR?的技術(shù)路線和新產(chǎn)品研發(fā)也按照互聯(lián)網(wǎng)的邏輯來布局?;ヂ?lián)網(wǎng)...

2023-07-27 標(biāo)簽:電子元器件天線ldo 777 0

8英寸晶圓半導(dǎo)體IGBT封測(cè)和模組項(xiàng)目將落地安徽黟縣

黟縣據(jù)公布的消息稱,黃山芯動(dòng)力投資基金合作協(xié)議的簽訂,黟縣總規(guī)模3億元的益山繼招商產(chǎn)業(yè)引導(dǎo)基金設(shè)立后,對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目投資的又一個(gè)“芯動(dòng)力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金...

2023-07-19 標(biāo)簽:模塊半導(dǎo)體IGBT 1.8k 0

Nexperia憑借600 V器件進(jìn)入IGBT市場(chǎng)

Nexperia憑借600 V器件進(jìn)入IGBT市場(chǎng)

除了這些新材料外,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)這一較老的技術(shù)在電力電子領(lǐng)域仍占有重要地位。本周,Nexperia首次進(jìn)入IGBT市場(chǎng),推出了一系列新的6...

2023-07-18 標(biāo)簽:IGBT晶體管碳化硅 1.4k 0

載流子注入增強(qiáng)型IGBT輸出特性研究

載流子注入增強(qiáng)型IGBT輸出特性研究

為進(jìn)一步改善IGBT導(dǎo)通飽和壓降和關(guān)斷損耗折中性能,可采用發(fā)射極載流子增強(qiáng)技術(shù)。

2023-07-14 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器IGBT晶體管 1.7k 0

最新IGBT現(xiàn)貨行情分析及預(yù)判

最新IGBT現(xiàn)貨行情分析及預(yù)判

根據(jù)這幾年IGBT領(lǐng)域龍頭廠商英飛凌的交期及訂單看,其去年IGBT訂單已處于超負(fù)荷接單狀態(tài),整體積壓訂單金額超過420億歐元,排單交期基本超一年以上,最...

2023-07-13 標(biāo)簽:新能源汽車mcuIGBT 2.6k 0

車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊主流散熱方式之一:平底散熱基板-導(dǎo)熱硅脂-液冷板

車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊主流散熱方式之一:平底散熱基板-導(dǎo)熱硅脂-液冷板

間接液冷散熱采用的是平底散熱基板,基板下面涂一層導(dǎo)熱硅脂,緊貼在液冷板上,液冷板內(nèi)通冷卻液,散熱路徑為:芯片-DBC基板-平底散熱基板-導(dǎo)熱硅脂-液冷板...

2023-07-12 標(biāo)簽:散熱器IGBT功率模塊 6k 0

中芯集成車規(guī)級(jí)IGBT芯片產(chǎn)能年底前將超過12萬片每月

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷脖环Q為電力電子裝置的“CPU”。它是新能源汽車必不可少的組件。新能源汽車通過電池驅(qū)動(dòng)電機(jī),從而提供動(dòng)能。電池充電和...

2023-07-12 標(biāo)簽:芯片新能源汽車IGBT 1.6k 0

K課堂丨超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)過程

K課堂丨超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)過程

超快恢復(fù)二極管是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間超短的半導(dǎo)體二極管,常用來給高頻逆變裝置的開關(guān)器件作續(xù)流、吸收、箝位、隔離、輸出和輸入整流器,使開關(guān)器件...

2023-07-08 標(biāo)簽:二極管整流器IGBT 3.2k 0

國產(chǎn)IGBT大豐收!IGBT國產(chǎn)化率提升至約30%-35%

國內(nèi)的IGBT廠商主要集中在中低壓市場(chǎng),如比亞迪半導(dǎo)體、士蘭微、揚(yáng)杰科技、新潔能、華微電子等,他們的產(chǎn)品主要應(yīng)用于1500V以下的IGBT市場(chǎng)。時(shí)代電氣...

2023-07-06 標(biāo)簽:英飛凌三菱IGBT 6.5k 0

全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模 芯達(dá)茂IGBT年出貨量已超千萬顆

全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模 芯達(dá)茂IGBT年出貨量已超千萬顆

與硅IGBT器件相比,碳化硅器件具有耐高壓、高速開關(guān)、低導(dǎo)通電阻、低損耗等眾多優(yōu)點(diǎn),使得其在電動(dòng)汽車、光伏和其他新能源產(chǎn)業(yè)應(yīng)用上極有優(yōu)勢(shì)。

2023-07-06 標(biāo)簽:新能源汽車變頻器IGBT 1.2k 0

薩科微,半導(dǎo)體“國產(chǎn)替代”大有可為

薩科微,半導(dǎo)體“國產(chǎn)替代”大有可為

薩科微半導(dǎo)體副總經(jīng)理和俊駒說,半導(dǎo)體“國產(chǎn)替代”大有可為,薩科微slkor研發(fā)生產(chǎn)的IGBT管、碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管的市場(chǎng)會(huì)越來越大!國產(chǎn)功率半導(dǎo)體已在眾多領(lǐng)...

2023-07-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT 1.3k 0

一文讀懂:IPM與IGBT模塊的工作原理和區(qū)別

一文讀懂:IPM與IGBT模塊的工作原理和區(qū)別

在現(xiàn)代電力電子技術(shù)領(lǐng)域,IPM(Intelligent Power Module)和IGBT(Insulated Gate Bipolar Transi...

2023-07-06 標(biāo)簽:IGBT半導(dǎo)體封裝IPM 1.2萬 0

安世半導(dǎo)體推出新款600 V單管IGBT

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia (安世半導(dǎo)體)今日宣布,將憑借600 V器件系列進(jìn)軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場(chǎng),而30A NG...

2023-07-05 標(biāo)簽:IGBT晶體管安世半導(dǎo)體 2.3k 0

工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中IGBT的作用

工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中IGBT的作用

針對(duì)所有的應(yīng)用,人們?cè)絹碓阶⒁怆妱?dòng)馬達(dá)的運(yùn)作效率;因此,對(duì)高效率驅(qū)動(dòng)器的需求變得日益重要。此外,使用馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì),例如電動(dòng)馬達(dá)、泵和風(fēng)扇,需要降低整體...

2023-07-05 標(biāo)簽:IGBT工業(yè) 1.1k 0

車規(guī)級(jí)功率器件市場(chǎng)爆發(fā)燒結(jié)銀成新寵

車規(guī)級(jí)功率器件市場(chǎng)爆發(fā)燒結(jié)銀成新寵

所謂的燒結(jié)銀,又叫燒結(jié)銀膏,銀焊膏等,就是將納米級(jí)銀顆粒燒結(jié)成銀塊的一種新的高導(dǎo)通銀材料,燒結(jié)銀燒結(jié)技術(shù)也被稱為低溫連接技術(shù),產(chǎn)品具有低溫?zé)Y(jié),高溫服役...

2023-07-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT功率器件 1.6k 0

薩科微slkor 國際化之初體驗(yàn)(上)

薩科微slkor 國際化之初體驗(yàn)(上)

?大家好,我叫宋仕強(qiáng),是薩科微和金航標(biāo)這兩個(gè)皮包公司的大股東兼大老板兼董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理。薩科微公司近年來發(fā)展迅速,產(chǎn)品研發(fā)方面大投入,高端產(chǎn)品IGBT、電...

2023-07-06 標(biāo)簽:三極管二極管穩(wěn)壓二極管 1.5k 0

汽車和工業(yè)的強(qiáng)勁需求使MCU交貨時(shí)間延長(zhǎng)

模擬芯片的庫存方面,報(bào)告預(yù)測(cè)將在2023年第二季度強(qiáng)勁優(yōu)化。由于需求旺盛,分立芯片的短缺將持續(xù);MCU庫存指數(shù)在2023年第一季度進(jìn)入正常區(qū)間。

2023-07-04 標(biāo)簽:mcuIGBT晶圓代工 391 0

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    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開發(fā)工具包,軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • 基站測(cè)試
    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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追求巔峰 efans_b69f6b afeng20200928 jf_99582534 jf_35291062 jf_50507575 jf_81865677 jf_69253771 jf_48124471 jf_10001769 jf_42784404 jf_99190008

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