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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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上回書(英飛凌芯片簡史)說到,IGBT自面世以來,歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭,標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2,溝槽柵+場截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IG...
第三代半導(dǎo)體高速成長GaN功率元件今年產(chǎn)值可望大增9成
2021年6月,富士經(jīng)濟對SiC(碳化硅)、Si(硅)功率半導(dǎo)體等下一代功率半導(dǎo)體的全球市場進行了調(diào)查。功率半導(dǎo)體市場預(yù)計到 2030 年將達(dá)到 404...
超結(jié)MOS/IGBT在儲能變流器(PCS)上的應(yīng)用
功率器件在儲能變流器(PCS)上的應(yīng)用,雙向DC-DC高壓側(cè)BUCK-BOOST線路,推薦瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS系列。模塊BOOST升壓/雙向DC-AC轉(zhuǎn)...
硅是半導(dǎo)體行業(yè)的第一代基礎(chǔ)材料,目前全球95%以上的集成電路都是以硅為襯底制造的。不過,由于轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)頻率、工作溫度等多方面受限,當(dāng)電壓大于900V...
2023-08-01 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 2.6k 0
當(dāng)前國內(nèi)功率器件領(lǐng)域,新能源增量大、產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)先的設(shè)計公司以及產(chǎn)品與產(chǎn)能雙升級的IDM代表廠商有哪些? 功率器件是電能傳輸效率的關(guān)鍵。目前隨著市場應(yīng)用的...
據(jù)參考消息網(wǎng)報道,美國太空探索技術(shù)公司計劃未來數(shù)月內(nèi)將4400顆“星鏈”衛(wèi)星軌道高度從550公里降至約480公里。目前已有9000余顆“星鏈”衛(wèi)星在軌運...
智能功率模塊(IPM)為工業(yè)設(shè)備提供卓越保護
高集成度IPM是逆變器的好伙伴,IPM一般采用高速、低功耗的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)作為功率開關(guān)元件,并集成電流傳感器、保護電路和柵極驅(qū)動電路。IP...
SiC 碳化硅 IGBT/MOSFET導(dǎo)熱散熱絕緣材料特性研究 | 二維氮化硼熱管理材料
引言1.1研究背景與意義碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV,是硅的近3倍...
機載高頻開關(guān)電源的系統(tǒng)構(gòu)成以及其設(shè)計
機載高頻開關(guān)電源產(chǎn)品專門用于輸入交流400Hz的場合,這是特意為了滿足軍用雷達(dá)、航空航天、艦船、機車以及導(dǎo)彈發(fā)射等專門用途所設(shè)計的。應(yīng)用戶要求,研制出機...
2017-12-03 標(biāo)簽:mosfet開關(guān)電源igbt 2.6k 0
川土微電子CA-IS3215/6-Q1車規(guī)級單通道增強隔離柵極驅(qū)動器
川土微電子CA-IS3215/6-Q1適用于SiC/IGBT 的具有主動保護功能、高 CMTI、15A 拉/灌電流的單通道增強隔離柵極驅(qū)動器新品發(fā)布!
半導(dǎo)體行業(yè)IGBT晶圓發(fā)展及應(yīng)用技術(shù)詳解
IGBT絕緣柵雙極型晶體管;作為一種高效能的半導(dǎo)體元件它一般應(yīng)用在不間斷電源UPS和變頻器上;自IGBT開啟工業(yè)化應(yīng)用以來,技術(shù)經(jīng)歷了豐富的技術(shù)演變,涌...
熱發(fā)射顯微鏡下芯片失效分析案例:IGBT 模組在 55V 就暴露的問題!
分享一個在熱發(fā)射顯微鏡下(Thermal EMMI) 芯片失效分析案例,展示我們?nèi)绾瓮ㄟ^ IV測試 與 紅外熱點成像,快速鎖定 IGBT 模組的失效點。
一輛汽車需要的芯片種類至少有40種,主要可分為功能芯片、功率半導(dǎo)體和傳感器,包括自動駕駛AI芯片、MCU、IGBT功率器件以及用于自動駕駛感知系統(tǒng)的一系列芯片。
AI+ 激活中國市場新動能 跨國企業(yè)與本土力量共探產(chǎn)業(yè)機遇
中國大市場正持續(xù)釋放全球級機遇,更成為全球創(chuàng)新成果的核心應(yīng)用場。隨著跨國企業(yè)紛紛通過深化本土化布局、加碼數(shù)字化與AI應(yīng)用融合等路徑,尋求與中國市場的長期...
igbt和mos管的優(yōu)缺點 在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似,...
2023-05-17 標(biāo)簽:IGBT 2.6k 0
按照器件結(jié)構(gòu),分為二極管、功率晶體管、晶閘管等,其中功率晶體管分為雙極性結(jié)型晶體管(BJT)、結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MO...
臺基股份擬募集資金2.3億元投資于6吋Bipolar晶圓線改擴建項目
今天,臺基股份發(fā)布公告稱,公司向特定對象發(fā)行股票并在創(chuàng)業(yè)板上市已通過深交所審核并收到批復(fù)。此次募集資金不超過5億元,將用于新型高功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)升級項...
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