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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

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2025-09-18 標(biāo)簽:封裝IGBT揚杰科技 2.7k 1

東芝邀您共赴PCIM Asia 2025

一直以來,東芝半導(dǎo)體在電力能源技術(shù)領(lǐng)域不斷深耕,響應(yīng)市場需求,推陳出新。尤其在今年,攜手基本半導(dǎo)體,在PCIM Asia 2025(上海國際電力元件、可...

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一、引言 在 IGBT 模塊的可靠性研究中,鍵合線失效是導(dǎo)致器件性能退化的重要因素。研究發(fā)現(xiàn),芯片表面平整度與鍵合線連接可靠性存在緊密關(guān)聯(lián)。當(dāng)芯片表面平...

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2025-08-29 標(biāo)簽:IGBT功率模塊宏微科技 2.9k 0

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