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標(biāo)簽 > mdd
MDD是國(guó)內(nèi)少數(shù)采用了“Fabless+封裝測(cè)試”模式的半導(dǎo)體品牌,15年的行業(yè)深耕,一直專注于半導(dǎo)體領(lǐng)域。在科技研發(fā)與創(chuàng)新的基礎(chǔ)上,積累了厚實(shí)的研發(fā)設(shè)計(jì)能力,同時(shí)還建立全流程的封裝測(cè)試產(chǎn)線(涵蓋封裝測(cè)試、成品測(cè)試等多項(xiàng))。為客戶提供MOSFET、SiC、功率二極管及整流橋等高品質(zhì)的半導(dǎo)體分立器件
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| 型號(hào) | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 參考價(jià)格 |
|---|---|---|---|
| MDDG10R04P | 100V 130A 3.2mΩ中低壓功率N-MOS管 |
獲取價(jià)格
|
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| MDD210N40P | 40V 210A 1.5mΩ中低壓功率N-MOS管 |
獲取價(jià)格
|
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| MDD100N03D | 30V 100A 2.8mΩ中低壓功率N-MOS管 |
獲取價(jià)格
|
|
| MUR1560CT | 電流:15A 電壓:600V超快恢復(fù)二極管 |
獲取價(jià)格
|
|
| MUR860CT | 電流:8A 電壓:600V超快恢復(fù)二極管 |
獲取價(jià)格
|
|
| MBRB30200T | 電流:30A 電壓:200V肖特基二極管 |
獲取價(jià)格
|
|
| MUR2020DCT | 電流:20A 電壓:200V超快恢復(fù)二極管 |
獲取價(jià)格
|
|
| MMBTA06 |
獲取價(jià)格
|
||
| MDD8205 | 雙N溝導(dǎo)MOS管,20V/5A, 23毫歐低阻產(chǎn)品。 |
獲取價(jià)格
|
|
| ES5JB | 貼片超快恢復(fù)二極管 |
獲取價(jià)格
|
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| BAT46WS | 小信號(hào)肖特基二極管 |
獲取價(jià)格
|
|
| BAT46W | 小信號(hào)肖特基二極管 |
獲取價(jià)格
|
|
| BAT54WS | 電壓:21V 電流:100MA |
獲取價(jià)格
|
|
| SI2301-3A | P溝道,電流:-3.0A,耐壓:-20V |
獲取價(jià)格
|
|
| MMBT5551-E | 該NPN雙極晶體管適用于線性和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。此器件采用 SOT-23 封裝,適用于低功率表面貼裝應(yīng)用。 |
獲取價(jià)格
|
|
| MDDG1C120R040K3 | 1個(gè)N溝道 耐壓:1.2KV 電流:55A |
獲取價(jià)格
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|
| SI2301S-2.3A | 1個(gè)P溝道 耐壓:20V 電流:2A |
獲取價(jià)格
|
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| M7(5K)-ZX |
獲取價(jià)格
|
||
| S1M(2K)-ZX |
獲取價(jià)格
|
||
| S2MF-S2M-SMAF-A2-T3-ZX |
獲取價(jià)格
|
||
| B5819W-SL(S)-T3-ZX | 電壓:40V 電流:1A |
獲取價(jià)格
|
|
| SS14(2K)-ZX | 電壓:40V 電流:1A |
獲取價(jià)格
|
|
| RS3M-SMC-T3-ZX |
獲取價(jià)格
|
||
| RS2G-SMBG-T3-ZX |
獲取價(jià)格
|
||
| ER1J-SMAG-ZX |
獲取價(jià)格
|
||
| RS1D(2K)-ZX |
獲取價(jià)格
|
||
| US1G(2K)-ZX |
獲取價(jià)格
|
||
| SM8S18A | TVS 18V截止 226A峰值脈沖 |
獲取價(jià)格
|
|
| SS36-SMB-AJ-T3-ZX | 電壓:60V 電流:3A |
獲取價(jià)格
|
|
| S2M-SMAJ-ZX |
獲取價(jià)格
|
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