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mos管

mos管

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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

MOS管在電動(dòng)車(chē)控制器中的應(yīng)用

MOS管在電動(dòng)車(chē)控制器中的應(yīng)用

愛(ài)瑪電動(dòng)車(chē)今年的推廣營(yíng)銷(xiāo)可謂出圈不斷,從明星話題到產(chǎn)品自研能力均是隆重登場(chǎng)。在自研產(chǎn)品中更是核心突出其自研蔚藍(lán)控制器,便可知電動(dòng)車(chē)控制對(duì)于產(chǎn)品的重要程度。

2023-12-11 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管電動(dòng)車(chē)控制器 3.5k 0

MOS管在DC-DC變換器中的應(yīng)用

MOS管在DC-DC變換器中的應(yīng)用

對(duì)于DC-DC變換器的效率提升,需要有低電壓、大電流的MOS管來(lái)優(yōu)化代換。畢竟同步整流技術(shù)是采用通態(tài)電阻極低的功率MOSFET來(lái)取代整流二極管,從而大大...

2023-12-11 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管變換器 2.9k 0

芯片異常漏電幾種情況分析

芯片異常漏電幾種情況分析

門(mén)電路的輸入端懸空,有可能導(dǎo)致PMOS和NMOS同時(shí)導(dǎo)通,存在短路電流,如果MOS管的尺寸越大表現(xiàn)出來(lái)的漏電流就越大.

2023-12-08 標(biāo)簽:芯片ldoMOS管 6.5k 0

推挽式開(kāi)關(guān)電源2個(gè)開(kāi)關(guān)管誰(shuí)先起振

推挽式開(kāi)關(guān)電源是一種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其主要由兩個(gè)開(kāi)關(guān)管組成,分別是P溝道MOS管和N溝道MOS管。在這兩個(gè)開(kāi)關(guān)管中,誰(shuí)先起振取決于電路的工作條件...

2023-12-08 標(biāo)簽:MOS管短路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 2.6k 0

mos管尖峰電壓如何消除

尖峰電壓(或電壓峰值)是指在電氣系統(tǒng)中突然出現(xiàn)的瞬態(tài)過(guò)電壓,其峰值大于正常工作電壓的兩倍以上。尖峰電壓是由于閘刀分合、電弧熄滅、電動(dòng)機(jī)負(fù)載突然切斷等原因...

2023-12-08 標(biāo)簽:MOS管電壓電磁干擾 1.3萬(wàn) 0

Opendrop的數(shù)字微流控電浸潤(rùn)方案分析

Opendrop的數(shù)字微流控電浸潤(rùn)方案分析

  今天與各位同好分享一下前天提到的 Opendrop的數(shù)字微流控電浸潤(rùn)方案的分析,有些地方還是不太看得懂,也歡迎看懂的同好私信講一下看不懂部分的原理。

2023-12-07 標(biāo)簽:原理圖MOS管驅(qū)動(dòng)板 4.2k 4

電流傳感器在光伏逆變器的應(yīng)用

電流傳感器在光伏逆變器的應(yīng)用

光伏逆變器是將太陽(yáng)能光伏電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的關(guān)鍵設(shè)備,它主要由直流輸入端、逆變器芯片、交流輸出端、控制電路和散熱器等組成。

2023-12-07 標(biāo)簽:MOS管電流傳感器光伏逆變器 1.6k 0

Cadence中的電流方向怎么看?

Cadence中的電流方向怎么看?

用tran仿真時(shí),outputs-to be saved,選原理圖上的節(jié)點(diǎn)terminal,自然可以仿真出電流,但電流有正有負(fù),方向應(yīng)該是從哪頭流到哪頭呢?

2023-12-07 標(biāo)簽:原理圖電流MOS管 3.4k 0

簡(jiǎn)單說(shuō)一說(shuō)什么是天線效應(yīng)?消除的辦法有哪些?

天線效應(yīng),或者說(shuō)它的全稱工藝天線效應(yīng)(PAE,process antenna effect),是一種芯片制造過(guò)程中產(chǎn)生的效應(yīng)。

2023-12-06 標(biāo)簽:MOS管芯片制造天線效應(yīng) 3.8k 0

layout相關(guān)—芯片中相鄰單元的漏電流

看到這個(gè)題目,可能不少朋友都會(huì)滿臉問(wèn)號(hào),我們知道cell內(nèi)部會(huì)有l(wèi)eakage,難道cell與cell之間也會(huì)有l(wèi)eakage嗎?

2023-12-06 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管Layout 2.2k 0

三極管的基本原理和三種工作狀態(tài) 三極管的應(yīng)用和選型

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如果說(shuō)R、C、L屬于分離電路的基礎(chǔ)元件,那么二極管、三極管、MOS管就屬于集成電路的基礎(chǔ)元件。各種技術(shù)論壇和學(xué)習(xí)網(wǎng)站上都有許多關(guān)于三極管的知識(shí),今天我們...

2023-12-05 標(biāo)簽:集成電路三極管二極管 9k 0

MOS結(jié)電容(上)MOS里的寄生電容到底是什么?

MOS結(jié)電容(上)MOS里的寄生電容到底是什么?

EE工程師都會(huì)面臨MOSFET的選型問(wèn)題,無(wú)論是功率級(jí)別應(yīng)用的Power MOS還是信號(hào)級(jí)別的Signal MOSFET,他們的Datasheet中,一...

2023-12-05 標(biāo)簽:MOSFETMOS管PN結(jié) 2.9萬(wàn) 0

PMOS和NMOS開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì) MOS管做開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)和注意點(diǎn)

PMOS和NMOS開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì) MOS管做開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)和注意點(diǎn)

一說(shuō)到開(kāi)關(guān),我們腦海中首先浮現(xiàn)的就是各式各樣的機(jī)械開(kāi)關(guān),常見(jiàn)的有自鎖開(kāi)關(guān)、撥碼開(kāi)關(guān)、船型開(kāi)關(guān)等等。區(qū)別于這類常見(jiàn)的機(jī)械開(kāi)關(guān),我們?cè)陔娮与娐分谐S玫倪€有各...

2023-12-03 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體MOS管 2.4萬(wàn) 0

什么是軟開(kāi)關(guān)?為什么選用LLC諧振拓?fù)鋵?shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)?

什么是軟開(kāi)關(guān)?為什么選用LLC諧振拓?fù)鋵?shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)?

本文主要參考楊波博士的論文《Topology Investigation for Front End DC/DC Power Conversion fo...

2023-12-03 標(biāo)簽:MOS管軟開(kāi)關(guān)LLC 1.7萬(wàn) 0

芯片功耗組成—internal power與總功耗的理解

芯片功耗組成—internal power與總功耗的理解

靜態(tài)功耗(漏電功耗)是指芯片待機(jī)狀態(tài)下所產(chǎn)生的的功率消耗,來(lái)源于MOS管內(nèi)部的泄漏電流;泄漏電流有多個(gè)組成部分

2023-12-01 標(biāo)簽:MOS管反相器靜態(tài)功耗 2.4萬(wàn) 0

詳解MOS管各個(gè)參數(shù)

詳解MOS管各個(gè)參數(shù)

ID: 最大漏源電流.是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí),漏源間所允許通過(guò)的最大電流.場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過(guò) ID .此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額.

2023-12-01 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 2.1萬(wàn) 0

ant rule(antenna rule)天線效應(yīng)介紹

ant rule(antenna rule)天線效應(yīng)介紹

在存在天線效應(yīng)的導(dǎo)體上添加反偏的二極管,為積累的電荷提供一個(gè)泄放回路,這樣積累的電荷就不會(huì)對(duì)柵氧造成損壞,從而消除天線效應(yīng);

2023-12-01 標(biāo)簽:二極管緩沖器MOS管 4k 0

場(chǎng)效應(yīng)管在戶外儲(chǔ)能電源的應(yīng)用

場(chǎng)效應(yīng)管在戶外儲(chǔ)能電源的應(yīng)用

從事出口的電子產(chǎn)品生意一定要研究當(dāng)?shù)厥袌?chǎng),對(duì)于110V電壓標(biāo)準(zhǔn)的主要國(guó)家會(huì)有美國(guó)、日本、韓國(guó)、加拿大等。因其電壓標(biāo)準(zhǔn)為110V,所以其戶外儲(chǔ)能電源自然也...

2023-12-01 標(biāo)簽:MOS管逆變器儲(chǔ)能電源 1.2k 0

場(chǎng)效應(yīng)管在MPPT控制器的應(yīng)用

場(chǎng)效應(yīng)管在MPPT控制器的應(yīng)用

MPPT控制器是由DC/DC buck/boost轉(zhuǎn)換器和一個(gè)嵌入式微處理器構(gòu)成。在太陽(yáng)能電池板的應(yīng)用中,最大峰值功率跟蹤器(MMPT)電路內(nèi)置于高效率...

2023-12-01 標(biāo)簽:控制器場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 2k 0

場(chǎng)效應(yīng)管在車(chē)載逆變器的應(yīng)用

場(chǎng)效應(yīng)管在車(chē)載逆變器的應(yīng)用

依據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì),美國(guó)戶外休閑產(chǎn)業(yè)總規(guī)模已達(dá)8620億美元。從數(shù)據(jù)顯示美國(guó)等北美國(guó)家依然是戶外裝備的核心群體,而國(guó)內(nèi)依靠車(chē)載逆變器出海的企業(yè)也都關(guān)注以上需求...

2023-12-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.2k 0

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線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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