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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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常見的電子產(chǎn)品中，通常需要用到12V以下的電壓，如5V、3.3V、1.8V等，這就需要用到二次降壓，直流降壓的方式主要有LDO和BUCK兩種方式，采用L...
手算法其實就是根據(jù)設計要求，把結構定下來之后運用運放的一些基礎知識將MOS管的W/L參數(shù)一一定下來的方法，這個方法不一定能設計出很完美的運放，但是對...
MOS管的閾值電壓（Threshold Voltage）是一個至關重要的參數(shù)，它決定了MOS管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的導通與截止狀態(tài)，對MOS...
除了RDS（ON）之外，在MOS管的選擇過程中還有幾個MOS管參數(shù)也對電源設計人員非常重要。許多情況下，設計人員應該密切關注數(shù)據(jù)手冊上的安全工作區(qū)（SO...
到VB端的電壓小于VS+12V，導致芯片老是檢測到硬件過流信號，從而不能正常驅動MOS管，后將VCC電壓提升到13.5V后，驅動芯片才正常。
本文根據(jù)某產(chǎn)品單板電路測試過程的浪涌電流沖擊問題，詳細分析了MOS管緩啟動電路的RC參數(shù)，通過分析和實際對電路參數(shù)的更改，使電路的浪涌電流沖擊滿足板上電源要求。
這是一種較為常用的電壓轉換電流電路，也是一款恒流源電路。它由一個運放、一個三極管（也可以是MOS管）以及若干電阻構成，結構簡單易懂。
MOS管是一種常用的功率開關元件，具有三個引腳：柵極（G）、漏極（D）和源極（S）。根據(jù)柵極和源極之間的電壓，MOS管可以在導通和截止之間進行切換。那么...
開關管和MOS管是電子電路中常見的兩種半導體器件，它們在結構和工作原理上有很多相似之處，但也存在一些區(qū)別。本文將對開關管和MOS管的區(qū)別進行詳細介紹。 ...
mos管，做電源設計，或者做驅動方面的電路，難免要用到MOS管。MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅動的使用，當然就是用它的開關作用。
眾所周知，達索系統(tǒng)的CST對于電磁兼容性仿真有著很好的精度和準確度。那么CST除了電磁兼容性仿真，SIPI仿真還能做哪些事呢？
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），即金屬氧化物半導體場效應晶體管，是現(xiàn)代電...
MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor ...
MOS管是一種電壓控制型半導體元件，具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點。工作原理基于半導體材料的能帶理論，通過調(diào)節(jié)柵極電壓來控制溝道的導通和截止。...
IC出來的波形正常，到C1兩端的波形就有振蕩了，實際上這個振蕩就是R1,L1和C1三個元器件的串聯(lián)振蕩引起的，R1為驅動電阻，是我們外加的，L1是PCB...
開關管是一種能夠在導通和截止狀態(tài)之間快速切換的半導體器件，通常用于電源開關、半橋/全橋驅動電路、PWM調(diào)制等電子產(chǎn)品中。常見的開關管有MOS管、IGBT管等。
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