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標(biāo)簽 > mos管

mos管

mos管

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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

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建立時(shí)間(setup time)和保持時(shí)間(hold time)是時(shí)序分析中最重要的概念之一,深入理解建立時(shí)間和保持時(shí)間是進(jìn)行時(shí)序分析的基礎(chǔ)。

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MOS管開關(guān)電路在分立設(shè)計(jì)里面應(yīng)用非常廣泛,包括邏輯控制,電源切換,負(fù)載開關(guān)等,在一些電路巧妙設(shè)計(jì)上具有非常大的創(chuàng)新性。

2023-06-20 標(biāo)簽:電容器MOSFETMOS管 8.9k 0

如何計(jì)算晶體管開關(guān)電路-2

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開路集電極開關(guān)和開路發(fā)射極開關(guān)也叫負(fù)載串聯(lián)型開關(guān),前者是負(fù)載串聯(lián)在集電極,后者是負(fù)載串聯(lián)在發(fā)射極。

2023-06-20 標(biāo)簽:三極管led燈MOS管 1.2k 0

教你如何計(jì)算MOS管的開關(guān)電路(二)

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負(fù)載串聯(lián)型開關(guān)相比于上節(jié)講到的接地型和跟隨型開關(guān),使用更加廣泛,無論是輕負(fù)載還是重負(fù)載,電路幾乎沒有額外電流損耗。

2023-06-20 標(biāo)簽:MOS管PMOSGPIO 3k 0

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分立MOS搭建的開關(guān)電路在電路設(shè)計(jì)里面非常常見,在單板的邏輯設(shè)計(jì),器件控制,供電控制,供電保護(hù)等等方面,都發(fā)揮著巨大的作用。

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2023-06-20 標(biāo)簽:MOS管NMOSBJT 9.9k 0

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2023-06-19 標(biāo)簽:三極管MOS管LED控制 5.9k 0

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2023-06-19 標(biāo)簽:二極管原理圖MOSFET 3.8k 0

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對于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)相對簡單,只需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg即可對MOS管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。此時(shí)的驅(qū)動(dòng)開通電阻和關(guān)斷電阻阻值一致。

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天線與晶體管是人類歷史上兩項(xiàng)最偉大的發(fā)明。天線開啟了無線電的時(shí)代,晶體管開辟了電子學(xué)的新世界。

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三極管和MOS管都是很常用的電子元器件,兩者都可以作為電子開關(guān)管使用,而且很多場合兩者都是可以互換使用的。三極管和MOS管作為開關(guān)管時(shí),有很多相似之處,...

2023-06-19 標(biāo)簽:三極管電路設(shè)計(jì)MOS管 7.5k 0

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