mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

MOS管最常見(jiàn)的幾種應(yīng)用電路（開(kāi)關(guān)、放大、時(shí)序、雙向電平）

MOS管最常見(jiàn)的電路可能就是開(kāi)關(guān)和放大器。

2023-06-06 標(biāo)簽：放大器開(kāi)關(guān)電路放大電路 1.9萬(wàn) 0

一個(gè)傳導(dǎo)、輻射處理案例-Layout環(huán)路

這是一款輸入寬電壓120-277V 60HZ，輸出48V，273mA的電源，使用美芯晟MT7933，采用Buck拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

2023-06-06 標(biāo)簽：貼片電阻 MOS管 Layout 704 0

4個(gè)方面了解MOS管

MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管，在驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載（如馬達(dá)），這個(gè)二極管很重要。順便說(shuō)一句，體二極管只在單個(gè)的M...

2023-06-05 標(biāo)簽：集成電路二極管 MOS管 908 0

淺談MOS管損壞之謎

如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。

2023-06-05 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)二極管 MOSFET 1.6k 0

干貨|這篇文章把MOS管的基礎(chǔ)知識(shí)講透了

MOS管是一種具有絕緣柵的FET，其中電壓決定了器件的電導(dǎo)率。發(fā)明MOS管是為了克服FET中存在的缺點(diǎn)，如高漏極電阻、中等輸入阻抗和較慢的操作。所以MO...

2023-06-05 標(biāo)簽：MOS管 NMOS FET 3.5k 0

單片機(jī)驅(qū)動(dòng)mos管電路圖及原理

如果驅(qū)動(dòng)的東西（功率）很大，（大電流、大電壓的場(chǎng)合），最好要做電氣隔離、過(guò)流超壓保護(hù)、溫度保護(hù)等……此時(shí)既要隔離傳送控制信號(hào)（例如PWM信號(hào)），也要給驅(qū)...

2023-06-03 標(biāo)簽：繼電器二極管 MOS管 1.9萬(wàn) 0

LED驅(qū)動(dòng)最容易壞的元件 led燈驅(qū)動(dòng)器有幾種 led燈閃爍故障解決方法

LED燈驅(qū)動(dòng)器是一種將電源的直流電轉(zhuǎn)換成LED燈需要的恒流或恒壓電源的電子裝置。根據(jù)其工作原理和構(gòu)造方式的不同，LED燈驅(qū)動(dòng)器可以分為以下幾種類(lèi)型

2023-06-02 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 led燈 MOS管 2.1萬(wàn) 0

深入理解Res-calibration電阻校準(zhǔn)技術(shù)

分享第二個(gè)Topic，電阻校準(zhǔn)技術(shù)。

2023-06-02 標(biāo)簽：電阻 MOS管模擬信號(hào) 4k 0

MOS管自舉電路原理詳解

自舉電路也叫升壓電路，是利用自舉升壓二極管，自舉升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓升高，有的電路升高的電壓能達(dá)到數(shù)倍電源電壓。

2023-06-01 標(biāo)簽：二極管升壓電路場(chǎng)效應(yīng)管 4.7k 0

怎么實(shí)現(xiàn)直流24V兩條線正反接輸出正24V電壓

怎么實(shí)現(xiàn)直流24V兩條線，無(wú)論正接還是反接都能輸出正24V電壓，最簡(jiǎn)單的辦法是使用二極管來(lái)改變電流的方向，從而實(shí)現(xiàn)無(wú)極性輸入。

2023-05-31 標(biāo)簽：二極管電流電路設(shè)計(jì) 6.8k 0

電源變換器基礎(chǔ)（3）

所有器件接線端子、焊盤(pán)以及引線中都存在寄生電感，這部分寄生電感雖然不會(huì)消耗能量（元件本身不發(fā)熱），但是通常會(huì)在開(kāi)關(guān)的某一時(shí)刻向鄰近電路的電阻性元件泄放其...

2023-05-30 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源 emi MOS管 1.2k 0

電源變換器基礎(chǔ)（2）-開(kāi)關(guān)電源中的電感

開(kāi)關(guān)電源主要由：開(kāi)關(guān)管（BJT/MOS管），續(xù)流二極管（肖特基二極管/快恢復(fù)二極管），電感器以及電容器組成；

2023-05-30 標(biāo)簽：電容器開(kāi)關(guān)電源電感器 2.4k 0

MOS管驅(qū)動(dòng)電路原理與電路布線設(shè)計(jì)

一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS的G S兩級(jí)之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。

2023-05-30 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 PWM 5.8k 1

溝道反型層閾值電壓Vth介紹

如圖，電流分?jǐn)U散電流和漂移電流，工作時(shí)的mosfet電流很大，主要是漂移電流，因此忽略掉擴(kuò)散電流的成分。

2023-05-30 標(biāo)簽：電容器 MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管 1.2萬(wàn) 0

手把手教你用晶體管搭建邏輯門(mén)電路

常見(jiàn)的晶體管有二極管、三極管和MOS管，主要的邏輯門(mén)電路：與門(mén)、或門(mén)、非門(mén)、與非門(mén)、或非門(mén)、異或門(mén)等

2023-05-30 標(biāo)簽：三極管二極管 MOS管 2.6萬(wàn) 0

介紹MOSFET動(dòng)態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)

柵極電荷是指為導(dǎo)通MOSFET而注入到柵極電極的電荷量，有時(shí)也稱(chēng)為總柵極電荷。總柵極電荷包括 Qgs 和 Qgd。Q gs表示柵極-源的電荷量，Qgd ...

2023-05-29 標(biāo)簽：MOSFET 示波器 MOS管 1.1萬(wàn) 0

聊一聊電源內(nèi)部是怎么工作的

我們?cè)陔娫丛O(shè)計(jì)及調(diào)試過(guò)程中，當(dāng)碰到問(wèn)題的時(shí)候，應(yīng)該將自己的思想進(jìn)入電源內(nèi)部，以自己如果是電源控制部分，碰到這樣的問(wèn)題該如何解決。

2023-05-29 標(biāo)簽：MOS管電源控制 Vcc 2.2k 0

MOS管開(kāi)關(guān)時(shí)，電壓電流波形的探究

如圖，為什么在Vce下降前ic就開(kāi)始上升了呢？

2023-05-29 標(biāo)簽：MOS管波形電壓電流 1.3萬(wàn) 0

四種防反接電路匯總

2023-05-29 標(biāo)簽：二極管電路 MOS管 1.9k 0

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2023-05-29 標(biāo)簽：MOS管 PWM LLC 4.1k 0

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