mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

分享幾個常用的電平轉(zhuǎn)換電路

比如兩個芯片之間的供電電壓不一樣，一個是5V，另一個是3.3V，那么在兩者之間進(jìn)行通訊建立連接關(guān)系時，就需要進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換。

2023-05-29 標(biāo)簽：二極管上拉電阻 MOS管 4.9k 0

MOSFET原理詳解與參數(shù)測試（2）

Rds(ON)是MOSFET工作（啟動）時，漏極D和源極S之間的電阻值。在上文中我們介紹了MOSFET在導(dǎo)通后，Rds(ON)的值不是一成不變的，主要取...

2023-05-26 標(biāo)簽：二極管 MOSFET MOS管 1.8萬 0

鰭式場效應(yīng)晶體管FinFET

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2023-05-26 標(biāo)簽：MOSFET MOS管驅(qū)動電流 2.9k 0

MOS管知識點(diǎn)梳理

場效應(yīng)晶體管（FET）是利用電場效應(yīng)來控制晶體管電流的半導(dǎo)體器件，因此叫場效應(yīng)管。它是一種用輸入電壓控制型的半導(dǎo)體器件。按基本結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場效應(yīng)管和金屬...

2023-05-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)管 MOS管 2.4k 0

IGBT中米勒效應(yīng)的影響和處理方法

之前我們在介紹MOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應(yīng)的概念，在IGBT的導(dǎo)通過程分析的文章中我們也簡單提到過米勒平臺

2023-05-25 標(biāo)簽：三極管 MOSFET MOS管 1.2萬 0

采用六步換相法實(shí)現(xiàn)直流無刷電機(jī)的正反轉(zhuǎn)驅(qū)動

主控板STM32F302R8+驅(qū)動板X-NUCLEO-IHM07M1+直流無刷電機(jī)WR36BL61，采用六步換相法實(shí)現(xiàn)電機(jī)的正反轉(zhuǎn)驅(qū)動。

2023-05-24 標(biāo)簽：MOS管 STM32 正反轉(zhuǎn) 1.4萬 0

Innovus教程：輸出用于LVS的Verilog網(wǎng)表文件各種控制選項(xiàng)

有時候網(wǎng)表中可能會有一些空的module（在網(wǎng)表中體現(xiàn)為Module下面沒有Cell或者準(zhǔn)確說沒有含MOS管的有效器件），而它們在版圖里面也是不存在的，...

2023-05-24 標(biāo)簽：MOS管 Verilog LVS 5.9k 0

推挽電路原理：“上P下N”及“上N下P”的區(qū)別

在做信號控制以及驅(qū)動時，為了加快控制速度，經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成：分別是上P下N，以及上N下P。

2023-05-23 標(biāo)簽：三極管 MOS管推挽電路 3.7k 0

關(guān)于MOS管的基礎(chǔ)知識

文章主要是講一下關(guān)于MOS管的基礎(chǔ)知識，例如：MOS管工作原理、MOS管封裝等知識。

2023-05-23 標(biāo)簽：封裝 MOS管晶體管 2.4k 0

科普：一文了解LDO

LDO，英文全名是Low Dropout Regulaor，顧名思義就是低壓差線性穩(wěn)壓器，屬于線性電源。為線性的穩(wěn)壓器，僅能使用在降壓應(yīng)用中，也就是輸出...

2023-05-23 標(biāo)簽：放大器穩(wěn)壓器 ldo 5.1萬 1

電源正負(fù)極防反接保護(hù)電路分析

電源防反接，應(yīng)該是很多電路場景下都會采取到此系列得設(shè)計(jì)。

2023-05-23 標(biāo)簽：二極管保護(hù)電路 MOS管 2.8k 0

烙鐵頭有沒有熱電偶

我們的谷德海普的客服反饋，經(jīng)常遇到一些用戶詢問到我們的烙鐵頭使用什么熱電偶型號。把客服問懵了，烙鐵頭的生產(chǎn)過程當(dāng)中沒有使用到單獨(dú)的熱電偶呀，哪來的具體型...

2023-05-22 標(biāo)簽：熱電偶半導(dǎo)體可控硅 3.6k 0

7種直流恒流源電路分析

傳感器及發(fā)光器件常需恒流源供電，精確測量微小電阻一般也要用到恒流源。恒流源的本質(zhì)是其具有調(diào)節(jié)負(fù)載兩端電壓的能力，凡具有電壓調(diào)整能力的器件均可構(gòu)成恒流源...

2023-05-19 標(biāo)簽：傳感器三極管 MOS管 9.5k 0

4種常見電源正負(fù)極接反燒板的解決方法

硬件工程師的很多項(xiàng)目是在洞洞板上完成的，但有存在不小心將電源正負(fù)極接反的現(xiàn)象，導(dǎo)致很多電子元器件都燒毀，甚至整塊板子都廢掉，還得再焊接一塊，不知道有什么...

2023-05-19 標(biāo)簽：電源二極管保護(hù)電路 1.0萬 0

MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因

SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。

2023-05-19 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 SiC 7.9k 0

MOS管或IGBT管是車載充電機(jī)內(nèi)部重要元器件，兩者該如何辨別？

MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，被廣泛應(yīng)用于各種電子電路，是車載充電機(jī)、DC-DC變換器和模塊電源中重要的電子元器件。

2023-05-18 標(biāo)簽：元器件 MOS管變換器 2.1k 0

公牛車充拆解|拓爾微A+C雙口快充方案IM2403+TMI3451

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2023-05-18 標(biāo)簽：芯片充電半導(dǎo)體 3k 0

功率放大器電路中的三極管和MOS管，究竟有什么區(qū)別？

學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學(xué)習(xí)構(gòu)建功率放大器電路時最常見的電子元器件就是三極管和場效應(yīng)管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪...

2023-05-18 標(biāo)簽：三極管功率放大器場效應(yīng)管 3.7k 0

MOS管的基礎(chǔ)知識介紹

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2023-05-18 標(biāo)簽：MOS管微處理器絕緣柵 5.1k 0

二極管 VS MOS管，你的防反接保護(hù)電路選擇誰？

通常情況下直流電源輸入防反接保護(hù)電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠韺?shí)現(xiàn)防反接保護(hù)。如下圖1所示。

2023-05-17 標(biāo)簽：二極管保護(hù)電路 MOS管 4.7k 0

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