mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

MOS管和三極管相比有何不同

晶體管是一個(gè)簡單的元器件，有非常多的種類。最常見的兩種晶體管應(yīng)該要屬雙極型晶體管(三極管)和MOS管了吧，那它倆之間的區(qū)別是什么呢?先讓我們?cè)購?fù)習(xí)一下之...

2022-11-10 標(biāo)簽：三極管 MOS管晶體管 3.9k 0

開關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管驅(qū)動(dòng)電路

MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。

2023-05-04 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)電源電源設(shè)計(jì) 3.9k 0

三極管和MOS管作為開關(guān)器件時(shí)的區(qū)別

在探討三極管和MOS管作為開關(guān)器件時(shí)的區(qū)別時(shí)，我們需要從多個(gè)維度進(jìn)行分析，包括控制機(jī)制、成本、功耗、驅(qū)動(dòng)能力、工作特性以及應(yīng)用場(chǎng)景等方面。以下是對(duì)兩者區(qū)...

2024-07-30 標(biāo)簽：三極管 MOS管開關(guān)器件 3.9k 0

IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理 igbt和mos管的區(qū)別

絕緣層位于IGBT的N區(qū)表面，通常使用氧化硅（SiO2）等絕緣材料，用于隔離控制電極（柵極）與功率電極（P區(qū)和N+區(qū)）。

2024-02-06 標(biāo)簽：二極管 MOSFET MOS管 3.9k 0

Buck+定頻諧振電路的工作原理

對(duì)于27V輸出的低壓大電流應(yīng)用場(chǎng)合，在前期的拓?fù)溥x型時(shí)，主要考慮了移相全橋，Boost+定頻諧振和Buck+定頻諧振三種拓?fù)?。移相全橋拓?fù)渲?，由于需要?..

2023-03-24 標(biāo)簽：BUCK MOS管 Boost 3.9k 0

電路設(shè)計(jì)中三極管和mos管的區(qū)別

我們?cè)谧鲭娐吩O(shè)計(jì)中三極管和MOS管做開關(guān)用時(shí)候有什么區(qū)別工作性質(zhì),MOS管用于高頻高速電路，大電流場(chǎng)合，以及對(duì)基極或漏極控制電流比較敏感的地方。

2011-11-19 標(biāo)簽：三極管電路設(shè)計(jì)mos管 3.9k 5

如何進(jìn)行示波器的相位校正

示波器，作為電子工程師和科學(xué)家的基本工具之一，廣泛應(yīng)用于電子信號(hào)的測(cè)量和分析中。在涉及多個(gè)通道波形時(shí)間相關(guān)參數(shù)的測(cè)量中，如功率MOS管的雙脈沖測(cè)試，相位...

2024-05-27 標(biāo)簽：示波器 MOS管信號(hào) 3.9k 0

增強(qiáng)型NMOS管的使用與選型

當(dāng)說到MOS管的時(shí)候呢，你的腦子里可能是一團(tuán)糨糊的。

2022-03-21 標(biāo)簽：封裝 MOS管晶體管 3.9k 0

推挽式開關(guān)電源mos管耐壓值是多少

推挽式開關(guān)電源MOS管的耐壓值并不是一個(gè)固定的數(shù)值，而是需要根據(jù)具體的工作電壓和設(shè)計(jì)要求來確定。一般來說，推挽式開關(guān)電源的MOS管耐壓值需要大于工作電壓...

2024-08-15 標(biāo)簽：MOS管參數(shù)電壓波動(dòng) 3.9k 0

MOS管電路中的常見故障分析

MOS管因其高輸入阻抗、低功耗和良好的線性特性，在現(xiàn)代電子電路中扮演著重要角色。然而，由于制造缺陷、環(huán)境因素或設(shè)計(jì)不當(dāng)，MOS管電路可能會(huì)出現(xiàn)故障。 M...

2024-11-05 標(biāo)簽：MOS管電子電路柵極電壓 3.9k 0

NMOS防反接電路原理圖基于MOS管的防反接電路和降壓電路設(shè)計(jì)

在我們?nèi)粘４蚪坏赖碾娮赢a(chǎn)品中，基本上所有的電子元件都是用的直流電，因此當(dāng)我們的電源線插反時(shí)，極易容易燒壞電子產(chǎn)品。因此當(dāng)我們?cè)O(shè)計(jì)出一個(gè)電子產(chǎn)品，最先就應(yīng)...

2023-08-29 標(biāo)簽：二極管原理圖 MOS管 3.9k 0

如何利用STM32F0單片機(jī)PWM + ADC去控制有刷電機(jī)

讀取 ADC 的值，寫入 TIM 的 CCR 寄存器，觀察 PWM 占空比的變化。根據(jù)電機(jī)的特性，還可能需要改變 PWM 的周期。

2022-08-15 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電路 STM32F0 3.9k 0

MOS管寄生二極管的作用和方向判斷

二極管，（英語：Diode），電子元件當(dāng)中，一種具有兩個(gè)電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管（Varicap...

2023-06-19 標(biāo)簽：二極管原理圖 MOSFET 3.9k 0

簡單說一說什么是天線效應(yīng)？消除的辦法有哪些？

天線效應(yīng)，或者說它的全稱工藝天線效應(yīng)（PAE，process antenna effect），是一種芯片制造過程中產(chǎn)生的效應(yīng)。

2023-12-06 標(biāo)簽：MOS管芯片制造天線效應(yīng) 3.9k 0

反激電源的意義與三大干擾源

　　反激變換器是小功率電源所廣泛采用的拓?fù)浣鉀Q方案，因其簡單便宜，可靠性高而廣泛應(yīng)用于100W以下的場(chǎng)合。

2022-07-29 標(biāo)簽：MOS管 emc 反激電源 3.9k 0

低邊MOS管驅(qū)動(dòng)器是如何工作的

當(dāng)控制電壓由低變高時(shí)，柵極電壓開始時(shí)有一個(gè)3V的臺(tái)階，分析認(rèn)為是Q3截止后，3.3偏置電壓經(jīng)過BC結(jié)饋電引起的。

2022-08-09 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 MOS管射極輸出器 3.9k 0

MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別

在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，...

2022-07-11 標(biāo)簽：MOS管晶體管 IGBT管 3.9k 0

自舉電容初始化啟動(dòng)和充電受限問題分析

說起自舉電路估計(jì)離不開mos管，先來了解一下MOS管，MOS有N溝道和P溝道之分。對(duì)于N溝道的MOS管，導(dǎo)通時(shí)需要Ugs>Ugs(th),P溝道則...

2024-03-27 標(biāo)簽：電容器二極管 MOS管 3.8k 0

從應(yīng)用側(cè)出發(fā)來給大家介紹一下MOS管里面最常見的NMOS

對(duì)于這個(gè)高速的PWM波控制場(chǎng)景是致命的。當(dāng)PWM波的周期接近于這個(gè)爬升時(shí)間時(shí)，這個(gè)波形就會(huì)失真。一般來說Cgs大小和Rds(on)是成反比的關(guān)系。Rds...

2022-08-12 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管 NMOS 3.8k 0

MOSFET器件手冊(cè)關(guān)鍵參數(shù)解讀

我一直認(rèn)為，對(duì)于電子工程師來講，最好的學(xué)習(xí)資料就是芯片或者電子器件的數(shù)據(jù)手冊(cè)，可能一開始讀起來會(huì)很吃力，但只要你能堅(jiān)持住，并且本著一種不懂就問，不會(huì)就查...

2023-11-08 標(biāo)簽：原理圖 MOSFET MOS管 3.8k 0

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