mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

三極管和MOS管驅(qū)動(dòng)電路的正確用法

MOS管是電壓控制電流器件，用柵極電壓的變化控制漏極電流的變化。有P溝道MOS管（簡(jiǎn)稱PMOS）和N溝道MOS管（簡(jiǎn)稱NMOS），符號(hào)如下（此處只討論...

2023-03-28 標(biāo)簽：三極管 MOS管 NMOS 1.0萬 0

NMOS與PMOS管的原理及選型

如上圖MOS管符號(hào)，要注意如果剛學(xué)完三極再來看這個(gè)會(huì)覺得很別扭，記不住，下面與NMOS原理做介紹，PMOS就剛好是相反的。

2023-03-28 標(biāo)簽：二極管 MOS管 NMOS 3.0萬 0

NMOS管和PMOS管的原理、選型及應(yīng)用

如上圖MOS管符號(hào)，要注意如果剛學(xué)完三極再來看這個(gè)會(huì)覺得很別扭，記不住，下面與NMOS原理做介紹，PMOS就剛好是相反的。

2023-03-28 標(biāo)簽：二極管單片機(jī)MOS管 6k 0

MOS管的工作原理采用MOS管開關(guān)電源的電路設(shè)計(jì)

初步的了解了以上的關(guān)于MOS管的一些知識(shí)后，一般的就可以簡(jiǎn)單的分析，采用MOS管開關(guān)電源的電路了。

2023-03-27 標(biāo)簽：三極管萬用表元器件 8.9k 0

MOSFET開關(guān)損耗的計(jì)算方法

MOS管在電源應(yīng)用中作為開關(guān)用時(shí)將會(huì)導(dǎo)致一些不可避免的損耗，這些損耗可以分為兩類。

2023-03-26 標(biāo)簽：電源 MOSFET 電容 1.1萬 0

MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷過程

最近一直在說MOS管的知識(shí)，就有朋友留言說能具體說一下MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷過程嗎，那我們今天來說一下MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷具體過程。

2023-03-26 標(biāo)簽：MOS管導(dǎo)通寄生電感 8.8k 0

MOS管驅(qū)動(dòng)電路講解

前面說了一些MOS管的知識(shí)，就有同學(xué)留言說能不能說一下MOS管的一些簡(jiǎn)單使用場(chǎng)合和工作原理，那我們今天來簡(jiǎn)單說一下，首先我們知道我們的電源從結(jié)構(gòu)來劃分的...

2023-03-26 標(biāo)簽：電源 MOSFET MOS管 7.6k 0

共柵極架構(gòu)LNA詳解

在分析共柵極架構(gòu)(CG)的LNA前，需要先回顧一下共柵架構(gòu)MOS管的輸入阻抗，輸出阻抗和電壓增益的推導(dǎo)過程。

2023-03-26 標(biāo)簽：MOS管 LNA 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 4.5k 0

MOS管的米勒效應(yīng)：感性負(fù)載

在上一篇文章中詳細(xì)描述了帶阻性負(fù)載時(shí)米勒平臺(tái)是怎樣的，對(duì)各階段做了定量分析，相信看過的同學(xué)應(yīng)該會(huì)有所收獲。今天我們來聊一聊帶感性負(fù)載時(shí)米勒平臺(tái)是怎樣的。

2023-03-26 標(biāo)簽：電路負(fù)載 MOS管 6.4k 0

MOS管的通斷過程你都理解透了嗎？

對(duì)于恒定Vds，Vgs越大，則溝道中可移動(dòng)的電子越多，溝道電阻就越小，ID就越大。當(dāng)然這個(gè)Vgs大到一定值，電壓再大，ID的變化也不會(huì)再有太大的變化了。...

2023-03-25 標(biāo)簽：電阻 MOS管漏極 6.7k 0

MOS管如何控制電流方向的基本方法

場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

2023-03-25 標(biāo)簽：放大器場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管 4.3k 0

三極管和MOS管的工作原理

在前面我們講了，半導(dǎo)體器件主要可以分為二極管類和三極管類。本文主要講解三極管類器件的原理，以及它們?cè)诠こ虒W(xué)上的基本應(yīng)用。毫無疑問，二極管和三極管類器...

2023-03-24 標(biāo)簽：三極管二極管半導(dǎo)體 4.9k 0

自舉電路的工作原理和經(jīng)典應(yīng)用

自舉電容的核心原理是：電容兩端電壓不能突變。

2023-03-24 標(biāo)簽：二極管 MOS管自舉電容 6.3k 0

柵壓自舉電路原理詳解

　　當(dāng)開關(guān)關(guān)斷的時(shí)候，溝道電荷需要消失，電荷只能流入到MOS管本身的S端或D端，對(duì)兩端的電壓造成影響。因此流入采樣電容上的電荷會(huì)產(chǎn)生一個(gè)offset，o...

2023-03-24 標(biāo)簽：開關(guān)MOS管 adc 4.3k 0

Buck+定頻諧振電路的工作原理

對(duì)于27V輸出的低壓大電流應(yīng)用場(chǎng)合，在前期的拓?fù)溥x型時(shí)，主要考慮了移相全橋，Boost+定頻諧振和Buck+定頻諧振三種拓?fù)洹Ｒ葡嗳珮蛲負(fù)渲?，由于需要?..

2023-03-24 標(biāo)簽：BUCK MOS管 Boost 3.9k 0

交錯(cuò)并聯(lián)全橋LLC電路的工作原理

電路一般用于輸入線電壓為380V的三相整流模塊的DC-DC變換電路。對(duì)于此類整流模塊，母線電壓一般在800V左右。如果DC-DC變換電路依舊采用單個(gè)的兩...

2023-03-24 標(biāo)簽：MOS管變換電路 DC-DC 2.5萬 2

MOS管的基本認(rèn)識(shí)

不論N溝道還是P溝道MOS管，中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的：要么都由S指向D，要么都有D指向S。

2023-03-24 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管 NMOS 1.4k 0

用光耦代替光敏電阻

光敏電阻的阻值在沒有光的時(shí)候最大。光照強(qiáng)度升高，光敏電阻的阻值降低。

2023-03-23 標(biāo)簽：led 光敏三極管 MOS管 3.3k 0

MOS管的概念、結(jié)構(gòu)及原理

MOS管也就是常說的MOSFET。 MOSFET全稱是：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transisto...

2023-03-23 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管 1.2萬 0

半橋LLC電路中MOS管空載電壓尖峰的改善

半橋電路在空載和輕載下采用不對(duì)稱發(fā)波方式，空載時(shí)，上管的占空比很小，甚至為0（下管和其互補(bǔ)），這樣LLC電路的下面的諧振電容電壓很低，導(dǎo)致下面的功率管導(dǎo)...

2023-03-23 標(biāo)簽：MOS管 LLC 半橋電路 8.9k 0

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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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