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      標(biāo)簽　>　mos管

      mos管

      mos管

      +關(guān)注110人關(guān)注

      mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

      文章：2256個(gè) 瀏覽：77174次 帖子：1238個(gè)

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      2023-02-02 標(biāo)簽：三極管電路設(shè)計(jì)MOS管 1.3萬 0

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      2023-02-02 標(biāo)簽：mcuMOS管NMOS 1.8萬 0

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      2023-02-02 標(biāo)簽：電阻MOS管電極 4.5k 0

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      大家都知道三極管是電流控制型元件，三極管工作在放大狀態(tài)下存在Ic=βIb的關(guān)系，怎么理解三極管的放大模型呢?這兒我們拋開三極管內(nèi)部空穴和電子的運(yùn)動(dòng)，還是...

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      上篇文章聊了MOS管-傳輸特性曲線的細(xì)微之處，希望同學(xué)們能精準(zhǔn)識(shí)別三種特性曲線的區(qū)別，而不是死記硬背。研究MOS管，一定繞不開一個(gè)重要現(xiàn)象——Mille...

      2023-02-01 標(biāo)簽：電容MOS管MOS 3.3k 0

      一文吃透MOS管的構(gòu)造、特點(diǎn)以及實(shí)用電路

      MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于絕緣柵型。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路、靜電防護(hù)等幾個(gè)方面用工程師的話簡(jiǎn)單描述。

      2023-01-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 6.4k 0

      MOS管和IGBT管有什么差別

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      2023-01-30 標(biāo)簽：MOS管IGBT 4k 0

      功率Mos管損壞主要原因有哪些

      Mos主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)，開關(guān)損耗（開通過程和關(guān)斷過程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在...

      2023-01-30 標(biāo)簽：CMOSMOS管 1.7k 0

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      2023-01-29 標(biāo)簽：三極管下拉電阻MOS管 1.3k 0

      關(guān)于mos管的基礎(chǔ)知識(shí)

      主要是講一下關(guān)于mos管的基礎(chǔ)知識(shí)，例如：mos管工作原理、mos管封裝等知識(shí)。

      2023-01-29 標(biāo)簽：封裝MOS管晶體管 5.9k 0

      盤點(diǎn)MOS管傳輸特性曲線的細(xì)微之處

      這樣描述可能不直觀。我們看下N溝道-JFET的構(gòu)造，如下圖所示，柵極和源極之間就是一個(gè)耗盡層（PN結(jié)）。

      2023-01-29 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管MOS管負(fù)電壓 4.1k 0

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      2023-01-24 標(biāo)簽：三極管下拉電阻MOS管 3.1k 0

      mos在控制器電路中的工作狀態(tài)及工作原理

      Mos開關(guān)原理（簡(jiǎn)要）：Mos是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻...

      2023-01-17 標(biāo)簽：控制器MOS管 5.4k 0

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      2023-01-19 標(biāo)簽：MOS管晶體管CCS 1.9萬 1

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