mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

用作電子開關(guān)的三極管和MOS管

因?yàn)镹PN型的三極管在共發(fā)射極電路中使用時(shí)，其C極要求接的是電源的正端，E極要求接的是電源的負(fù)端，B極要求在正向偏壓時(shí)管子才工作，所以在PC電源中，開關(guān)...

2023-01-06 標(biāo)簽：三極管 MOS管電子開關(guān) 1.1萬 0

詳解電源和地之間的走線電感

其中W為走線寬度，l為走線長(zhǎng)度，可以發(fā)現(xiàn)PCB走線電感與敷銅厚度無關(guān)，走線電感主要由長(zhǎng)度l決定。

2023-01-19 標(biāo)簽：電源 MOS管電感 6.1k 0

MOS管的知識(shí)，看這一篇就可以了

今天的文章簡(jiǎn)單總結(jié)一下MOS管，如下是本文目錄。

2023-01-05 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管 4.9k 0

Rdson和Vgs、Vds有怎樣的關(guān)系？

在上一篇文章中我們聊了“Rdson對(duì)應(yīng)MOS管的哪個(gè)工作區(qū)？”這個(gè)問題，并得出Rdson對(duì)應(yīng)的是可變電阻區(qū)的結(jié)論。在討論的過程中，提到了Vgs對(duì)MOS管...

2023-01-05 標(biāo)簽：MOS管可變電阻 VDS 1.2萬 0

一文詳解p溝道耗盡型mos管開關(guān)電路

在設(shè)計(jì)mos管開關(guān)電路時(shí)，就要充分了解mos管的工作原理。在我上一篇文章中，有詳細(xì)地講解mos管的工作原理。

2023-01-05 標(biāo)簽：開關(guān)電路半導(dǎo)體 MOS管 2.0萬 0

如何用一個(gè)按鍵開關(guān)控制單片機(jī)（一鍵開關(guān)機(jī)）

按下K，電源通過4007為整個(gè)系統(tǒng)供電，AVR開始工作。此時(shí)PB1為高電平。注意，電源來源是連接器旁邊的+5V。

2023-01-26 標(biāo)簽：三極管繼電器單片機(jī) 2.7k 0

MOS管常用的驅(qū)動(dòng)電路分享

　MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。

2023-01-26 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電路電源IC 3.5k 0

組裝一個(gè)電路來測(cè)試mos管的好壞-mos管好壞檢測(cè)電路圖

為了保護(hù)電路板上的其他組件，在將mos管連接到電路之前對(duì)其測(cè)試至關(guān)重要。mos管主要有三個(gè)引腳：漏極、源極和柵極。

2023-01-03 標(biāo)簽：二極管電路圖萬用表 5.5k 0

MOS管驅(qū)動(dòng)電路原理與MOS管驅(qū)動(dòng)電路布線設(shè)計(jì)

如果不考慮紋波和EMI等要求的話，MOS管開關(guān)速度越快越好，因?yàn)殚_關(guān)時(shí)間越短，開關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動(dòng)...

2022-12-30 標(biāo)簽：MOSFET MOS管驅(qū)動(dòng)電路 9.3k 1

如何區(qū)分MOS管，“電路符號(hào)”和“實(shí)物”介紹

讓我們來看看MOS管，分辨一下他們?cè)趺磪^(qū)別，怎么用吧。而且，我們不談原理，只談應(yīng)用。我們分“電路符號(hào)”和“實(shí)物”兩部分來看。

2022-12-30 標(biāo)簽：MOSFET MOS管 3.5k 0

串聯(lián)的電阻R1到底是放在靠近IC端還是靠近MOS端？

在這之前，為了讓所有兄弟都能跟上節(jié)奏，那必須先得搞清楚這個(gè)串聯(lián)的電阻是干什么用的。

2022-12-30 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻 pcb MOS管 3.5k 0

功率mos管燒毀原因分析及導(dǎo)致失效原因

mos 管的額定電壓應(yīng)保守地考慮預(yù)期的電壓水平，并應(yīng)特別注意抑制任何電壓尖峰或振鈴。

2022-12-29 標(biāo)簽：二極管 MOS管功率器件 9k 0

Rdson對(duì)應(yīng)MOS管的哪個(gè)工作區(qū)？

關(guān)于MOS管的文章，例如MOS管的參數(shù)解析等，網(wǎng)上很多，這里就不寫了，我們還是針對(duì)具體問題具體分析。在問題求證過程中，查漏補(bǔ)缺。

2022-12-29 標(biāo)簽：三極管電阻 MOS管 4.6k 0

H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路解析

之前介紹過H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的基本原理，但是以集成的電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片為示例。這些集成的芯片使用起來比較簡(jiǎn)單，但是只能適用于一些小電流電機(jī)，對(duì)于大電流的電機(jī)(比...

2022-12-29 標(biāo)簽：pcb MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1.4萬 0

所以需要選擇一款DC-DC(直流到直流)的電源拓?fù)渥鰹榉桨钢饕较颉?/p>

2022-12-28 標(biāo)簽：BUCK MOS管 DC-DC 5.5k 0

無刷電機(jī)控制基礎(chǔ)（1）——結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)電路

無刷電機(jī)是指無電刷和機(jī)械換向器的電機(jī)。

2022-12-27 標(biāo)簽：線圈 MOS管驅(qū)動(dòng)電路 2.4k 0

一文詳解MOS管的基本知識(shí)

MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor ...

2022-12-26 標(biāo)簽：MOS管可變電阻 VDS 1.8萬 0

這個(gè)Rdson電阻是對(duì)應(yīng)MOS管的哪個(gè)工作區(qū)呢？

在這個(gè)過程中，Vgs加大，導(dǎo)電溝道寬度增加；Vgs減小，溝道寬度就減小。

2022-12-26 標(biāo)簽：MOS管可變電阻 RDSON控制器 2.2k 0

如何從MOS管的驅(qū)動(dòng)波形來判斷驅(qū)動(dòng)好不好

一般認(rèn)為MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型，所以驅(qū)動(dòng)MOS管，只需要提供一定的電壓，不需要提供電流。

2022-12-26 標(biāo)簽：MOS管寄生電容驅(qū)動(dòng)電阻 8.1k 0

MOS管的基本知識(shí)：構(gòu)造、原理、電路設(shè)計(jì)

MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于絕緣柵型。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話簡(jiǎn)單描述。

2022-12-22 標(biāo)簽：MOS管晶體三極管開關(guān)管 4.1k 0

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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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　　全橋整流電路是把交流電能轉(zhuǎn)換為直流電能的電路，整流電路的作用是將交流降壓電路輸出的電壓較低的交流電轉(zhuǎn)換成單向脈動(dòng)性直流電，能夠輸出比輸入交流電壓更高的直流電壓，但這種電路輸出電流的能力較差，所以具有高電壓，小電流的輸出特性。
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行程開關(guān)，位置開關(guān)（又稱限位開關(guān)）的一種，是一種常用的小電流主令電器。利用生產(chǎn)機(jī)械運(yùn)動(dòng)部件的碰撞使其觸頭動(dòng)作來實(shí)現(xiàn)接通或分?jǐn)嗫刂齐娐罚_(dá)到一定的控制目的。通常，這類開關(guān)被用來限制機(jī)械運(yùn)動(dòng)的位置或行程，使運(yùn)動(dòng)機(jī)械按一定位置或行程自動(dòng)停止、反向運(yùn)動(dòng)、變速運(yùn)動(dòng)或自動(dòng)往返運(yùn)動(dòng)等。
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