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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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從上圖可以看出沖擊電流很大，達(dá)23.0A，遠(yuǎn)大于滿載工作電流（1A左右），板上電源設(shè)計(jì)指南要求是滿載工作電流的3～5倍，所以需要整改以達(dá)到板上電源要求，...
過快的充電會(huì)導(dǎo)致激烈的米勒震蕩，但過慢的充電雖減小了震蕩，但會(huì)延長(zhǎng)開關(guān)從而增加開關(guān)損耗。Mos開通過程源級(jí)和漏級(jí)間等效電阻相當(dāng)于從無窮大電阻到阻值很小的...
如何利用STM32F0單片機(jī)PWM + ADC去控制有刷電機(jī)
讀取 ADC 的值，寫入 TIM 的 CCR 寄存器，觀察 PWM 占空比的變化。根據(jù)電機(jī)的特性，還可能需要改變 PWM 的周期。
2022-08-15 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電路STM32F0 3.9k 0
NCP1400ASN50、NCP1402SN50、CS5171、TPS60110、TPS60111、MAX756、MAX777、MAX731、MAX77...
2022-08-15 標(biāo)簽：電路圖MOS管升壓轉(zhuǎn)換器 9k 0
對(duì)于咱們電源工程師來講，我們很多時(shí)候都在看波形，看輸入波形，MOS開關(guān)波形，電流波形，輸出二極管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，我們拿開關(guān)GS波形為...
OC門，又稱集電極開路(漏極開路)與非門門電路，Open Collector(Open Drain)。
從應(yīng)用側(cè)出發(fā)來給大家介紹一下MOS管里面最常見的NMOS
對(duì)于這個(gè)高速的PWM波控制場(chǎng)景是致命的。當(dāng)PWM波的周期接近于這個(gè)爬升時(shí)間時(shí)，這個(gè)波形就會(huì)失真。一般來說Cgs大小和Rds(on)是成反比的關(guān)系。Rds...
2022-08-12 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管MOS管NMOS 3.8k 0
PMOS管做開關(guān)用，S極作電源輸入，D極作輸出，當(dāng)Vsg大于閾值電壓，MOS管導(dǎo)通，一般MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都很小，毫歐級(jí)別，過幾安培的電流，壓降也才毫伏...
1、三個(gè)極怎么判定？2、他們是N溝道還 是P溝道？3、寄生二極管的方向如何判定？
當(dāng)控制電壓由低變高時(shí)，柵極電壓開始時(shí)有一個(gè)3V的臺(tái)階，分析認(rèn)為是Q3截止后，3.3偏置電壓經(jīng)過BC結(jié)饋電引起的。
2022-08-09 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器MOS管射極輸出器 3.8k 0
每一個(gè)MOS管都提供有三個(gè)電極：Gate柵極（表示為“G”）、Source源極（表示為“S”）、Drain漏極（表示為“D”）。接線時(shí)，對(duì)于N溝道的電源...
NMOS管的主回路電流方向?yàn)镈—>S，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，如 5V（G電位比S電位高）。
把紅表筆接到MOS管的源極S；把黑表筆接到MOS管的漏極D，此時(shí)表針指示應(yīng)該為無窮大，如圖5-3所示。如果有歐姆指數(shù)，說明被測(cè)管有漏電現(xiàn)象，此管不能用。
Sink Current即灌電流的意思，是數(shù)字電路的表示方式，電流方向指向芯片IO，與Souce Current 拉電流相對(duì)應(yīng)。
PDS760-13總功耗，包括二極管的傳導(dǎo)損耗和交流損耗。二極管在MOS管關(guān)斷期間續(xù)流，瞬時(shí)傳導(dǎo)損耗以關(guān)斷期間的輸出電流乘以二極管的正向電壓來計(jì)算。二極...
模數(shù)A/D轉(zhuǎn)換器的基本原理與轉(zhuǎn)換過程解析
在一系列選定的瞬間對(duì)模擬信號(hào)進(jìn)行取樣，然后再將這些取樣值轉(zhuǎn)換成輸出的數(shù)字量，并按一定的編碼形式給出轉(zhuǎn)換結(jié)果。整個(gè)A/D轉(zhuǎn)換過程大致可分為取樣、量化、編碼...
2022-08-03 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器MOS管電壓比較器 9.1k 0
MOS管，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導(dǎo)體（Semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。
反激變換器是小功率電源所廣泛采用的拓?fù)浣鉀Q方案，因其簡(jiǎn)單便宜，可靠性高而廣泛應(yīng)用于100W以下的場(chǎng)合。
三極管和MOS管的基本特性 三極管是電流控制電流器件，用基極電流的變化控制集電極電流的變化。
MOS管的特性表明，當(dāng)Vgs小于一定電壓（Vth）時(shí)，DS極之間的電阻Rds是很大的，可以認(rèn)為開路，電流不能通過；當(dāng)Vgs達(dá)到Vth時(shí)，MOS管開始導(dǎo)通...
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