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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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如何改變電流方向？ 如果將4個(gè)開關(guān)按如圖的方式連接的話，閉合不同的開關(guān)，電流方向就會(huì)發(fā)生改變（此電路是不是有點(diǎn)像字母‘H’，所以叫H橋電路）
熱插拔一般對(duì)電子系統(tǒng)有兩方面影響：1.熱插拔時(shí)，連接器的機(jī)械觸點(diǎn)在接觸瞬間會(huì)出現(xiàn)彈跳，引起電源振蕩；2.熱插拔時(shí)，由于系統(tǒng)大容量儲(chǔ)能電容的充電效應(yīng)，系統(tǒng)...
MOS管選型需考慮溝道類型（NMOS或PMOS）、電壓、電流、熱要求、開關(guān)性能及封裝，同時(shí)需結(jié)合電路設(shè)計(jì)、工作環(huán)境及成本，避免混淆NMOS和PMOS?！?..
功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動(dòng)電壓升高，該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系...
介紹一顆DC/DC電源芯片LM2675的內(nèi)部全部結(jié)構(gòu)
作為一名電源研發(fā)工程師，自然經(jīng)常與各種芯片打交道，可能有的工程師對(duì)芯片的內(nèi)部并不是很了解，不少同學(xué)在應(yīng)用新的芯片時(shí)直接翻到Datasheet的應(yīng)用頁面，...
在我們現(xiàn)實(shí)生活中，能用到MOS管的地方太多了。MOS管也有NMOS和PMOS之分，特點(diǎn)和應(yīng)用有些許差異。N溝道MOSFET具有許多優(yōu)點(diǎn)，如電流驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)...
X9313為工業(yè)級(jí)的32抽頭數(shù)控電位器，最大阻值為10 kΩ，采用8引腳，有DIP、OIC、FSSOP 3種封裝。X9313的內(nèi)部功能框圖，如圖3所示。...
柵，以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是25nm50nm80nm三種。
如何用分立式BJT設(shè)計(jì)高低邊開關(guān)？
MOS類型高低邊開關(guān)固有其優(yōu)勢，比如壓降小，損耗低，控制簡易，使用場景也比BJT類型的高低邊開關(guān)廣泛
2023-06-07 標(biāo)簽：MOS管LED驅(qū)動(dòng)BJT 1.8k 0
這個(gè)主要是Drain加反偏電壓后，使得Drain/Bulk的PN結(jié)耗盡區(qū)延展，當(dāng)耗盡區(qū)碰到Source的時(shí)候，那源漏之間就不需要開啟就形成了 通路，所以...
在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)行斷開時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞。
2022-12-22 標(biāo)簽：MOS管 1.8k 0
大電流的快速切換會(huì)導(dǎo)致電源軌上的電壓驟降和瞬態(tài)尖峰。如果電源和控制電子設(shè)備共用一個(gè)或多個(gè)電源軌，則可能會(huì)對(duì)控制電路產(chǎn)生干擾。
雙向電平轉(zhuǎn)換電路圖 基于單個(gè)MOS管的雙向電平轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)
我們?nèi)粘９ぷ髦袝?huì)經(jīng)常碰到電平需要轉(zhuǎn)換的場景，尤其像需要的電壓不同的芯片之間的轉(zhuǎn)換，或者隔離芯片的兩端的不同電壓需求，還有比如兩個(gè)處理器之間的串口通訊，一...
MOS產(chǎn)品朝著高性能、低功耗、高安全、高穩(wěn)定性和高可靠性等方向演進(jìn)，如何才能做出更好的MOS產(chǎn)品？好的封裝是提升性能的一個(gè)關(guān)鍵。TOLL封裝是一種無引線...
MOS管FDBL86066型號(hào)參數(shù)常用于電池管理系統(tǒng)BMS
儲(chǔ)能行業(yè)的發(fā)展每年都在增長，尤其是在俄烏沖突的影響下，海外民眾為解決用電需求，開始購入戶用儲(chǔ)能等產(chǎn)品，在歐洲的海外市場爆發(fā)尤為顯著。
2023-08-07 標(biāo)簽：MOS管電池管理系統(tǒng)場效應(yīng)晶體管 1.8k 0
1走線會(huì)引入寄生電感，且 走線越長，寄生電感越大。寄生電感與走線長度最具有相關(guān)性，走線寬度影響不如走線長度影響的多。走線不當(dāng)可能引起開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，振鈴多...
MOS管的高集成度、低功耗、高速度、制造工藝成熟、設(shè)計(jì)靈活性、可靠性和熱噪聲等特點(diǎn)，成為很多電子產(chǎn)品的標(biāo)配。本期，合科泰給大家介紹一款應(yīng)用廣泛的MOS管...
2024-10-27 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器封裝MOS管 1.8k 0
硅碳化物（SiC）是一種重要的半導(dǎo)體材料，近年來因其優(yōu)越的物理和化學(xué)特性而在功率電子器件中受到廣泛關(guān)注。SiCMOS管（Metal-Oxide-Semi...
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