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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應晶體管),即以...
2018-07-11 標簽:MOSFET 23.4萬 0
boost升壓電路是一種常見的開關(guān)直流升壓電路,它通過開關(guān)管導通和關(guān)斷來控制電感儲存和釋放能量,從而使輸出電壓比輸入電壓高。
2019-09-04 標簽:mosfet開關(guān)電源電感 10.0萬 0
在電力電子技術(shù)領(lǐng)域,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種被廣泛應用的半導體開關(guān)器件。它結(jié)合了金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的輸入阻抗高和雙極...
IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)過熱和過流的區(qū)別
IGBT在結(jié)構(gòu)上類似于MOSFET,其不同點在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板(漏極)上增加了一個 P+基板(IGBT 的集電極),形成P...
本文將對一些參數(shù)進行探討,如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓撲中的開關(guān)損耗,并對電路和器件特性相關(guān)的三個主要功率開關(guān)損耗—導通損耗、傳導損耗和關(guān)...
MOSFET的半橋驅(qū)動電路設(shè)計要領(lǐng)詳解
MOSFET憑開關(guān)速度快、導通電阻低等優(yōu)點在開關(guān)電源及電機驅(qū)動等應用中得到了廣泛應用。要想使MOSFET在應用中充分發(fā)揮其性能,就必須設(shè)計一個適合應用的...
2016-10-09 標簽:MOSFET半橋驅(qū)動電路 6.8萬 0
MOS管的構(gòu)造及MOS管種類和結(jié)構(gòu)
實際在MOS管生產(chǎn)的過程中襯底在出廠前就和源極連接,所以在符號的規(guī)則中,表示襯底的箭頭也必須和源極相連接,以區(qū)別漏極和源極。圖1-4-(c)是P溝道MO...
本文介紹并討論分析一下作者在研制開關(guān)電源中使用的幾種結(jié)構(gòu)簡單可行的MOSFET管驅(qū)動電路。##隔離的驅(qū)動電路。
2015-04-01 標簽:MOSFET開關(guān)電源驅(qū)動電路 5.9萬 1
交流參數(shù)可分為輸出電阻和低頻互導2個參數(shù),輸出電阻一般在幾十千歐到幾百千歐之間,而低頻互導一般在十分之幾至幾毫西的范圍內(nèi),特殊的可達100mS,甚至更高。
Flyback反激變換器的三種工作模式和參數(shù)設(shè)計
過去幾年,由于USB Type-C PD充電協(xié)議的廣泛使用,加之GaN技術(shù)的普及,使得基于GaN的PD適配器具有更廣泛的兼容性和更便攜的形態(tài),小功率電源...
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
2017-11-02 標簽:mosfet 5.1萬 0
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