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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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?onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi NTMFS003P03P8Z P溝道MOSFET是一種單通道、-30V MOSFET,尺寸為5mmx6mm,可節(jié)省空間并具有出色的熱傳導(dǎo)性...
onsemi NTMFSS0D9N03P8 N溝道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美NTMFSS0D9N03P8 N溝道MOSFET是一款單源下MOSFET,具有低 ~RDS (on)~ ,可最大限度地降低導(dǎo)通損耗,另外還具有低~...
?安森美NTBL032N065M3S碳化硅MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi NTBL032N065M3S碳化矽(SiC)MOSFET專為快速開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì),在負(fù)柵極電壓驅(qū)動和關(guān)斷尖峰時性能可靠。onsemi NTB...
基于EVBUM2909G-EVK評估板數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi EVBUM2909G-EVK子卡 是專為離散雙脈沖測試儀EVBUM2897設(shè)計(jì)的擴(kuò)展套件。onsemi子卡具有電路板邊緣連接器以及被測設(shè)備...
基于onsemi NVH4L050N170M1碳化硅MOSFET數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi NVH4L050N170M1碳化矽(SiC)MOSFET性能卓越,在V~GS~ = 20V時,典型R~DS(on)~ 為53mΩ。onse...
?基于NTTFD1D8N02P1E N通道MOSFET數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)分析
安森美NTTFD1D8N02P1E N溝道MOSFET是一款雙通道25V電源夾非對稱器件。該N溝道MOSFET具有4.2mΩ HS、1.4mΩ LS和2...
onsemi NCP402045集成驅(qū)動器和MOSFET技術(shù)解析
安森美 NCP402045集成驅(qū)動器/MOSFET在單一封裝中集成了MOSFET驅(qū)動器、高側(cè)MOSFET、 和低側(cè)MOSFET。該元件優(yōu)化用于大電流直...
2025-11-24 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換集成驅(qū)動器 558 0
基于onsemi EVBUM2897G-EVB評估板的雙脈沖測試技術(shù)詳解
onsemi EVBUM2897G-EVB評估板設(shè)計(jì)用于比較測量各種分立封裝的Elite SiC MOSFET和IGBT。Onsemi EVBUM289...
意法半導(dǎo)體GaN晶體管推動下一代電機(jī)逆變器的發(fā)展
滿足日益增長的高能效和高功率性能需求,同時不斷降低成本和尺寸是當(dāng)今功率電子行業(yè)面臨的主要挑戰(zhàn)。
2025-11-24 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)控制意法半導(dǎo)體 6.9k 0
?NVMFWS0D45N04XM功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美NVMFWS0D45N04XM MOSFET是一款單N溝道STD柵極MOSFET,采用SO8FL封裝。該器件具有40V漏極-源極電壓、469A連續(xù)...
NVTFWS002N04XM功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美 (onsemi) NVTFWS002N04XM MOSFET具有低R~DS(on)~ 和低電容,采用符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的封裝。該MOSFE...
基于NVMFWS4D0N04XM MOSFET數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美 (onsemi) NVMFWS4D0N04XM MOSFET具有低R~DS(on)~ 和低電容,采用符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的封裝。該MOSFE...
onsemi NVMFWS1D7N04XM功率MOSFET技術(shù)深度解析
安森美NVMFWS1D7N04XM MOSFET是一款單N溝道STD柵極MOSFET,采用SO8FL封裝。該器件具有40V漏極-源極電壓、154A連續(xù)漏...
NVBLS1D2N08X:一款高性能80V N溝道功率MOSFET的深度解析
安森美NVBLS1D2N08X MOSFET具有~低QRR~ 、~RDS(on)~ 和 ~QG~ ,可最大限度降低驅(qū)動器損耗和導(dǎo)通損耗。MOSFET符合...
?NVTFWS003N04XM功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美NVTFWS1D9N04XM MOSFET具有低~RDS(on)~ 和低電容,采用符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的封裝。該MOSFET具有40V漏極-源...
基于onsemi NTTFSSCH1D3N04XL MOSFET數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench? MOSFET設(shè)計(jì)用于處理大電流,這對于直流-直流電源轉(zhuǎn)換級至關(guān)重要。這款40V...
2025-11-22 標(biāo)簽:MOSFET大電流電源轉(zhuǎn)換 2.4k 0
onsemi NVBG050N170M1 碳化矽 MOSFET 技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美 (onsemi) NVBG050N170M1碳化矽(SiCSiC)MOSFET是1700V M1平面SiC MOSFET系列的一部分,該系列專為...
onsemi NXH015F120M3F1PTG 碳化硅功率模塊技術(shù)解析
安森美 (onsemi) NXH015F120M3F1PTG碳化硅 (SiC) 模塊采用15mΩ/1200V M3S碳化硅 (SiC) MOSFET全橋...
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安森美 (onsemi) NVD5867NL單N通道功率MOSFET的漏源電壓為60V,最大漏源導(dǎo)通電阻為39mΩ。該N通道MOSFET的R ~DS(o...
TPIC84000-Q1汽車級低頻天線驅(qū)動器總結(jié)
TPIC84134-Q1 是德州儀器(TI)推出的汽車級低頻(LF)天線驅(qū)動器,專為被動進(jìn)入 / 被動啟動(PEPS)系統(tǒng)設(shè)計(jì),核心優(yōu)勢為 8 路可編程...
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