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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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隨著電動(dòng)汽車 (EV) 制造商之間在開發(fā)成本更低、行駛里程更長(zhǎng)的車型方面的競(jìng)爭(zhēng)日益激烈,電力系統(tǒng)工程師面臨著減少功率損耗和提高牽引逆變器系統(tǒng)效率的壓力,...
2023-02-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 9.6k 0
下面的電路圖是SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的同步式boost電路,LS開關(guān)導(dǎo)通時(shí)的示例。電路圖中包括SiC MOSFET的寄生電容、電感、電阻,HS和L...
SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)及柵極驅(qū)動(dòng)電路
下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時(shí)最簡(jiǎn)單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊(HS)和低邊(LS)是交...
這里會(huì)針對(duì)下述條件與電路結(jié)構(gòu),使用緩沖電容器與專用柵極驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行特性對(duì)比。在電路構(gòu)成中,有上次介紹過的電解電容器和薄膜電容器。在不使用專用柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí),...
緩沖電容器是為了降低電氣布線的寄生電感而連接在大電流開關(guān)節(jié)點(diǎn)的電容器。寄生電感會(huì)使開關(guān)關(guān)斷時(shí)(切斷電流)產(chǎn)生較大的浪涌,當(dāng)浪涌超過元器件的額定值時(shí),甚至...
首先需要了解的是:接下來要介紹的不是全SiC功率模塊特有的評(píng)估事項(xiàng),而是單個(gè)SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中,該信息...
羅姆BD7682FJ-EVK-402的準(zhǔn)諧振電源軟開關(guān)功能測(cè)試
本文主要對(duì)電源的軟開關(guān)功能進(jìn)行測(cè)試。當(dāng)MOSFET管所在回路的原邊繞組在過零點(diǎn)處工作時(shí),由于感應(yīng)作用在原邊副繞組上的電流也處于過零點(diǎn)。檢測(cè)通過此處的電流...
上周收到了羅姆的評(píng)估板,初步分析看了下需要做的技術(shù)準(zhǔn)備工作較多,同時(shí)也需要自己設(shè)計(jì)方案,需要的時(shí)間較多。所以先寫一個(gè)測(cè)試計(jì)劃。
SiC開發(fā)板主要電路分析以及SiC Mosfet開關(guān)速率測(cè)試
羅姆這回提供的電路非常豐富,按由主及次的評(píng)測(cè)思路,我們需要對(duì)電路結(jié)構(gòu)有所了解才能合理設(shè)計(jì)電路實(shí)驗(yàn),特整理了電路分析的內(nèi)容。
憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強(qiáng)力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合,納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動(dòng)的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進(jìn)。
功率模塊一般指的是將功率MOSFET、IGBT等功率半導(dǎo)體器件與其驅(qū)動(dòng)電路、散熱器等部分集成在一起的電路模塊。這種模塊具有集成度高、可靠性好、穩(wěn)定性強(qiáng)等...
2023-02-26 標(biāo)簽:MOSFET散熱器半導(dǎo)體器件 2.8k 0
MOSFET是一種金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)...
2023-02-25 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 4.3k 0
MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)是一種金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。...
2023-02-25 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 7.2k 0
場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱 FET)是一種三端半導(dǎo)體器件,其特點(diǎn)是輸入電阻高、輸入電容小、輸出電阻低、噪聲小、速度快...
2023-02-25 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管JFET 4.5k 0
具有自關(guān)斷能力的電力半導(dǎo)體器件稱為全控性器件,全控型器件又稱為自關(guān)斷器件,是指通過控制信號(hào)既可以控制其導(dǎo)通,又可以控制其關(guān)斷的電力電子器件。
圖騰無(wú)橋PFC電路,自己第一次接觸,看了幾篇論文學(xué)習(xí)了一下其相關(guān)的知識(shí),簡(jiǎn)單總結(jié)一下分享出來,希望對(duì)大家有所幫助。圖騰無(wú)橋是一種簡(jiǎn)單、效率高且成本低的功...
在場(chǎng)效應(yīng)管家族中可以分支成三類成員,第一類是比較常用的一類,它的大名叫“絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管”(MOSFET),它的小名叫“MOS”管,也就是題目所講的MO...
2023-02-24 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 6.4k 0
對(duì)于三極管開關(guān)電路,要使其 ON和 OFF 時(shí)間越短越好,為防止在 OFF 是因晶體管中的殘留電荷引起的時(shí)間滯后,在基極 B和發(fā)射機(jī) E間應(yīng)加一電阻 R...
2023-02-24 標(biāo)簽:三極管開關(guān)電路MOSFET 5.3k 0
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開關(guān)損耗進(jìn)行介紹,開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
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