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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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當(dāng)二次側(cè)MOSFET在輕負(fù)載時(shí)因諧振動作而導(dǎo)通時(shí)的故障對策
上一篇文章中介紹了故障①“當(dāng)二次側(cè)MOSFET立即關(guān)斷時(shí)”的對策,同時(shí)也提到了相應(yīng)對策的注意事項(xiàng)。本文將介紹當(dāng)二次側(cè)MOSFET在輕負(fù)載時(shí)因諧振動作而導(dǎo)...
當(dāng)二次側(cè)MOSFET立即關(guān)斷時(shí)的故障對策
截至上一篇文章,結(jié)束了所需部件的選型和常數(shù)計(jì)算相關(guān)的介紹。接下來將分步驟介紹所選部件的PCB板安裝、各種特性的確認(rèn)及其是否符合設(shè)計(jì)規(guī)格的確認(rèn)工作。本文開...
2023-02-17 標(biāo)簽:PCB轉(zhuǎn)換器MOSFET 1.2k 0
提高AC/DC轉(zhuǎn)換器效率的二次側(cè)同步整流電路設(shè)計(jì)-電源規(guī)格和替代電路
上一篇文章中大致介紹了用于設(shè)計(jì)的ICBM1R001xxF系列的概要,從本文開始將進(jìn)入具體的設(shè)計(jì)。在此再次回顧一下,該設(shè)計(jì)案例的目的是使用二次側(cè)同步整流控...
2023-02-17 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET整流電路 2.1k 0
提高AC/DC轉(zhuǎn)換器效率的二次側(cè)同步整流電路設(shè)計(jì)-設(shè)計(jì)步驟
在“提高AC/DC轉(zhuǎn)換器效率的二次側(cè)同步整流電路設(shè)計(jì)”系列中,將使用二次側(cè)同步整流控制器IC BM1R001xxF系列,介紹將二極管整流的AC/DC轉(zhuǎn)換...
2023-02-17 標(biāo)簽:MOSFET整流電路分流穩(wěn)壓器 2.2k 0
使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例 小結(jié)
此前共用19個篇幅介紹了“使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例”,本文將作為該系列的最后一篇進(jìn)行匯總。該設(shè)計(jì)案例中有兩個關(guān)鍵要點(diǎn)。一個...
2023-02-17 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIC 1.6k 0
- 您已經(jīng)介紹過BM2Pxxx系列對高效率、低功耗、低待機(jī)功耗、小型這4個課題的貢獻(xiàn),多次提到“因?yàn)閮?nèi)置超級結(jié)MOSFET,......”。接下來請您介...
2023-02-17 標(biāo)簽:電阻轉(zhuǎn)換器MOSFET 2.3k 0
使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例-PCB板布局示例
截至上一篇文章,結(jié)束了部件選型相關(guān)的內(nèi)容,本文將對此前介紹過的PCB電路板布局示例進(jìn)行總結(jié)。使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的PCB布局示例
使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例-變壓器T1的設(shè)計(jì)(2)
在前面的“變壓器T1的設(shè)計(jì) 其1”中,對下述計(jì)算步驟①~③進(jìn)行了說明。本文作為“其2”來計(jì)算剩下的④~⑥,并結(jié)束變壓器T1的設(shè)計(jì)篇。①反激式電壓VOR的...
2023-02-17 標(biāo)簽:變壓器MOSFET諧振轉(zhuǎn)換器 1.4k 0
使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例-變壓器T1的設(shè)計(jì)(1)
從本文開始進(jìn)入具體的設(shè)計(jì),比如計(jì)算相關(guān)電路常數(shù)等。首先是變壓器T1的設(shè)計(jì)。計(jì)算步驟如下。這與“隔離型反激式轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計(jì):變壓器設(shè)計(jì)(數(shù)值計(jì)算)”中的思...
2023-02-17 標(biāo)簽:變壓器MOSFET諧振轉(zhuǎn)換器 1.7k 0
使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例-設(shè)計(jì)案例電路
上一篇文章對設(shè)計(jì)中使用的電源IC進(jìn)行了介紹。本文將介紹設(shè)計(jì)案例的電路。準(zhǔn)諧振方式:上一篇文章提到,電源IC使用的是SiC-MOSFET驅(qū)動用AC/DC轉(zhuǎn)...
2023-02-17 標(biāo)簽:MOSFET轉(zhuǎn)換電路諧振轉(zhuǎn)換器 1.5k 0
碳化硅MOSFET B1M160120HC在服務(wù)器電源中的應(yīng)用
服務(wù)器作為網(wǎng)絡(luò)的節(jié)點(diǎn)存儲,處理著網(wǎng)絡(luò)上80%以上的數(shù)據(jù)和相關(guān)信息,需要24*7不間斷運(yùn)行,承載著整個企業(yè)甚至全球各地的訪問任務(wù),這主要?dú)w功于其高性能、高...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)...
2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管IGBT 2.7k 0
電路中,晶體管常常被用來當(dāng)做開關(guān)使用。晶體管用作開關(guān)時(shí)有兩種不同的接線方式:高邊(high side)和低邊(low side)。高邊和低邊是由晶體管在...
2023-02-16 標(biāo)簽:三極管MOSFET場效應(yīng)管 7k 0
共源級放大電路的偏置設(shè)計(jì) 共源級放大電路的小信號分析
前幾期的內(nèi)容介紹了MOSFET的結(jié)構(gòu)、電學(xué)特性、電路模型,這些都是分析MOSFET放大電路的基礎(chǔ)。介紹了MOSFET放大器一般有三種類型即三種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),...
期我們介紹了NMOS當(dāng)作為放大器時(shí)的等效電路是什么?包括大信號模型和小信號模型,模型中當(dāng)V_DS>V_GS-V_TH時(shí),我們把NMOS當(dāng)成一個...
半導(dǎo)體工藝:計(jì)算機(jī)與晶體管技術(shù)的相關(guān)性
得益于MOSFET的平面式結(jié)構(gòu),我們可以在硅晶圓上同時(shí)制造出好幾個MOSFET。這意味著,只要把單個MOSFET的大小控制好,在相同面積的晶圓上可以多制...
2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET計(jì)算機(jī)晶體管 1.1k 0
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