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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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如何為中壓SiC-MOSFET轉(zhuǎn)換器的濾波電感器的接地電流建模
在設(shè)計(jì)使用寬帶隙 (WBG)的電子轉(zhuǎn)換器時(shí),高 dv/dt 瞬變是挑戰(zhàn)背后的原因通常以存在于它們的有源和無源組件中的寄生參數(shù)的形式引起的設(shè)備 [1][2...
2022-08-04 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET電感器 2.3k 0
在CCM圖騰柱PFC設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)最高效率
采用 Si 超結(jié) (SJ) CoolMOS? MOSFET 的創(chuàng)新解決方案 介紹 在服務(wù)器和電信 SMPS應(yīng)用中,最高效率和功率密度不僅是流行語,而且是...
正確使用SiC MOSFET的出色驅(qū)動(dòng)器
本文描述了使用 SiC MOSFET 的一般接線圖,并解釋了如何將其整合到仿真中。
2022-08-04 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器SiC 2.4k 0
基于有限狀態(tài)機(jī)(FSM)的SiC MOSFET開關(guān)瞬態(tài)建模
在航空、艦載系統(tǒng)和電動(dòng)汽車領(lǐng)域已經(jīng)觀察到,[1][2][3] 可用的最佳解決方案之一是碳化硅 (SiC) MOSFET,因?yàn)樗哂懈哳l HF 和高-其轉(zhuǎn)...
2022-08-04 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETASIC芯片 1.6k 0
隨著云計(jì)算的概念越來越流行,數(shù)據(jù)量越來越大,數(shù)據(jù)中心每天都在改進(jìn),最終開始以更快的速度增長(zhǎng)。 它們已成為最大和最快的能源消耗來源,而 UPS(不間斷電源...
性能、可靠性和飛行傳統(tǒng)通常是空間應(yīng)用電子產(chǎn)品的主要關(guān)注點(diǎn)。根據(jù)任務(wù)壽命和配置文件,設(shè)計(jì)人員在某些情況下可能會(huì)考慮使用商用現(xiàn)貨 (COTS) 部件。但是 ...
傳統(tǒng)的硅功率晶體管在理論上已經(jīng)被推到了極限。1,2基于寬帶隙器件的系統(tǒng)(即碳化硅)已經(jīng)超越了效率、密度和工作溫度方面的限制。3阻斷電壓與導(dǎo)通電阻之比是由...
MOSFET是一種利用場(chǎng)效應(yīng)的晶體管。MOSFET代表金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,它有一個(gè)柵極。為簡(jiǎn)單起見,您可以將這個(gè)門想象成一個(gè)水龍頭,您逆時(shí)針旋...
2022-08-03 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOSFET晶體管 1.5萬 0
說明:功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān),驅(qū)動(dòng)電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)...
能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)必定存在能耗,雖然實(shí)際應(yīng)用中無法獲得100%的轉(zhuǎn)換效率,但是,一個(gè)高質(zhì)量的電源效率可以達(dá)到非常高的水平,效率接近95%。絕大多數(shù)電源IC 的...
2022-08-03 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源降壓轉(zhuǎn)換器 3.4k 0
用于改善SiC MOSFET導(dǎo)通瞬態(tài)的電荷泵柵極驅(qū)動(dòng)
用于高功率和高頻應(yīng)用的最有前途的器件之一是 SiC MOSFET。2,3 它支持更高的結(jié)溫,其特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電阻和更高的開關(guān)。SiC MOSFET 允許...
具有高電流要求的應(yīng)用,例如電池隔離和電機(jī)驅(qū)動(dòng),需要仔細(xì)考慮設(shè)計(jì)要求。了解電路設(shè)計(jì)中的最大額定值對(duì)于從功率 MOSFET 獲得最佳性能并在所需的工作壽命期...
2022-08-03 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2.1k 0
半導(dǎo)體是電子電路中使用最廣泛的元件之一,它們保證了可靠性、高電阻和低成本。半導(dǎo)體器件的制造過程通常用于創(chuàng)建集成電路,包括一系列多個(gè)照相和化學(xué)處理步驟,在...
面向xEV和工業(yè)應(yīng)用的新一代SiC MOSFET
數(shù)據(jù)中心、光伏以及大量其他可再生能源和工業(yè)應(yīng)用也是如此。這些新的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)需要在固態(tài)電源開關(guān)器件方面取得突破,以高效可靠地處理高功率、快速開關(guān)速度和寬...
一種新型3.6-kV/400-A SiC IPM可提升電源應(yīng)用的性能
高能效對(duì)于多種大電流電源應(yīng)用至關(guān)重要,包括工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、可再生能源系統(tǒng)和固態(tài)變壓器。盡管硅長(zhǎng)期以來一直是這些應(yīng)用中使用的主要半導(dǎo)體,但由于SiC提供的...
電動(dòng)汽車隨著汽車行業(yè)技術(shù)的進(jìn)步 (HEV),(EV) 和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車 (HEV) 越來越受歡迎。交通系統(tǒng)的電氣化過程需要大量電力。雙逆變器技術(shù)已被用...
輔助電源是電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏逆變器和 UPS 系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用的重要組成部分。高壓直流總線轉(zhuǎn)換為 5 V 至 48 V 直流電源,為控制電路、傳感電路、冷卻風(fēng)...
如何為您的SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器
雖然 SiC 提供了一系列優(yōu)勢(shì),包括更快的開關(guān)和更高的效率,但它也帶來了一些設(shè)計(jì)挑戰(zhàn),可以通過選擇正確的柵極驅(qū)動(dòng)器來解決。
2022-08-03 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng)器 2.9k 0
MOSFET的驅(qū)動(dòng)難道不是VGS大于開啟電壓就可以了嗎
負(fù)載切換的原理很簡(jiǎn)單,主要通過PWM控制MOS管導(dǎo)通截止來使下圖右側(cè)的電阻R5短路和斷路,其中TP2為DCDC輸出電壓。
2022-08-02 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路DCDC電源 1.8k 0
列舉一些在單火智能開關(guān)EMI調(diào)試過程中的改善經(jīng)驗(yàn)案例
在燈具處于閉態(tài)時(shí),閉態(tài)取電電路選取可提供足夠功率的開關(guān)電源方案,例如采用5V/1A隔離輸出的反激式開關(guān)電源方案。
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