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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析 驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)驗(yàn)證方案
什么叫MOSFET,作為電子硬件設(shè)計(jì)中非常重要的器件MOSFET有怎樣的特性?MOSFET體二極管的作用?
我們?cè)O(shè)計(jì)的這個(gè)Buck方案中對(duì)事件的最小開(kāi)關(guān)時(shí)間是有要求的,這是第一點(diǎn),第二點(diǎn)就是開(kāi)關(guān)電源的頻率是有要求的,雖然可以稍低一點(diǎn),但是電感要大,開(kāi)關(guān)頻率低了...
UC3842數(shù)據(jù)手冊(cè)及UC3842內(nèi)部結(jié)構(gòu)講解
UC3842是驅(qū)動(dòng)MOSFET的一個(gè)理想器件,功能之前我們已經(jīng)說(shuō)到了,那么還有什么其它的保護(hù)特性呢?
關(guān)于mosfet前驅(qū)電路搭建的視頻教學(xué)
我們之前說(shuō)到MOSFET前級(jí)電路是一個(gè)高壓電路,220V整流之后變成的一個(gè)310V的電壓。對(duì)于這樣的電來(lái)說(shuō),原本OFF的狀態(tài)下,電壓應(yīng)該是310V,MO...
上節(jié)課我們講了MOSFET的前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路,同時(shí)也說(shuō)到了這個(gè)芯片在第一次初始上電的時(shí)候,是如何進(jìn)行啟動(dòng)的。
隔離式反激開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中計(jì)算變壓器的參數(shù)設(shè)置
MOSFET選型,吸收電路器件選型,輸出二極管選型,輸入輸出電容等重要器件參數(shù)計(jì)算。
2019-05-06 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源電壓 7.4k 0
MOSFET,IGBT和三極管的優(yōu)缺點(diǎn)分析(視頻分析)
設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源要選擇合適的元器件,元器件多種多樣,要如何選,元器件的優(yōu)缺點(diǎn)都是怎么樣的就是本節(jié)課程要跟大家講解的。
2019-04-25 標(biāo)簽:三極管MOSFET開(kāi)關(guān)電源 1.2萬(wàn) 0
氣味傳感器的實(shí)戰(zhàn)設(shè)計(jì)應(yīng)用
把學(xué)到的運(yùn)放的知識(shí)用來(lái)在實(shí)際原理圖的設(shè)計(jì)中進(jìn)行運(yùn)用。對(duì)于運(yùn)放來(lái)講,用哪種的輸入形態(tài)是根據(jù)我們的實(shí)際項(xiàng)目的需要所進(jìn)行的。
空氣凈化器系統(tǒng)之MOSFET的電路設(shè)計(jì)
什么叫MOSFET,作為電子硬件設(shè)計(jì)中非常重要的器件MOSFET有怎樣的特性?MOSFET體二極管的作用?4、 N型MOSFET和N型三極管作為開(kāi)關(guān)管用...
PCB設(shè)計(jì)中如何提高超級(jí)結(jié)MOSFET的性能
為驅(qū)動(dòng)快速開(kāi)關(guān)超級(jí)結(jié)MOSFET,必須了解封裝和PCB布局寄生效應(yīng)對(duì)開(kāi)關(guān)性能的影響,以及為使用超級(jí)結(jié)所做的PCB布局調(diào)整。主要使用擊穿電壓為500-60...
2019-05-13 標(biāo)簽:mosfetpcb設(shè)計(jì) 1.8k 0
現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器提供隔離功能的最大功率限制
通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開(kāi)關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 6.5k 0
對(duì)于一個(gè)MOS管,如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開(kāi)啟電壓所用的時(shí)間越短,那么MOS管開(kāi)啟的速度就會(huì)越快。與此類(lèi)似,如果把MOS管的GS電壓從開(kāi)啟電壓...
2019-03-29 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片電壓驅(qū)動(dòng) 9.5k 0
功率MOSFET的技術(shù)和市場(chǎng)及發(fā)展等資料的詳細(xì)分析
根據(jù)IHS及Gartner的相關(guān)統(tǒng)計(jì),功率MOSFET占據(jù)約40%的全球功率器件市場(chǎng)規(guī)模??梢园l(fā)現(xiàn),功率MOSFET的電壓驅(qū)動(dòng)、全控式和單極型特性決定了...
探析在ON狀態(tài)下的MOSFET和三極管有何區(qū)別
本篇文章主要介紹了在ON狀態(tài)下,MOSFET和三極管的區(qū)別。并對(duì)其中的一些細(xì)節(jié)進(jìn)行了深入的分析和講解。希望大家在閱讀過(guò)本篇文章之后能對(duì)著兩種晶體管在ON...
散熱器的選擇與設(shè)備應(yīng)用的規(guī)格分析
散熱片很重要!電路設(shè)計(jì)的一個(gè)重要方面是,它們提供了一種有效的熱量輸送路徑,可以將電子設(shè)備(例如BJT,MOSFET和線性穩(wěn)壓器)轉(zhuǎn)移到環(huán)境空氣中。
柵極驅(qū)動(dòng)器在太陽(yáng)能收集設(shè)計(jì)中的應(yīng)用
雖然數(shù)字邏輯電路在太陽(yáng)能收集設(shè)計(jì)中提供關(guān)鍵的監(jiān)控和控制功能,但功率晶體管為電力輸送提供了基礎(chǔ)。在這些數(shù)字和電源域之間,柵極驅(qū)動(dòng)器提供關(guān)鍵接口功能,在太陽(yáng)...
2019-01-23 標(biāo)簽:mosfet太陽(yáng)能柵極驅(qū)動(dòng)器 5.2k 0
在高頻率下切換高輸入電壓降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器的利弊分析
為了解釋這些權(quán)衡,德州儀器工程師建造了三個(gè)獨(dú)立的電源,每個(gè)電源的開(kāi)關(guān)頻率分別為100,300和750 kHz。如應(yīng)用筆記“設(shè)計(jì)高頻,高輸入電壓DC/DC...
2019-01-28 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器mosfet 5.1k 0
在幾十年的時(shí)間里,制造商對(duì)基本設(shè)計(jì)進(jìn)行了改進(jìn),設(shè)置導(dǎo)通電阻和擊穿電壓的新標(biāo)準(zhǔn)。然而,這些參數(shù)通常需要在MOSFET設(shè)計(jì)中相互折衷。增加擊穿電壓的技術(shù)往往...
2019-03-13 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)器晶體管 4.0萬(wàn) 0
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