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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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幾種能夠?qū)崿F(xiàn)快速短路保護(hù)的方法,并且通過實(shí)際測試驗(yàn)證了可行性
目前有4種常用的短路檢測及保護(hù)方法,其原理示意圖如圖4所示。其中最直接的方式就是使用電流探頭或者分流電阻檢測漏極電流。業(yè)界最常用的方法是檢測飽和壓降。M...
SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,所以被認(rèn)為是...
MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管),即以...
2018-07-11 標(biāo)簽:MOSFET 23.4萬 0
入了解SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)建議和解決方案示例
對(duì)于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車或家用電器等高功率應(yīng)用,碳化硅 (SiC) MOSFET 與同等的硅 IGBT 相比具有許多優(yōu)勢,包括更快的開關(guān)速度、更高的電流密...
2018-07-04 標(biāo)簽:MOSFETSiC開關(guān)損耗 1.1萬 0
隔離型反激式轉(zhuǎn)換器和非隔離型降壓轉(zhuǎn)換器的詳細(xì)資料介紹
在傳統(tǒng)的隔離型高電壓反激式轉(zhuǎn)換器中,嚴(yán)緊的調(diào)節(jié)是采用光耦合器把調(diào)節(jié)信息從副邊參考電路傳輸至主邊來實(shí)現(xiàn)的。這種做法的問題是光耦合器給隔離型設(shè)計(jì)增加了明顯的...
2018-07-03 標(biāo)簽:MOSFET光耦合器反激式轉(zhuǎn)換器 9k 0
最新關(guān)于全波橋式整流器的設(shè)計(jì)詳細(xì)解析
大多數(shù)電子元器件都需要一個(gè)來自AC電力線的輸入電源。對(duì)于電壓穩(wěn)壓器、開關(guān)模式電源和其它下游電子組件來說,一個(gè)全橋或半橋二極管整流器器件對(duì)正弦AC電壓波形...
電氣接口的離散輸出H橋驅(qū)動(dòng)的詳細(xì)資料概述
h橋驅(qū)動(dòng)。除了表B61中給出的h橋驅(qū)動(dòng)器的規(guī)范之外,還必須指定表B62中的參數(shù)。
2018-07-01 標(biāo)簽:MOSFET保護(hù)元件H橋驅(qū)動(dòng) 6.1k 0
MOSFET是電子系統(tǒng)中的重要部件,需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇。這些關(guān)鍵指標(biāo)中,以靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性更為重要,本文主要討論靜態(tài)特性。
介紹 LTC7000 的特點(diǎn)性能與應(yīng)用
LTC7000 是一款快速、受保護(hù)的高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,該器件包含一個(gè)內(nèi)部充電泵,因而允許外部 N 溝道 MOSFET 無限期地...
2018-06-28 標(biāo)簽:mosfet柵極驅(qū)動(dòng)器ltc7000 6.8k 0
LT8710是凌力爾特推出的首款同步 SEPIC、負(fù)輸出、升壓和反激式多拓?fù)?DC/DC 控制器。這款同步器件采用高效率 P 溝道 MOSFET 取代輸...
2018-06-28 標(biāo)簽:mosfet電源設(shè)計(jì)控制器 5.7k 0
負(fù)載點(diǎn)電源的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)
高電流的負(fù)載點(diǎn)電源(POL)應(yīng)用存在著一系列的挑戰(zhàn),包括高能效、合適的功率密度、可編程性和靈活性、具有快速的瞬態(tài)響應(yīng)、嚴(yán)格的容限和精度、可靠的保護(hù)功能等...
為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)芯片,需要考慮幾個(gè)方面?
SiC MOSFET與傳統(tǒng)硅MOSFET在短路特性上有所差異,以英飛凌CoolSiC? 系列為例,全系列SiC MOSFET具有大約3秒的短路耐受能力。...
2018-06-15 標(biāo)簽:MOSFETSiC驅(qū)動(dòng)芯片 2.7萬 0
假如有人將 24V 電源連接到您的 12V 電路上,將發(fā)生什么? 倘若電源線和接地線因疏忽而反接,電路還能安然無恙嗎? 您的應(yīng)用電路是否工作于那種輸入電...
2018-06-13 標(biāo)簽:MOSFET電源保護(hù)電路LTC4365 1.6萬 0
對(duì)于速度飽和所引起的電流飽和情況,一般說來,當(dāng)電場很強(qiáng)、載流子速度飽和之后,再進(jìn)一步增大源-漏電壓,也不會(huì)使電流增大。因此,這時(shí)的飽和電流原則上是與源-...
英飛凌公司獨(dú)特的封裝技術(shù):最新CoolMOS系列MOSFET問世
20世紀(jì)80年代末期和90年代初期發(fā)展起來的以功率MOSFET和IGBT為代表的集高頻、高壓和大電流于一身的功率半導(dǎo)體復(fù)合器件,表明傳統(tǒng)電源技術(shù)已經(jīng)進(jìn)入...
利用MOSFET的線性區(qū)和飽和區(qū)與負(fù)載電阻配對(duì)來提供脈沖電流
當(dāng)一系列環(huán)境和電路設(shè)計(jì)變量影響輸出時(shí),就很難確定具有負(fù)反饋電路的穩(wěn)定性。任何計(jì)算錯(cuò)誤都會(huì)成為怪異電路行為(如振蕩和振鈴)的溫床。
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