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簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

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2023-02-12 標簽：MOSFET IGBT PN結(jié) 4.7k 0

MOSFET導通電阻參數(shù)解讀

導通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測試條件下，使MOSFET處于完全導通狀態(tài)時（工作在線性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFE...

2025-05-26 標簽：MOSFET 導通電阻漏極電流 4.7k 0

從晶體到系統(tǒng)之路：關于碳化硅的關鍵的襯底和外延epi分析

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2023-02-02 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 4.7k 0

探析在ON狀態(tài)下的MOSFET和三極管有何區(qū)別

本篇文章主要介紹了在ON狀態(tài)下，MOSFET和三極管的區(qū)別。并對其中的一些細節(jié)進行了深入的分析和講解。希望大家在閱讀過本篇文章之后能對著兩種晶體管在ON...

2019-01-25 標簽：三極管 MOSFET 4.7k 0

選擇合適的柵極驅(qū)動器來解決碳化硅(SiC)的設計挑戰(zhàn)

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2022-08-07 標簽：MOSFET SiC 柵極驅(qū)動器 4.7k 0

基于FPS的離線反激式轉(zhuǎn)換器的分步設計

本應用筆記介紹了使用飛兆半導體電源開關（FPS）的離線反激式轉(zhuǎn)換器的分步設計程序和指南。使用包含本文中使用的所有方程式的FPSdesign輔助軟件，可以...

2021-05-21 標簽：變壓器 MOSFET 反激式轉(zhuǎn)換器 4.7k 1

使用MOSFET和額外的肖特基二極管的電路設計可最大限度地減少干擾

在負載點（POL）降壓轉(zhuǎn)換器領域，同步變化的高邊和低邊有源開關已被廣泛使用。圖1顯示了具有理想開關的此類電路。與使用無源肖特基二極管作為低邊開關的架構(gòu)相...

2020-11-09 標簽：二極管轉(zhuǎn)換器 mosfet 4.7k 1

耗盡型MOSFET的基本概念、特點及工作原理

在現(xiàn)代電子技術中，MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效...

2024-05-12 標簽：MOSFET 半導體晶體管 4.7k 0

GaN MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及原理

GaN MOSFET（氮化鎵金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種新型的功率器件，具有高功率密度、高效率和快速開關速度等優(yōu)點。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比...

2024-07-14 標簽：MOSFET GaN 金屬 4.7k 0

基于ADC進行數(shù)字控制的低噪聲APD偏置電路實現(xiàn)案例

雪崩光電二極管（APD）被作為接收器探頭用于光通信中。APD的高靈敏度和高帶寬受到了設計者的廣泛認可。

2020-08-08 標簽：MOSFET 接收器升壓轉(zhuǎn)換器 4.7k 0

說說IGBT的開通過程

一開始我們簡單介紹過IGBT的基本結(jié)構(gòu)和工作原理，不同的行業(yè)對使用IGBT時，對于其深入的程度可能不一樣，但是作為一個開關器件，開通和關斷的過程

2023-05-25 標簽：MOSFET IGBT NPN管 4.7k 0

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一文詳解MOS的寄生模型

引言：MOSFET是金屬氧化物半導體場效應晶體管（MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor）的縮...

2023-06-08 標簽：MOSFET NMOS 晶體管 4.7k 0

600W MOSFET功率放大器電路圖及PCB設計

這是600W MOSFET功率放大器的電路圖。該電路將為阻抗為 4 歐姆的揚聲器提供超過 600 瓦的音頻輸出。該高功率放大器電路僅在輸出級使用6個N溝...

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MOSFET柵極電路的常見作用 PNP加速關斷驅(qū)動電路

首先說一下電源IC直接驅(qū)動，下圖是我們最常用的直接驅(qū)動方式，在這類方式中，我們由于驅(qū)動電路未做過多處理，因此我們進行PCB LAYOUT時要盡量進行優(yōu)化。

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剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 1

功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體有如下優(yōu)勢，如低損耗、高速開關、高溫...

2023-02-06 標簽：電路 MOSFET SiC 4.7k 0

探討輸入保護電路和運算放大器中的共模失真

可以明確包括電阻器以限制流過二極管的故障電流，或者可以隱含在任何信號源的源阻抗或兩者的混合中。

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MOSFET的開關特性及其溫度特性

前篇對MOSFET的寄生電容進行了介紹。本篇將介紹開關特性。MOSFET的開關特性：在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開關。

2023-02-09 標簽：MOSFET 晶體管開關特性 4.7k 0

淺談高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀

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電焊機是指為焊接提供一定特性的電源的電器，使用電能源，將電能瞬間轉(zhuǎn)換為熱能。電焊機適合在干燥的環(huán)境下工作，不需要太多要求，因體積小巧、操作簡單、使用方便...

2024-08-07 標簽：電源 MOSFET 場效應管 4.7k 0

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