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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) MOSFET選型

mosfet技術(shù)

大功率IGBT和SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計(jì)方案

隨著新能源技術(shù)的快速發(fā)展，對(duì)大功率半導(dǎo)體器件的需求日益增加。特別是在可再生能源領(lǐng)域，需要能夠承載巨大電流的功率器件。然而，由于生產(chǎn)成本、技術(shù)難度以及市場(chǎng)...

2024-08-01 標(biāo)簽：MOSFET 安森美 IGBT 3.3k 0

MOSFET超過耐壓值的原因、影響及檢測(cè)方法

在電子電路設(shè)計(jì)中，MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種常用的功率器件，具有高速開關(guān)、低導(dǎo)通電阻、低驅(qū)動(dòng)功耗等優(yōu)點(diǎn)。然而，如果MOSFE...

2024-08-01 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 2.8k 0

MOSFET導(dǎo)通電壓的測(cè)量方法

MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。MOSFET的導(dǎo)通電壓，也稱為閾值電壓（Vth），是MOSFET...

2024-08-01 標(biāo)簽：MOSFET 電子設(shè)備電壓 3.2k 0

通過三相逆變電路比較PrestoMOS?與普通SJ MOSFET的效率（仿真）

繼上一篇中通過雙脈沖測(cè)試進(jìn)行損耗比較的內(nèi)容之后，本文中我們將對(duì)本系列文章的評(píng)估對(duì)象——三相調(diào)制逆變電路中的效率進(jìn)行比較。MOSFET與雙脈沖測(cè)試中使用的...

2024-07-31 標(biāo)簽：MOSFET 仿真逆變電路 1.4k 0

簡(jiǎn)述同步整流芯片U7613X的工作原理

同步整流芯片U7613X側(cè)重于PSR GAN，有U7613A、U7613B、U7613C三個(gè)型號(hào)，推薦輸出電壓3~12V，輸出電流≤3A，是一款帶快速關(guān)...

2024-07-29 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 同步整流芯片 1.6k 0

瑞能半導(dǎo)體G2超結(jié)MOSFET在軟硬開關(guān)中的應(yīng)用

根據(jù)Global Market Insights的調(diào)查，超級(jí)結(jié)MOSFET在去年在能源和電力領(lǐng)域中的市場(chǎng)份額超過30%，覆蓋了電動(dòng)車充電樁、服務(wù)器和數(shù)據(jù)...

2024-07-29 標(biāo)簽：MOSFET 數(shù)據(jù)中心軟開關(guān) 1.3k 0

怎樣降低開關(guān)電源的輸出電壓

開關(guān)電源作為電子設(shè)備中的重要組成部分，其輸出電壓的穩(wěn)定性和調(diào)節(jié)性直接關(guān)系到整個(gè)設(shè)備的運(yùn)行效率和安全性。在實(shí)際應(yīng)用中，有時(shí)需要降低開關(guān)電源的輸出電壓以滿足...

2024-07-29 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)電源電子設(shè)備 5.9k 0

晶體管的類型和工作狀態(tài)判斷

晶體管是一種半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中，作為電子開關(guān)或放大器使用。根據(jù)其結(jié)構(gòu)和工作原理的不同，晶體管可以分為多種類型。以下主要介紹雙極型晶體管（B...

2024-07-29 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體晶體管 5.3k 0

IGBT關(guān)斷過程分析

絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為電力電子領(lǐng)域中至關(guān)重要的元件，其關(guān)斷過程的分析對(duì)于理解其性能和應(yīng)用至關(guān)重要。IGBT結(jié)合了雙極型晶體管（BJT）和場(chǎng)效...

2024-07-26 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 晶體管 7.4k 0

IGBT開關(guān)過程分析

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的開關(guān)過程是其作為電力電子器件核心功能的重要組成部分，直接決定了電力變換系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。以下是對(duì)IGBT開關(guān)過...

2024-07-26 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 晶體管 3.5k 0

安世半導(dǎo)體P溝道LFPAK56 MOSFET特性概述

Nexperia（安世半導(dǎo)體）將向您展示H橋直流電機(jī)控制電路參考設(shè)計(jì)。 H橋電路是一個(gè)全橋DC-DC轉(zhuǎn)換器，支持有刷直流電動(dòng)機(jī)（最大電壓48 V、最小電...

2024-07-25 標(biāo)簽：MOSFET 安世半導(dǎo)體 1.9k 0

#參考設(shè)計(jì)#低側(cè) MOSFET 控制功能的 5 至 7 節(jié)串聯(lián)電池包監(jiān)測(cè)器

一款具有高電芯電壓精度的 5 至 7 節(jié)串聯(lián)鋰離子 (Li-ion)、磷酸鐵鋰 (LiFePO4) 電池包設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)能夠非常精確地監(jiān)測(cè)各個(gè)電芯的電壓和...

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PCIM2024論文摘要｜并聯(lián)SiC MOSFET的均流研究

/摘要/并聯(lián)SiCMOSFET面臨著許多技術(shù)挑戰(zhàn),包括電流不平衡、不同的熱性能、過電壓等。本文介紹了不同參數(shù)對(duì)并聯(lián)SiCMOSFET分流影響的理論分析和...

2024-07-25 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路 SiC 1.6k 0

使用SiC技術(shù)應(yīng)對(duì)能源基礎(chǔ)設(shè)施的挑戰(zhàn)

本文簡(jiǎn)要回顧了與經(jīng)典的硅 (Si) 方案相比，SiC技術(shù)是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個(gè)實(shí)際案例之前，先探討了 Si...

2024-07-25 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.5k 0

MOSFET參數(shù)與工藝

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）作為現(xiàn)代電子工業(yè)中的核心元件之一，其參數(shù)與工藝對(duì)于電路的性能、效率及可靠性具有至關(guān)重要的影響。以下將從MOS...

2024-07-24 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體晶體管 3.9k 0

驅(qū)動(dòng)電流對(duì)MOSFET性能有什么影響

驅(qū)動(dòng)電流對(duì)MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）性能有著顯著的影響。MOSFET作為現(xiàn)代電子系統(tǒng)中常用的開關(guān)元件，其性能直接決定了系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定...

2024-07-24 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電流 1.8k 0

MOSFET的驅(qū)動(dòng)電流有多大

MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的驅(qū)動(dòng)電流大小并不是一個(gè)固定的值，它受到多種因素的影響，包括MOSFET的具體型號(hào)、工作條件（如開關(guān)頻率、柵...

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MOSFET驅(qū)動(dòng)器的分類和應(yīng)用

MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一種用于驅(qū)動(dòng)MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的電路設(shè)備。MOSFET作為一種重要的半導(dǎo)體器件，在電子工業(yè)中有著廣泛的應(yīng)用...

2024-07-24 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體 2k 0

柵極驅(qū)動(dòng)器是什么？柵極驅(qū)動(dòng)器有什么用？

柵極驅(qū)動(dòng)器（Gate Driver）是一種電路，其主要功能在于增強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的柵極信號(hào)，以便控制器能夠...

2024-07-24 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器 2.4k 0

三菱電機(jī)功率器件發(fā)展史

三菱電機(jī)從事功率半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機(jī)一直致力于功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)和...

2024-07-24 標(biāo)簽：MOSFET 三菱電機(jī)功率器件 2k 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
海思

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STM32F103C8T6

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Proteus軟件是英國(guó)Lab Center Electronics公司出版的EDA工具軟件（該軟件中國(guó)總代理為廣州風(fēng)標(biāo)電子技術(shù)有限公司）。它不僅具有其它EDA工具軟件的仿真功能，還能仿真單片機(jī)及外圍器件。
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74LS74是雙D觸發(fā)器。功能多，可作雙穩(wěn)態(tài)、寄存器、移位寄存器、振蕩器、單穩(wěn)態(tài)、分頻計(jì)數(shù)器等功能。本章詳細(xì)介紹了74ls112的功能及原理，74ls74引腳圖及功能表，74ls112的應(yīng)用等內(nèi)容。
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在眾多的51系列單片機(jī)中，要算國(guó)內(nèi)STC 公司的1T增強(qiáng)系列更具有競(jìng)爭(zhēng)力，因他不但和8051指令、管腳完全兼容，而且其片內(nèi)的具有大容量程序存儲(chǔ)器且是FLASH工藝的，如STC12C5A60S2單片機(jī)內(nèi)部就自帶高達(dá)60K FLASHROM，這種工藝的存儲(chǔ)器用戶可以用電的方式瞬間擦除、改寫。
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做單片機(jī)的工程師相比都堆循跡小車有所認(rèn)識(shí)，它是自動(dòng)引導(dǎo)機(jī)器人系統(tǒng)的基本應(yīng)用，那么今天小編就給大家介紹下自動(dòng)自動(dòng)循跡小車的原理，智能循跡小車的應(yīng)用，智能循跡小車程序，循跡小車用途等知識(shí)吧！
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光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡(jiǎn)單的說，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)，通過光纖傳送后，接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹”組成的，在2009年10月1日天安門廣場(chǎng)舉行的國(guó)慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國(guó)成立六十周年國(guó)慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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STM32系列基于專為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專門設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的。可以通過控制脈沖個(gè)數(shù)來控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過控制脈沖頻率來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過模擬，賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
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cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點(diǎn)是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動(dòng)態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無線發(fā)射，cd4046運(yùn)用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
基站測(cè)試

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802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
TMS320F28335

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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。

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