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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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NP2309EMR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2309EMR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和 工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備 適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM 應(yīng)用程序。 ...
Vishay推出業(yè)內(nèi)最小N溝道和P溝道功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝...
產(chǎn)品推薦 | 適用于PD3.1標(biāo)準(zhǔn)的PRISEMI芯導(dǎo)科技MOSFET產(chǎn)品
產(chǎn)品推薦 | 適用于PD3.1標(biāo)準(zhǔn)的PRISEMI芯導(dǎo)科技MOSFET產(chǎn)品
新品第2代CoolSiCMOSFET400VCoolSiCMOSFET400VG2將高堅(jiān)固性與超低開關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻結(jié)合在一起,同時(shí)改善了系統(tǒng)成本。40...
Nexperia發(fā)布16款新功率MOSFET,采用創(chuàng)新CCPAK封裝
Nexperia近日宣布正式推出16款全新的80V和100V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用了創(chuàng)新的銅夾片CCPAK1212封裝技術(shù),為行業(yè)樹立了功率密...
NP2300BHR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2300BHR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MOSFET在智能手環(huán)中的應(yīng)用優(yōu)勢
智能手環(huán)追求極致輕薄與持久續(xù)航,每一毫瓦的功耗與每一毫米的空間都至關(guān)重要。MDD辰達(dá)半導(dǎo)體推出專為可穿戴設(shè)備優(yōu)化的MDD2312(N溝道)與MDD233...
2025-12-22 標(biāo)簽:MOSFET智能手環(huán) 1.1k 0
傾佳電子SiC模塊(碳化硅MOSFET功率模塊)產(chǎn)品介紹及市場應(yīng)用前景深度解析
傾佳電子SiC模塊(碳化硅MOSFET功率模塊)產(chǎn)品介紹及市場應(yīng)用前景深度解析 前言 隨著“雙碳”戰(zhàn)略目標(biāo)推動(dòng)和新一輪能源革命浪潮席卷全球,功率半導(dǎo)體技...
東芝推出兩項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)提升碳化硅功率器件性能
日本川崎——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(簡稱“東芝”)研發(fā)了一項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù),該技術(shù)可在增強(qiáng)溝槽型碳化硅(SiC)MOSFET[2]的UIS耐用性[3]...
意法半導(dǎo)體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管
意法半導(dǎo)體近期推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管系列。該系列晶體管融合了強(qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢,并...
2024-12-11 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體晶體管 1.1k 0
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系...
森國科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運(yùn)輸能力及低損耗的優(yōu)點(diǎn)。
NP2302DHR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2302DHR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS
英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列 為提高計(jì)算和電信產(chǎn)品的能效,英飛凌...
中瓷電子:國聯(lián)萬眾部分1200V SiC MOSFET產(chǎn)品已批量供貨中
據(jù)悉,國聯(lián)萬眾公司已研發(fā)出具備指標(biāo)性能堪比國外知名廠商的1200V SiC MOSFET產(chǎn)品,部分型號(hào)產(chǎn)品已開始供應(yīng)市場。另一方面,針對(duì)比亞迪在內(nèi)的多方...
MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是電子電路中常用的關(guān)鍵器件,尤其在開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。對(duì)于初學(xué)者會(huì)遇到不知如何識(shí)別G DS極...
北一半導(dǎo)體完成B+輪融資,推動(dòng)SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程
近日,北一半導(dǎo)體科技(廣東)有限公司成功完成了B+輪融資,標(biāo)志著其碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程又邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。此次融資由上海吾同私募...
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案帶來領(lǐng)先業(yè)界的高能效
新的1700 V EliteSiC器件在能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)可靠、高能效的工作 來源:安森美 2023年1月4日— 領(lǐng)先于智能電源和智能感知...
2025 年 9 月 26 日,PCIM Asia 2025 圓滿落幕!本屆展會(huì)作為亞洲電力電子領(lǐng)域的重磅平臺(tái),吸引了來自全球的功率半導(dǎo)體企業(yè)共襄盛舉。...
揚(yáng)杰科技將出席2024全球車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體峰會(huì)暨優(yōu)秀供應(yīng)商創(chuàng)新展
2024全球車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體峰會(huì)暨優(yōu)秀供應(yīng)商創(chuàng)新展將于2024年5月30-31日在杭州市臨平瑞萊克斯大酒店舉行,揚(yáng)杰科技誠摯邀請(qǐng)您屆時(shí)撥冗蒞臨本次大會(huì)。
2024-05-24 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體光伏儲(chǔ)能 1.1k 0
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