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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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MAX17601-MAX17605 Dual MOSFET Drivers
MAX17601 - MAX17605設(shè)備高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器的漏/源4A的峰值電流的能力。該設(shè)備具有不同的反相和同相部分選項(xiàng)提供更大的靈活性,控制M...
要確定一個(gè)MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管是否適于某一特定應(yīng)用,需要對(duì)其功率耗散進(jìn)行計(jì)算。耗散主要包括阻抗耗散和開(kāi)關(guān)耗散:PDDEVICETOTAL=PDRESIS...
散熱器在計(jì)算時(shí)會(huì)出現(xiàn)誤差,一般說(shuō)來(lái)主要原因是很難精確地預(yù)先知道功率損耗,每只器件的參數(shù)參差不齊,并不是一樣的,而且在芯片上各處的溫度也是不同的。
MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓的優(yōu)化
在同步降壓電源應(yīng)用中,降低MOSFET導(dǎo)通電阻對(duì)同步整流器而言十分關(guān)鍵,因?yàn)槎鄶?shù)情況下,快速恢復(fù)式整流電流通過(guò)MOSFET通道電阻所造成的功率損耗是總功...
2011-12-27 標(biāo)簽:MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓 5.8k 0
科銳公司(Nasdaq: CREE)將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革,宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSF...
低壓超級(jí)接面結(jié)構(gòu)優(yōu)化MOSFET性能
采用超級(jí)接面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不僅可克服現(xiàn)有功率MOSFET結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn),亦能達(dá)到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性
2011-12-08 標(biāo)簽:MOSFET 2.4k 0
Diodes推出微型12V P通道強(qiáng)化型MOSFET—DMP1245UFCL
Diodes公司推出微型12V P通道強(qiáng)化型MOSFET——DMP1245UFCL,有助提升電池效率及減少電路板空間,并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求...
2011-11-29 標(biāo)簽:MOSFETDiodesDMP1245UFCL 1k 0
羅姆半導(dǎo)體將推出SCH2090ke型漏源極電壓可達(dá)1200V的MOSFET
SCH2090ke是?SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET。耐高壓、低導(dǎo)通電阻、高速開(kāi)關(guān)、實(shí)現(xiàn)整機(jī)的小型化和節(jié)能化。
羅姆半導(dǎo)體sch2200ax及?SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET
sch2200ax是?SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET。耐高壓?低導(dǎo)通電阻?高速開(kāi)關(guān)、實(shí)現(xiàn)整機(jī)的小型化和節(jié)能化。
2011-11-20 標(biāo)簽:MOSFET羅姆半導(dǎo)體 1.8k 0
三菱電機(jī)上市漏極效率達(dá)70%的MOSFET新品RD01MUS2B
三菱電機(jī)將上市輸出功率為1W的7.2V MOSFET新產(chǎn)品RD01MUS2B,適用于商用無(wú)線傳呼機(jī)及特定小功率無(wú)線傳呼機(jī)用功率放大器。新產(chǎn)品將于2011...
冗余電源是高可用系統(tǒng)中關(guān)鍵的部分。在最簡(jiǎn)單的解決方案中,兩只電源可以利用二極管來(lái)通過(guò)或門(mén)輸出以驅(qū)動(dòng)負(fù)載。這樣,這兩只電源既可以共同工作,也可以一只工作,...
Vishay推出業(yè)內(nèi)最小N溝道和P溝道功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝...
CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢(shì),導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長(zhǎng)度和柵面積都急劇減小。柵氧化層越薄,柵漏電流越大,工藝偏差也越大。柵漏 電流噪聲 一方面影...
電路上電或熱插拔時(shí)會(huì)產(chǎn)生很大啟動(dòng)電流和電壓波動(dòng),這些現(xiàn)象將影響設(shè)備的正常工作,甚至導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)的損害。傳統(tǒng)采用分立元件的保護(hù)電路具有可靠性低、維護(hù)成本高...
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET-...
羅姆展出了采用溝道構(gòu)造的SiC制肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點(diǎn)在于,與普通SiC制SBD相比二極管導(dǎo)通電壓(以下稱(chēng)導(dǎo)通電壓...
兩種常見(jiàn)的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路
本內(nèi)容提供了兩種常見(jiàn)的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路
2011-09-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路 2.3萬(wàn) 1
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