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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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羅姆半導(dǎo)體sch2200ax及?SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET
sch2200ax是?SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET。耐高壓?低導(dǎo)通電阻?高速開關(guān)、實現(xiàn)整機的小型化和節(jié)能化。
2011-11-20 標(biāo)簽:MOSFET羅姆半導(dǎo)體 1.8k 0
雖然SiC在電子應(yīng)用中的使用可以追溯到1900年代初,但它作為半導(dǎo)體材料的使用直到1990年代才開始真正獲得關(guān)注。正是在這一點上,它首次用于肖特基二極管...
安建半導(dǎo)體推出第二代30V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺
安建半導(dǎo)體(JSAB)隆重推出第二代30V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺,融合國內(nèi)尖端技術(shù)與設(shè)計,開創(chuàng)功率密度新高度,在開關(guān)特性和導(dǎo)通電阻等關(guān)鍵參數(shù)方面...
2025-02-07 標(biāo)簽:MOSFET安建半導(dǎo)體 1.8k 0
對于SiC功率MOSFET技術(shù),報告指出,650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代,單芯片電流可達200A。提升電流密度同時,解決好特有可靠...
2023-08-08 標(biāo)簽:二極管MOSFET光電半導(dǎo)體 1.8k 0
B3M020120H(SiC MOSFET)其替代IGBT單管的應(yīng)用價值分析
基于B3M020120H(SiC MOSFET)的技術(shù)參數(shù),以下是其替代IGBT單管的應(yīng)用價值分析,重點突出核心優(yōu)勢與潛在考量: 核心優(yōu)勢 高頻高效能 ...
8月18日,蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司(股票簡稱鍇威特,股票代碼“688693”)成功登陸上海證券交易所科創(chuàng)板。
2023-08-18 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體科創(chuàng)板 1.8k 0
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(...
DC-DC高效率降壓CC/CV同步轉(zhuǎn)換器 內(nèi)置P+N MOSFET 外圍線路簡潔
概述: PC3313是寬輸入電壓,高效率有源CC降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器,可以在CV(恒壓)或CC模式下運行(恒流)輸出模式。PC3313在5V輸出時提供高...
2024-11-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETDC-DC 1.8k 0
Diodes雙向開關(guān)提供單芯及雙芯鋰電池充電保護
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對雙N通道增強型MOSFET DMN2014LHAB及DMN2011UFX,為電池充...
2015-07-20 標(biāo)簽:MOSFETDiodesDMN2014LHAB 1.8k 0
自2021年起,芯聯(lián)集成與比亞迪在多個領(lǐng)域展開深度合作,涵蓋晶圓電力MOSFET、IGBT、Si基MOSFET等功率器件及車載主驅(qū)功率模塊、模擬IC等多個板塊。
泰矽微發(fā)布國內(nèi)超小封裝車規(guī)級全集成微馬達驅(qū)動TCM33x系列芯片
隨著汽車智能化的發(fā)展,越來越多的智能化功能被整合到汽車中,例如自動駕駛、智能導(dǎo)航、語音控制等。
RS瑞森半導(dǎo)體低壓MOS在小家電的應(yīng)用
MOSFET是集成電路中帶有絕緣層的柵型場效應(yīng)管,主要分為N溝道和P溝道兩大類。其中N溝道MOS管電路中BEEP引腳可以控制蜂鳴器響應(yīng)和關(guān)閉,P溝道MO...
Maxim MAX17501 控制器就是一個很好的例子,它融合了這些特性。它可以提供 500mA 的負載電流,峰值效率優(yōu)于 90%,輸入電壓高達 6...
2022-05-24 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET控制器 1.8k 0
安世半導(dǎo)體擴充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布擴充 NextPower 80/100 V MOSFET 產(chǎn)品組合的封裝系列。...
瞻芯電子兩款SiC MOSFET產(chǎn)品通過車規(guī)級可靠性認證
上海瞻芯電子科技有限公司(簡稱“瞻芯電子”)近期取得了一項重要的技術(shù)突破。該公司推出的兩款第二代SiC MOSFET產(chǎn)品,分別為650V 40mΩ規(guī)格的...
英飛凌推出新一代OptiMOS? MOSFET技術(shù)封裝
全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司宣布推出一款新型封裝——SSO10T TSC,該封裝基于其先進的OptiMOS? MOSFET技術(shù),專為滿足汽車...
由第三代 SIC MOSFET 供電的電動汽車和工業(yè)應(yīng)用
意法半導(dǎo)體最近推出了第三代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET,針對先進的功率應(yīng)用(例如 EV 動力系統(tǒng))和其他功率密度、能效和可靠性是相...
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