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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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根據(jù)溝道摻雜類型的不同,MOSFET分為nMOSFET和pMOSFET兩種,兩者組合在一起即為互補(bǔ)型MOS(Complementary MOS,CMOS...
2022-09-08 標(biāo)簽:集成電路MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.5k 0
近幾年來,電動(dòng)汽車、電化學(xué)儲(chǔ)能、以及光伏和風(fēng)電等新能源市場(chǎng)的快速發(fā)展,市場(chǎng)對(duì)功率器件的需求量大增,特別是電動(dòng)汽車的興起,讓IGBT常年處于供應(yīng)緊張狀態(tài),...
使用MOSFET的H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路
一開始,驅(qū)動(dòng)電機(jī)似乎是一項(xiàng)簡(jiǎn)單的任務(wù)——只需將電機(jī)連接到適當(dāng)?shù)碾妷很?,它就?huì)開始旋轉(zhuǎn)。但這并不是驅(qū)動(dòng)電機(jī)的完美方式,尤其是當(dāng)電路中涉及其他組件時(shí)。在這里...
2022-09-06 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電機(jī)H橋電路 5.6k 0
講一講MOS的概念、工作原理、分類以及相關(guān)應(yīng)用
MOS的英文全稱就是MOSFET,其中后綴FET是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫,F(xiàn)ET是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來...
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系...
三端保險(xiǎn)絲是芯片式表貼安裝產(chǎn)品,通常用于鋰離子電池組作為二次保護(hù),使其在遭受過流與過壓風(fēng)險(xiǎn)時(shí)能夠及時(shí)動(dòng)作,有效減少鋰離子電池因?yàn)檫^充、過放以及短路等故障...
2022-09-01 標(biāo)簽:鋰離子電池MOSFET電池管理系統(tǒng) 2.1萬 1
英飛凌高邊開關(guān)PROFET+2 12V系列規(guī)格
MOSFET 是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體開關(guān)。然而,如果將單個(gè) MOSFET 用作開關(guān),當(dāng)配置電路上的負(fù)載短路時(shí),MOSFET 可能會(huì)出現(xiàn)故障。...
華潤(rùn)微電子亮相2022中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)
中國(guó)國(guó)際智能產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(簡(jiǎn)稱“2022智博會(huì)”在重慶國(guó)際博覽中心如期舉行,是重慶市舉辦的第五屆智博會(huì)。2022智博會(huì)延續(xù)“智能化:為經(jīng)濟(jì)賦能,為生活添彩...
2022-08-31 標(biāo)簽:MOSFETIGBT華潤(rùn)微電子 2.3k 0
如何結(jié)合使用系統(tǒng)級(jí)和詳細(xì)模型來探索設(shè)計(jì)空間
在設(shè)計(jì)電源轉(zhuǎn)換器時(shí),可以使用仿真模型來幫助權(quán)衡多個(gè)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。簡(jiǎn)單的基于開關(guān)的有源器件模型用于快速仿真,從而獲得更多工程洞察力。但是,簡(jiǎn)單的設(shè)備模型不會(huì)像...
MOS管驅(qū)動(dòng)在電源轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用
大家好,歡迎回到DCDC電源空間站。
2022-08-29 標(biāo)簽:MOSFETMOS管電源轉(zhuǎn)換器 989 0
放大器是一種電子設(shè)備,用于增強(qiáng)輸入信號(hào)的幅度,它是唱片播放器或CD播放器等音頻源以及均衡器、前置放大器和揚(yáng)聲器等其他設(shè)備的重要組成部分。放大器的子類別是...
絕緣柵雙極晶體管,簡(jiǎn)稱IGBT,是雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的組合,一種用于開關(guān)相關(guān)應(yīng)用的半導(dǎo)體器件。
功率 MOSFET 最常用于開關(guān)模式應(yīng)用中,它們用作開關(guān)。然而,在 SMPS 中的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護(hù)、反極性保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中,功率 MOS...
2022-09-11 標(biāo)簽:MOSFET固態(tài)繼電器柵極電壓 1.1萬 0
可以增加給定輸入信號(hào)的電流、電壓或功率的電子設(shè)備稱為放大器。根據(jù)電路應(yīng)用,放大器分為電壓放大器和功率放大器,其中小信號(hào)和大信號(hào)(功率)放大器的重要因素是...
東芝半導(dǎo)體N溝道30V MOSFET器件SSM6K809R介紹
隨著科技的不斷革新發(fā)展,MOSFET產(chǎn)品也經(jīng)過技術(shù)的迭代升級(jí)有了更加優(yōu)越的表現(xiàn)。但如何提升器件性能的同時(shí)進(jìn)一步降低器件的自身損耗依舊是亟待解決的問題。為...
2022-08-26 標(biāo)簽:MOSFET東芝半導(dǎo)體 2k 0
超級(jí)電容器自動(dòng)平衡 (SAB) MOSFET在工業(yè)中的應(yīng)用
超級(jí)電容器自動(dòng)平衡 (SAB) MOSFET 系列適合工業(yè)應(yīng)用,以調(diào)節(jié)和平衡泄漏電流,同時(shí)最大限度地減少用于平衡兩個(gè)或多個(gè)串聯(lián)堆疊的超級(jí)電容器電池的能量。
納芯微全新推出第二代產(chǎn)品NSi6801x系列 助力企業(yè)降本增效
近年來,隨著工業(yè)系統(tǒng)朝著高頻化、高壓化、高效率的趨勢(shì)發(fā)展,同時(shí)要求更長(zhǎng)的產(chǎn)品壽命,對(duì)工業(yè)隔離技術(shù)提出了更高的要求。
2022-08-25 標(biāo)簽:MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)器納芯微 3.4k 0
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