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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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SiC MOSFET在開/關(guān)切換模式下運行。然而,了解其在線性狀態(tài)下的行為是有用的,當(dāng)驅(qū)動程序發(fā)生故障或設(shè)計人員為特定目的對其進行編程時,可能會發(fā)生這種情況。
適用于CSP GaN FET的簡單且高性能的熱管理解決方案?
本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同(如果不優(yōu)于)的熱性能。由于其卓越的電氣性能,GaN FET 的尺...
緩沖器/驅(qū)動器對于可行電路的應(yīng)用設(shè)計
盡管緩沖器和驅(qū)動器提供很少或不提供附加功能或信號處理方面,但主要在其輸出處復(fù)制其輸入但具有不同的屬性,但它們是在成功、可行的設(shè)計中具有關(guān)鍵作用的基本組件。
介紹一種使用分立式CoolSiC?MOSFET所獲得的測試結(jié)果
選擇適當(dāng)?shù)臇艠O電壓是設(shè)計所有柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術(shù),設(shè)計人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開通電壓,從而...
同步整流芯片U7710支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構(gòu)
同步整流芯片U7710是一款用于替代 Flyback 副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關(guān),內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。
Molex Mini-Fit Sigma連接器產(chǎn)品介紹
本期Digi-Key Daily向大家推介兩款產(chǎn)品——Infineon采用TOLT封裝的OptiMOS 功率MOSFET和Molex Mini-Fit ...
描述 NP9P03G采用了先進的溝槽技術(shù) 設(shè)計為低柵極提供優(yōu)良的RDS(ON) 電荷。它可以用于各種各樣的 應(yīng)用程序。 一般特征 ?VDS = -30v...
反灌功能電源開關(guān)芯片TMI6263AH/TMI6263CH概述
TMI6263 是經(jīng)濟高效的單 P-MOSFET,具有超低 RDS(ON) 的負載開關(guān),針對自供電和總線供電的通用串行總線 (USB) 應(yīng)用進行了優(yōu)化。
2022-07-20 標(biāo)簽:MOSFETusb電源開關(guān) 6.4k 0
降壓同步DC/DC轉(zhuǎn)換器TMI2242D概述、特征及應(yīng)用
TMI2242D 提供2.4A的輸出電流,是寬輸入電壓范圍的CC/CV同步降壓DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
2022-07-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETDC 2.8k 0
描述 NP4407SR-J采用先進塹壕 技術(shù)和設(shè)計,提供卓越的RDS(ON) 低柵極電荷。它可用于負載開關(guān)和 電池保護的應(yīng)用程序。 一般特征 ?VDS ...
NP3400A使用先進的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費 超低密度細胞設(shè)計導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
描述 NP30P03D6采用先進的溝槽技術(shù) 提供優(yōu)良的RDS(ON),本設(shè)備適合使用 作為負載開關(guān)或PWM應(yīng)用。 一般特征 ?VDS = -30v, i...
NP2302FVR-YB(20v n溝道增強型MOSFET)
NP2302FVR-YB使用先進的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費 超低密度細胞設(shè)計導(dǎo)通電阻。這個設(shè)備適用于使用作為PWM負荷開關(guān)或應(yīng)用程序。
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