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標(biāo)簽 > n溝道
MOS管的的三個(gè)極,中間的電極為G極,兩根線相交的極就是S極。而單獨(dú)引線的就是D極,接著判斷N溝道,由S極指向D極的為N溝道,接著判斷P溝道,由D極指向S極為P溝道。
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德州儀器DRV821x/DRV823x系列評(píng)估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
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2025-08-14 標(biāo)簽:電流檢測(cè)N溝道電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 1.3k 0
德州儀器LM74912Q1EVM評(píng)估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
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TPS2295x-Q1汽車級(jí)負(fù)載開關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments TPS2295x-Q1單通道負(fù)載開關(guān)具有受控導(dǎo)通功能。該器件包含一個(gè)N溝道MOSFET,可支持最大5A的連續(xù)電流,并...
2025-08-12 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)單通道 756 0
德州儀器LM74930-Q1理想二極管控制器技術(shù)解析
Texas Instruments LM74930-Q1理想二極管控制器是一款帶斷路器的汽車類理想二極管浪涌抑制器。 該集成電路驅(qū)動(dòng)和控制外部背靠背N...
德州儀器LM2104半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析
Texas Instruments LM2104半橋柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET,具有同步降壓或半橋配置。 此柵極驅(qū)動(dòng)器在GVD...
LM2101 107V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instrument LM2101半橋柵極驅(qū)動(dòng)器是一款緊湊型高壓柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)同步降壓或半橋配置中的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。...
TPS22999負(fù)載開關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments TPS22999導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)是一款單通道負(fù)載開關(guān),旨在實(shí)現(xiàn)快速導(dǎo)通時(shí)間和較低的浪涌電流。該負(fù)載開關(guān)具有N溝道MO...
2025-08-08 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān) 1.2k 0
TPS2117低功耗電源多路復(fù)用器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
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Texas Instrument LM74912-Q1理想二極管控制器驅(qū)動(dòng)和控制外部背靠背N溝道MOSFET。實(shí)現(xiàn)此功能是為了模擬具有電源路徑開/關(guān)控制...
Texas Instruments TPS22991低RON單通道負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
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2025-07-17 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)單通道 872 0
Texas Instruments LM74680理想二極管橋控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
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Texas Instruments DRV816x半橋智能柵極驅(qū)動(dòng)器是集成式100V器件,能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。該驅(qū)動(dòng)器集成了一個(gè)雙向低...
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Analog Devices Inc. ADG6412開關(guān)IC數(shù)據(jù)手冊(cè)
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Analog Devices LT8349兩相低IQ同步升壓轉(zhuǎn)換器異相驅(qū)動(dòng)兩個(gè)內(nèi)部N溝道功率MOSFET級(jí)。多相操作允許使用更小的電感器,與單相等效產(chǎn)品...
2025-05-29 標(biāo)簽:MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器N溝道 1.1k 0
Analog Devices Inc. LTC7892兩相升壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
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MAX14922帶限流功能的高端開關(guān)控制器技術(shù)手冊(cè)
概述 MAX14922是一款高側(cè)、n溝道FET控制器,用于實(shí)現(xiàn)工業(yè)高側(cè)開關(guān),以進(jìn)行接地負(fù)載開關(guān)操作。MAX14922器件控制一個(gè)外部nMOS功率晶體管,...
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