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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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逐步邁向工業(yè)存儲(chǔ)解決方案

　　三級(jí)單元（TLC）、多級(jí)單元（MLC）、單層單元（SLC）、偽單層單元（pSLC）——有許多閃存技術(shù)。開發(fā)人員需要了解存儲(chǔ)的基本機(jī)制和存儲(chǔ)級(jí)別的效果...

2022-10-24 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 1.2k 0

為什么可靠的NAND閃存對(duì)工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)至關(guān)重要

　　在未來(lái)幾年，數(shù)百億臺(tái)工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)（IIoT）設(shè)備將被連接起來(lái)，并產(chǎn)生從傳感器和應(yīng)用程序收集的大量數(shù)據(jù)。這些IIoT數(shù)據(jù)中的很大一部分最終將在邊緣存儲(chǔ)，...

2022-10-24 標(biāo)簽：傳感器 NAND 物聯(lián)網(wǎng) 952 0

在為工業(yè)應(yīng)用選擇閃存設(shè)備時(shí)提出正確的問(wèn)題

　　為工業(yè)應(yīng)用選擇閃存設(shè)備或固態(tài)硬盤（SSD）非常復(fù)雜。性價(jià)比比較沒有多大用處，因?yàn)樾枨篁?qū)動(dòng)的績(jī)效定義取決于許多因素。

2022-10-24 標(biāo)簽：NAND SSD 電池 1.1k 0

工業(yè)級(jí)閃存對(duì)嵌入式設(shè)計(jì)非常重要

　　如果您緊跟當(dāng)今閃存設(shè)備的趨勢(shì)，您將不可避免地看到存儲(chǔ)容量在不斷降低價(jià)格點(diǎn)方面的驚人進(jìn)步。但是，當(dāng)您看到這些進(jìn)步背后的原因時(shí)，您會(huì)注意到更高的容量和更...

2022-10-24 標(biāo)簽：嵌入式 NAND 674 0

邊緣計(jì)算應(yīng)用中的SSD如何保持高數(shù)據(jù)安全性和完整性

人工智能（AI）是一種數(shù)據(jù)密集型計(jì)算密集型技術(shù)。在嵌入式計(jì)算系統(tǒng)中，它需要通常托管在微處理器或FPGA中的推理引擎來(lái)檢測(cè)一組數(shù)據(jù)中的模式。連接性和硬...

2022-10-21 標(biāo)簽：嵌入式 NAND SSD 1.6k 0

如何以每個(gè)人都能理解的方式解釋閃光燈

　　每個(gè)倉(cāng)庫(kù)都存儲(chǔ)著不同的東西。它們存儲(chǔ)的調(diào)色板包含所有形狀和大小的單元，具有不同的存儲(chǔ)要求。例如，它們可能需要在特定溫度下儲(chǔ)存?；蛘撸捎谑褂媚Ｊ礁?，...

2022-10-20 標(biāo)簽：嵌入式 NAND 1.2k 0

通過(guò)正確的組件選擇擴(kuò)展AIoT項(xiàng)目

　　AIoT是過(guò)去幾年中主導(dǎo)該領(lǐng)域的兩種技術(shù)（AI和物聯(lián)網(wǎng)）的共同努力。物聯(lián)網(wǎng)充當(dāng)中樞神經(jīng)系統(tǒng)，通過(guò)一系列連接的設(shè)備及其傳感器收集大量數(shù)據(jù)。人工智能充當(dāng)...

2022-10-14 標(biāo)簽：NAND 物聯(lián)網(wǎng)AI 670 0

利用3D NAND克服工業(yè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)問(wèn)題

　　隨著對(duì)新特性和功能需求的增加，大容量存儲(chǔ)在嵌入式工業(yè)應(yīng)用中的使用持續(xù)增長(zhǎng)。雖然更復(fù)雜的GUI和應(yīng)用已經(jīng)通過(guò)增加NAND芯片容量而成為可能;更快的接口...

2022-10-14 標(biāo)簽：芯片 NAND SSD 1.2k 0

群聯(lián)電子潘健成：NAND Flash市場(chǎng)幾乎接近底部，9月PCIe SSD和工規(guī)控制芯片出貨量高增長(zhǎng)

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2022-10-08 標(biāo)簽：Nand PCI 群聯(lián) 2.4k 0

Q4存儲(chǔ)芯片持續(xù)降價(jià) 價(jià)格跌幅達(dá) 15%-20%

　　近日，TrendForce 集邦咨詢發(fā)布報(bào)告稱，稱NAND Flash目前供過(guò)于求。自今年下半年以來(lái)，買家一直專注于去庫(kù)存和大幅減少采購(gòu)。銷售商為了...

2022-09-27 標(biāo)簽：芯片 NAND 2.8k 0

NAND閃存價(jià)格2023年上半年或?qū)⒊掷m(xù)下滑

NAND閃存芯片供應(yīng)商現(xiàn)在面臨四到五個(gè)月的庫(kù)存。今年下半年，芯片價(jià)格將迅速下降，季度價(jià)格降幅達(dá)到近20%。

2022-09-27 標(biāo)簽：NAND SSD 閃存芯片 1.3k 0

佰維推出eMCP/ePOP系列高效能集成存儲(chǔ)解決方案

佰維eMCP整合高性能主控和NANDFlash晶片，增強(qiáng)了NAND Flash、DRAM與SoC之間的通信能力，提高芯片整體性能，同時(shí)最大可提供256G...

2022-09-26 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器存儲(chǔ)芯片 1.3k 0

iPhone14系列拆解用上長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND閃存芯片

　　9月8日，蘋果舉行了新產(chǎn)品發(fā)布會(huì)，并正式發(fā)布了iPhone14系列，起價(jià)為5999元。隨著蘋果iPhone 14的推出，一些客戶獲得了首批產(chǎn)品，一些...

2022-09-20 標(biāo)簽：NAND 長(zhǎng)江存儲(chǔ)iPhone14 4.9k 0

從Open-Channel到ZNS

主機(jī)端可以根據(jù)自身的業(yè)務(wù)來(lái)控制盤的行為，包括寫入順序，寫在哪個(gè)NAND的Block上，什么時(shí)候擦除和寫入，取代傳統(tǒng)的SSD firmware控制權(quán)?；?..

2022-09-20 標(biāo)簽：NAND 數(shù)據(jù)SSD 1.5k 0

蘋果欲與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作來(lái)降低NAND閃存的價(jià)格

蘋果公司將長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YTMC）納入供應(yīng)商名單。蘋果與YTMC合作的目的是通過(guò)使供應(yīng)商多樣化來(lái)降低NAND閃存的價(jià)格。

2022-09-08 標(biāo)簽：NAND 三星電子 NAND閃存 1.1k 0

僅使用與非門的基本邏輯門

　　邏輯門是數(shù)字世界中的基本元素，之前已經(jīng)介紹過(guò)基本的邏輯門。這些基本的邏輯門可以由通用門構(gòu)成。數(shù)字邏輯中有兩個(gè)通用門，即與非門(NAND Gate)和...

2022-09-12 標(biāo)簽：NAND 邏輯門等效電路 1.4萬(wàn) 0

FORESEE 512Mb SPI NAND Flash實(shí)現(xiàn)全面量產(chǎn)

江波龍(股票代碼：301308)近期發(fā)布了中國(guó)大陸首款FORESEE 512Mb SPI NAND Flash。

2022-08-22 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲(chǔ) 1.2k 0

NAND Flash未來(lái)既柳暗，又花明？

今年8月初，SK海力士旗下NAND閃存解決方案提供商Solidigm在閃存峰會(huì)上展示了全球首款正在研發(fā)的PLC（五層單元）SSD。與QLC（四層單元）S...

2022-08-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 存儲(chǔ)技術(shù) 1.6k 0

用于嵌入式系統(tǒng)引導(dǎo)的閃存設(shè)備比較

　　總之，雖然 SLC NAND、eMMC 和 UFS 的每比特成本較低，但 NOR 閃存器件仍然是嵌入式系統(tǒng)啟動(dòng)設(shè)備的最佳選擇，尤其是在需要非?？斓南?..

2022-08-17 標(biāo)簽：控制器嵌入式 NAND 1.2k 0

一種用于3D TLC NAND的彈性糾錯(cuò)方案

　　通過(guò)實(shí)施上述 LPDC ECC 序列，在 NAND 控制器上終止強(qiáng)大的 RAID 功能，UDInfo相信，未來(lái)基于 3D TLC NAND 的設(shè)備可...

2022-08-17 標(biāo)簽：控制器 NAND SSD 2.9k 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
nvme

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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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