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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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長江正式打破三星壟斷，192層3D NAND閃存實現(xiàn)年底量產(chǎn)

長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND...

2022-06-17 標(biāo)簽：NAND 閃存芯片長江存儲 8.5k 0

高端電子設(shè)備通過無線網(wǎng)絡(luò)為駕駛員提供方便

　　質(zhì)量是快速創(chuàng)新的車載信息娛樂電子市場的一個重要因素，而內(nèi)存是這一領(lǐng)域的支柱，半導(dǎo)體產(chǎn)品必須滿足特定的汽車級認證。

2022-06-15 標(biāo)簽：嵌入式 NAND 存儲器 1.1k 0

基于NAND的存儲在汽車在其他行業(yè)的應(yīng)用

　　您可能不會認為嵌入式設(shè)備會在虛擬世界中扮演重要角色，但它們確實如此——從用于真正身臨其境的虛擬現(xiàn)實（VR）體驗的 3D 耳機到提供增強現(xiàn)實（A...

2022-06-15 標(biāo)簽：嵌入式 NAND 物聯(lián)網(wǎng) 1.9k 0

用于3D TLC NAND的彈性糾錯方案

　　3D TLC NAND 代表了存儲介質(zhì)的轉(zhuǎn)折點，提供了更低的每比特成本和更小的占用空間。然而，為了使市場擴展到嵌入式行業(yè)，該技術(shù)需要提供一套可持續(xù)的...

2022-06-10 標(biāo)簽：控制器 NAND SSD 2.4k 0

鎧俠PCIe 4.0 XG8：支持PCIe 4.0的控制器

從基礎(chǔ)開始，XG8是具有PCIe 4.0 x4連接的M.2 2280外形SSD。鎧俠正在使用他們的第五代112層BiCS5 NAND，容量從512GB到...

2022-06-06 標(biāo)簽：控制器 NAND SSD 1.0萬 0

STM32MP1模塊滿足3種不同的電源需求

　　Markus 強調(diào)工作中的字節(jié)超出了硬件。因此，使用 STM32MP1 模塊的開發(fā)人員可以專注于高級 API 來控制硬件，例如更改亮度或修改 PWM 設(shè)置。

2022-05-13 標(biāo)簽：NAND 服務(wù)器 STM32 2.1k 0

全球存儲芯片市場保持上升趨勢 2023年將超過2000億美元

全球存儲芯片市場于波動中保持上升趨勢，市場規(guī)模從 2005 年的 546 億美元增至 2020 年的 1229 億美元，復(fù)合增速達 5.6%，IC In...

2022-05-10 標(biāo)簽：智能手機 DRAM Nand 9.1k 0

終端市場需求低迷存儲芯片現(xiàn)貨價格持續(xù)下跌

　今年第一季度，對服務(wù)器的需求推動了三星電子的DRAM和NAND閃存銷售增長。三星存儲芯片供應(yīng)商的服務(wù)器用DRAM銷售額在2022年第一季度創(chuàng)下歷史新高...

2022-05-07 標(biāo)簽：DRAM NAND 4.3k 0

DRAM市場，國產(chǎn)存儲芯片能否迎來機遇

服務(wù)器是其中一個重要原因，短了看疫情什么時候結(jié)束仍無定論，宅經(jīng)濟（在線教育、在線辦公等等）還是有增長的潛力，遠了看云服務(wù)廠商還在保持著高速的資本開支。A...

2022-05-06 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲芯片 3.6k 0

三星的UFS4.0閃存芯片預(yù)計第三季度正式量產(chǎn)

三星的UFS4.0閃存芯片采用全新第7代V-NAND技術(shù)，傳輸帶寬每通道達到23.2Gbps，相較UFS3.1提升一倍，順序讀取速度可以達到4200MB...

2022-05-05 標(biāo)簽：NAND 閃存芯片三星 4.7k 0

佰維存儲SS321系列SSD產(chǎn)品特點介紹

隨著國家“東數(shù)西算”工程的啟動，數(shù)據(jù)中心的存儲需求將大量釋放，國產(chǎn)存儲品牌企業(yè)迎來了巨大的發(fā)展機遇。在這樣的情況下，佰維存儲針對服務(wù)器系統(tǒng)盤應(yīng)用，推出了...

2022-04-29 標(biāo)簽：NAND 服務(wù)器 SSD 2.4k 0

美光7400 SSD適用于要求苛刻的數(shù)據(jù)中心

　　隨著美光 7400 SSD 的發(fā)布，我們將我們的 NAND 領(lǐng)先地位、控制器設(shè)計、DRAM 專業(yè)知識、全球客戶實驗室、世界級供應(yīng)鏈和制造組織的所有優(yōu)...

2022-04-22 標(biāo)簽：控制器 DRAM NAND 2.1k 0

Mobileye通過美光內(nèi)存和存儲解決方案推進汽車自主性

　　美光與 Mobileye 的合作提醒我們，美光基于 DRAM、NAND 和 NOR 的內(nèi)存和存儲解決方案支持我們客戶的自動駕駛汽車系統(tǒng)，并有助于實現(xiàn)...

2022-04-21 標(biāo)簽：DRAM NAND 自動駕駛 2.5k 0

國產(chǎn)存儲芯片發(fā)威！內(nèi)存條價格殺瘋了！果鏈驚現(xiàn)國產(chǎn)3D NAND！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）根據(jù) IC Insights 統(tǒng)計，2020年全球存儲芯片市場規(guī)模達 1,267 億美元，其中DRAM和NAND Flas...

2022-04-17 標(biāo)簽：NAND 存儲存儲芯片 6.7k 0

慧榮科技NVMe 2.0實現(xiàn)混合式NAND操作

隨著固態(tài)硬盤在市場上的大量應(yīng)用，大數(shù)據(jù)時代之下的AI、人工智能、高規(guī)格視頻等應(yīng)用與技術(shù)對存儲的要求也越來越高。固態(tài)硬盤NAND層數(shù)越來越密，主控性能也逐...

2022-04-02 標(biāo)簽：芯片 NAND 硬盤 2.5k 0

三星西安閃存工廠全面投產(chǎn) 三星穩(wěn)居市場第一

全球NAND閃存行業(yè)今年的資本支出，將達到299億美元，較去年的277億美元增加22億美元，同比增長8%。

2022-04-02 標(biāo)簽：NAND 三星電子 3.8k 0

美光科技公布2022財年第二季度業(yè)績

美光科技公司（納斯達克代碼：MU）今天公布了截至 2022 年 3 月 3 日的 2022 財年第二季度業(yè)績。　

2022-04-01 標(biāo)簽：DRAM NAND 美光科技 2.4k 0

美光推出176層QLC NAND SSD 移遠通信5G智能模組榮獲AIoT新維獎

美光科技公司宣布，它已開始批量出貨全球首款176層QLC NAND SSD。美光的 176 層 QLC NAND 采用最先進的 NAND 架構(gòu)構(gòu)建，可為...

2022-03-29 標(biāo)簽：NAND SSD 移遠通信 2.5k 0

移遠通信與哈啰出行合作獲獎美光提供176層NAND數(shù)據(jù)中心SSD

　　作為哈啰出行的通信模組、定位模組供應(yīng)商，移遠通信近年來與哈啰出行深度合作，在中國兩輪出行產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨哈啰出行第四屆生態(tài)伙伴大會大會上榮獲哈啰出行“...

2022-03-29 標(biāo)簽：NAND SSD 移遠通信 2k 0

Microchip推出PCIe第五代NVMe固態(tài)硬盤控制器

隨著對數(shù)據(jù)處理的需求不斷發(fā)展，云基礎(chǔ)設(shè)施需要的解決方案應(yīng)具備：高帶寬、低延遲并且針對高效利用資源進行了優(yōu)化。Microchip Technology I...

2022-03-17 標(biāo)簽：控制器 NAND 固態(tài)硬盤 2.8k 0

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云儲存

云儲存

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
江波龍

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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
nvme

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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲器

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
福建晉華

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3D NAND Flash

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　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
云盤

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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
安博會

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FORESEE

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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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